MEMS器件制造制造技术

一些实施例包括制造多个MEMS器件的方法，每个器件包括具有不同的CTE的第一材料和第二材料。该方法包括提供具有与第一材料的CTE基本上相等的CTE的载体，该载体包括多个空腔。该方法还包括将多个部件定位在该载体的相应的空腔中，这些部件包括第二材料。在一些实施例中，该方法包括将第一材料层定位在第二材料部件上。在一些实施例中，该方法包括接合第一材料层和第二材料部件。该方法还包括移除载体并分割第一材料层以产生多个MEMS器件。分割第一材料层以产生多个MEMS器件。分割第一材料层以产生多个MEMS器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】MEMS器件制造
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求2020年12月10日提交的美国临时申请第63/123932号的权益，其全部公开内容出于所有目的通过引用并入本文中。

技术介绍

[0002]在微机电系统(MEMS)器件制造中，例如在封装步骤期间，接合经常是连接器件的两个部分的必要步骤。传统的接合通常包括在器件的两个部分之间插入接合材料，并且随后用该接合材料粘附这两个部分。专利技术人已经发现，传统的方法是有缺陷的，并且导致不可靠的MEMS器件。
[0003]当接合MEMS器件中的两种材料(例如，将玻璃接合到硅上)时，热膨胀系数(CTE)失配可能导致对准偏差，对准偏差可能导致接合或其他制造误差。偏差可能源于在层被加热以用于接合(在一些工艺中最高为350℃)以及被允许冷却之后的不同的收缩率(由不同的CTE引起)。这些偏差随着制造规模的增加而增加——与晶圆规模的相同工艺相比，具有CTE失配的面板级制造工艺将经历更多的制造误差。
[0004]在另一示例中，专利技术人发现了接合MEMS器件的两个部分的附加的缺陷。例如，真空封装(例如，使用焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：第一部分；以及第二部分，所述第二部分在接合区域处接合到所述第一部分，所述接合区域包括多个凹槽。2.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，所述凹槽包括V形。3.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，所述凹槽形成在所述第一部分的表面中，并且每个凹槽包括与所述表面成约54度角的两个侧壁。4.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，所述凹槽不与所述第二部分的表面形成锐角。5.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，所述第一部分包括所述凹槽和比所述凹槽深的空腔。6.如权利要求5所述的MEMS器件，其中，所述MEMS器件包括辐射热计并且所述空腔封围光传感器。7.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，所述多个凹槽包括端到端布置的多个分段凹槽。8.如权利要求1所述的MEMS器件，进一步包括处于所述凹槽中并在所述第一部分与所述第二部分之间的焊料。9.如权利要求8所述的MEMS器件，其中焊料预成型件具有第一体积，其中所述多个凹槽在所述第一部分中限定第二体积，并且其中所述第二体积大于或等于所述第一体积。10.如权利要求1所述的MEMS器件，进一步包括处于所述凹槽中并在所述第一部分与所述第二部分之间的粘合层。11.如权利要求1所述的MEMS器件，其中，所述凹槽形成在所述第一部分的表面中，并且其中，所述器件进一步包括附接到所述第二部分的金属化环。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：曜晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：