一种具有超高电致应变和逆压电系数的压电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有超高电致应变和逆压电系数的压电陶瓷及其制备方法。一种压电陶瓷，所述压电陶瓷的化学通式如下：(K

【技术实现步骤摘要】
一种具有超高电致应变和逆压电系数的压电陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术属于压电材料
，具体涉及一种具有超高电致应变和逆压电系数的压电陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]压电材料被广泛应用于执行器、换能器、传感器、谐振器等。由于其位移准确、响应快、体积小、功耗低等优点，被认为是理想的驱动器材料。大的电致应变和小的驱动电场是优异的压电驱动器性能的最关键参数。目前市场上应用最为广泛的压电陶瓷材料是铅基陶瓷Pb(Zr,Ti)O3(PZT)，目前报道的最高的电致应变是1.7％，材料体系为Pb(Zn,Nb)O3‑
PbTiO3(PZN
‑
PT)单晶，然而其驱动电场高达115kVcm
‑1，使得其逆压电系数(d
33*
，S
max
/E
max
)很小。由于铅元素在陶瓷高温烧结过程中会挥发，危害人体健康和环境，因此压电陶瓷的无铅化十分紧要。在过去的几十年里，人们一直致力于寻找铅基压电材料的替代者。(Na,Bi)TiO3(BNT)基压电陶瓷被认为是最有希望的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电陶瓷，其特征在于，所述压电陶瓷的化学通式如下：(K
0.5
Na
0.5
)1‑
a
NbO3‑
0.5a
，其中，0＜a≤0.012。2.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，所述压电陶瓷在50kVcm
‑1电场下的逆压电系数d
33*
为4000
‑
6500pm/V。3.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，所述压电陶瓷在50kVcm
‑1电场下的单极应变为1.8
‑
2.2％。4.根据权利要求1所述的压电陶瓷，其特征在于，所述压电陶瓷的化学通式中，0.005＜a≤0.012。5.根据权利要求4所述的压电陶瓷，其特征在于，所述a为0.01。6.一种权利要求1
‑
5任意一项所述的压电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按化学式称量K2CO3、Na2CO3和Nb2O5粉末，混合后进行第一次球磨；第一次球磨后进行第一次烘干，第一次烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴叶婧，田硕，李斌，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：