一种低电阻温度系数的氮化铝加热器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低电阻温度系数的氮化铝加热器及其制备方法，该氮化铝加热器包括第一氮化铝基板、加热电路、第二氮化铝基板和导线，所述导线与加热电路电性连接；加热电路设于第一氮化铝基板和第二氮化铝基板之间，其中，所述加热电路由金属浆料印刷而成，所述金属浆料中所含金属包括W、Mo、AlN和WC/WC

【技术实现步骤摘要】
一种低电阻温度系数的氮化铝加热器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及加热器
，尤其涉及一种低电阻温度系数的氮化铝加热器制备方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片封测中需要快速升温及精确控温，氮化铝陶瓷材料因具备高热导及良好的机械强度，适合于芯片封测的应用场景。目前，根据现有技术生产出的氮化铝加热器是由一定比例的氮化铝粉体和氧化钇粉体流延而成的加热基体，用于承载加热线路、连接导线，通过氮化铝陶瓷作为绝缘和导热的基体材料，基体内部通过印刷金属钨钼浆料达到加热目的。
[0003]由于氮化铝基板本身具有优异的导热性能，热膨胀系数小，适用于大功率密度的应用。
[0004]申请人在2022年提出的专利申请CN114710847A(半导体芯片封测用电子陶瓷加热器及其制备方法)，对氮化铝加热器的结构及基本工艺过程进行了描述，其侧重的是氮化铝及氧化钇掺杂的比例情况，以保证氮化铝加热器产品良好的热导率。本专利技术在上述专利的基础上，对加热线路浆料进行优化设计，降低加热线路浆料的电阻温度系数，进而在相同加热电压下降低产品热应力，也可获得更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电阻温度系数的氮化铝加热器，其特征在于：包括第一氮化铝基板、加热电路、第二氮化铝基板和导线，所述导线与加热电路电性连接；加热电路设于第一氮化铝基板和第二氮化铝基板之间，其中，所述加热电路由金属浆料印刷而成，所述金属浆料中所含金属包括W、Mo、AlN和WC/WC
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TiC。2.根据权利要求1所述的一种低电阻温度系数的氮化铝加热器，其特征在于：所述金属浆料所含金属重量比为W：Mo:AlN:WC＝50～70：10～20：20～30：m，其中，m的范围是：0<m≤5。3.根据权利要求2所述的一种低电阻温度系数的氮化铝加热器，其特征在于：各金属粉体粒度为：W/Mo粉体为1～2μm，AlN粉体为0.3～0.5μm，WC粉体为0.2～0.3μm。4.根据权利要求1所述的一种低电阻温度系数的氮化铝加热器，其特征在于：所述金属浆料所含金属重量比为：W：Mo:AlN:WC
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TiC＝50～70：10～20：20～30：m，其中，m的范围是：0<m≤5；WC
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TiC中，WC与TiC按照任意比例混合。5.根据权利要求4所述的一种低电阻温度系数的氮化铝加热器，其特征在于：各金属粉体粒度为：W/Mo粉体为1～2μm，AlN粉体为0.3～0.5μm，WC
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TiC粉体为0.2～0.3μm。6.一种低电阻温度系数的氮化铝加热器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：球磨，在氮化铝粉体与氧化钇粉体混合的粉料中加入溶剂进行球磨，得到混合均匀的氮化铝浆料；S2：流延，将氮化铝浆料进行负压脱泡后进行流延，按照产品要求设置流延厚度，形成氮化铝生坯带；S3：裁切，将氮化铝生坯带按照尺寸要求裁切成氮化铝生坯片；S4：印刷，按照不同产品的功...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴稀勇，陈建国，泮鑫琴，戚钰，吴一凡，颜宇慧，
申请(专利权)人：莱鼎电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：