一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器制造技术

本实用新型专利技术公开一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，包括壳体；气体容置部，其具有激光器端和探测器端；可调谐半导体激光器；光电探测器；所述气体容置部包括：拼接管；反射接头，其包括相互垂直且一端相连接的两段直管；各所述拼接管与各所述反射接头相互插接拼接；所述反射接头的两段直管的连接处的外侧设置有切口；反射片，其和与反射接头的两段直管均呈135度夹角；所述可调谐半导体激光器发出的激光从所述激光器端射入所述气体容置部，所述激光沿各所述拼接管的中心轴传输并经过各所述反射片的反射后从所述探测器端射出被所述光电探测器接收。本实用新型专利技术可根据实际需要拼接，安装和使用都非常方便。安装和使用都非常方便。安装和使用都非常方便。

【技术实现步骤摘要】
一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器


[0001]本技术涉及甲烷传感器，更确切地说是一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器。

技术介绍

[0002]TDLAS(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy，可调谐半导体激光吸收光谱)技术通过检测气体吸收透射光强的变化来获取待测气体的光谱特征，从而检测气体的成分和含量，具有高灵敏度、高分辨率、实时响应和非接触式测量等优点，因此，在甲烷气体探测领域具有广泛的应用。为了提高气体被激光吸收的灵敏度，需要增加气体腔的长度。为了降低气体腔的长度，现有的做法通常是在气体腔体内设置多个反射镜，使可调谐半导体激光器发出的光在反射镜内来回反射后再射出，从而达到增加激光传输行程的目的。但是，现有基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器由于气体腔体固定，反射镜的位置也是固定的，无法根据实际需要进行调整，使用非常不方便，而且在气体腔体内设置反射镜需要精确安装各反射镜的角度，安装也非常不方便。

技术实现思路

[0003]本技术为了解决现有技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器使用和安装都非常不方便的技术问题，提供了一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为设计一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，包括壳体，所述基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器还包括：
[0005]气体容置部，其具有激光器端和探测器端；r/>[0006]可调谐半导体激光器，其正对所述气体容置部的激光器端；
[0007]光电探测器，其正对所述气体容置部的探测器端设置；
[0008]所述气体容置部包括：
[0009]拼接管，其为直管且包括多个；
[0010]反射接头，其包括多个，所述反射接头包括相互垂直且一端相连接的两段直管；各所述拼接管与各所述反射接头相互插接拼接；所述反射接头的两段直管的连接处的外侧设置有切口，所述切口与反射接头的两段直管均呈135度夹角；
[0011]反射片，其设于所述切口处且封住所述切口，所述反射片和与反射接头的两段直管均呈135度夹角；
[0012]所述可调谐半导体激光器发出的激光从所述激光器端射入所述气体容置部，所述激光沿各所述拼接管的中心轴传输并经过各所述反射片的反射后从所述探测器端射出被所述光电探测器接收。
[0013]所述拼接管为圆柱形直管，所述反射接头的两段直管也为圆柱形直管。
[0014]所述反射接头还包括设于两端的插接部，所述拼接管的一端与所述反射接头的插接部插接。
[0015]所述壳体包括：
[0016]上壳，所述上壳的下表面朝上凹陷形成第一腔体、设于所述上壳侧面且与所述第一腔体相通的气管插口和由所述第一腔体的上表面朝下突出形成定位柱；所述上壳的上表面设置有插针孔；
[0017]下壳，其与所述上壳的下端可拆卸固定连接且封住所述第一腔体；
[0018]所述基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器还包括电路板，其固定于所述定位柱的下表面上；所述电路板上设置有电插针，所述电插针插于所述插针孔中；
[0019]所述可调谐半导体激光器、光电探测器设于所述第一腔体内且定位于所述电路板上，所述气体容置部夹持固定于所述下壳与电路板之间。
[0020]所述下壳设置有由所述下壳的上表面朝下凹陷而成的下壳腔，所述下壳上设置有多个与所述下壳腔相通的下壳孔，所述拼接管上设置有多个与所述下壳腔相通的透气孔。
[0021]所述电路板上设置有激光器孔和探测器孔，所述激光器端和探测器端分别定位于所述激光器孔和探测器孔处。
[0022]所述气体容置部还包括：
[0023]气管接头，其包括两个，分别设于所述气体容置部的两端，所述气管接头具有第一接头、与所述第一接头连通的第二接头和与所述第一接头及第二接头连通的第三接头；所述第一接头与所述第二接头的中心轴重合；所述激光器端和探测器端分别位于两个气管接头的第一接头的端部。
[0024]所述可调谐半导体激光器与所述激光器端密封连接，所述光电探测器与所述探测器端密封连接。
[0025]所述反射片与所述切口之间设置有密封圈。
[0026]所述切口为平面切口，且所述切口所在的平面与所述反射接头的两段直管的中心轴构成的平面垂直。
[0027]本技术通过设置气体容置部、可调谐半导体激光器和光电探测器，气体容置腔具有激光器端和探测器端，可调谐半导体激光器正对所述气体容置部的激光器端；光电探测器正对所述气体容置部的探测器端设置。并将气体容置部设置成包括拼接管、反射接头和反射片，各所述拼接管与各所述反射接头相互插接拼接；所述反射接头的两段直管的连接处的外侧设置有切口，所述切口与反射接头的两段直管均呈135度夹角；反射片设于所述切口处且封住所述切口，所述反射片和与反射接头的两段直管均呈135度夹角。可调谐半导体激光器发出的激光从所述激光器端射入所述气体容置部，所述激光沿各所述拼接管的中心轴传输并经过各所述反射片的反射后从所述探测器端射出被所述光电探测器接收。从而可根据实际需要方便的拼接构成气体容置部，并且反射片只需要安装在切口处即可精确实现反射片的安装，安装和使用都非常方便。
附图说明
[0028]下面结合实施例和附图对本技术进行详细说明，其中：
[0029]图1是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例一的
结构图；
[0030]图2是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例一的剖面图；
[0031]图3是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例一的分解图；
[0032]图4是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例一另一视角的分解图；
[0033]图5是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例一去掉壳体后的结构图；
[0034]图6是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例一反射接头、反射片和密封圈的结构图；
[0035]图7是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例二的结构图；
[0036]图8是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例二的分解图；
[0037]图9是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例二另一视角的分解图；
[0038]图10是本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器实施例二去掉壳体后的结构图。
具体实施方式
[0039]下面结合附图进一步阐述本技术的具体实施方式：
[0040]实施例一
[0041]请一并参见图1至图6。本技术基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，包括壳体1、气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，包括壳体，其特征在于：所述基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器还包括：气体容置部，其具有激光器端和探测器端；可调谐半导体激光器，其正对所述气体容置部的激光器端；光电探测器，其正对所述气体容置部的探测器端设置；所述气体容置部包括：拼接管，其为直管且包括多个；反射接头，其包括多个，所述反射接头包括相互垂直且一端相连接的两段直管；各所述拼接管与各所述反射接头相互插接拼接；所述反射接头的两段直管的连接处的外侧设置有切口，所述切口与反射接头的两段直管均呈135度夹角；反射片，其设于所述切口处且封住所述切口，所述反射片和与反射接头的两段直管均呈135度夹角；所述可调谐半导体激光器发出的激光从所述激光器端射入所述气体容置部，所述激光沿各所述拼接管的中心轴传输并经过各所述反射片的反射后从所述探测器端射出被所述光电探测器接收。2.根据权利要求1所述的基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，其特征在于：所述拼接管为圆柱形直管，所述反射接头的两段直管也为圆柱形直管。3.根据权利要求2所述的基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，其特征在于：所述反射接头还包括设于两端的插接部，所述拼接管的一端与所述反射接头的插接部插接。4.根据权利要求3所述的基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器，其特征在于：所述壳体包括：上壳，所述上壳的下表面朝上凹陷形成第一腔体、设于所述上壳侧面且与所述第一腔体相通的气管插口和由所述第一腔体的上表面朝下突出形成定位柱；所述上壳的上表面设置有插针孔；下壳，其与所述上壳的下端可拆卸固定连接且封住所述第一腔体；所述基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的甲烷传感器还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张继国，
申请(专利权)人：深圳市深国安电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：