氟乙烯基醚化合物的制造方法技术

提供一种能够抑制副产物产生的氟乙烯基醚化合物的制造方法。本发明专利技术的氟乙烯基醚化合物的制造方法中，在包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素的氧化物的存在下，对具有式(1)：F

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氟乙烯基醚化合物的制造方法


[0001]本专利技术涉及氟乙烯基醚化合物的制造方法。

技术介绍

[0002]氟乙烯基醚化合物被用作例如用于制造含氟聚合物的单体。作为这种氟乙烯基醚化合物的制造方法，专利文献1中公开了使玻璃珠(硅酸钠玻璃)与全氟
‑2‑
甲氧基丙酰氟发生接触并加热的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：美国专利第3291843号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术人等参考专利文献1中记载的制造方法来制造氟乙烯基醚化合物时发现：无法充分抑制副产物的产生，尚有改善的余地。
[0008]本专利技术是鉴于上述课题而进行的，其课题在于，提供能够抑制副产物产生的氟乙烯基醚化合物的制造方法。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本专利技术人等针对上述课题进行了深入研究，结果发现：在对具有后述式(1)所示基团的化合物进行加热处理来获得具有后述式(2)所示基团的化合物时，如果使用包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素的氧化物，且该氧化物在上述加热处理前的比表面积为1.0m2/g以上，则能够抑制副产物的产生，从而完成了本专利技术。
[0011]即，本专利技术人等发现：通过以下的构成能够解决上述课题。
[0012][1]一种氟乙烯基醚化合物的制造方法，其特征在于，在包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素的氧化物的存在下对具有下述式(1)所示基团的化合物进行加热处理，得到具有下述式(2)所示基团的氟乙烯基醚化合物，
[0013]前述加热处理前的前述氧化物的比表面积为1.0m2/g以上。
[0014]F
‑
C(＝O)
‑
CF(X)
‑
(CF2)
n
‑
O
‑ꢀꢀꢀꢀꢀ
式(1)
[0015]CF2＝CF
‑
O
‑ꢀꢀꢀꢀ
式(2)
[0016]式(1)中，n为0或1，n为0时，X为CF3，n为1时，X为F。
[0017][2]根据[1]所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述氧化物包含碱金属元素。
[0018][3]根据[1]～[2]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述氧化物为包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素和其它金属元素的氧化物。
[0019][4]根据[1]～[3]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述氧化
物为包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素的硅酸盐、铝酸盐、铝硅酸盐、硼硅酸盐或铝硼硅酸盐。
[0020][5]根据[1]～[4]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述氧化物为选自玻璃、非晶质二氧化硅、非晶质氧化铝和非晶质二氧化硅氧化铝中的非晶质氧化物；或者为选自结晶性二氧化硅、结晶性氧化铝和结晶性二氧化硅氧化铝中的结晶性氧化物。
[0021][6]根据[1]～[5]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述加热处理前的前述氧化物的比表面积为1.0～700m2/g。
[0022][7]根据[1]～[6]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述加热处理在前述氧化物以及与前述氧化物不同的其它氧化物的存在下进行，
[0023]前述氧化物的用量相对于前述氧化物与前述其它氧化物的总用量为0.1～99质量％。
[0024][8]根据[1]～[7]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述具有式(1)所示基团的化合物为全氟化合物。
[0025][9]根据[1]～[8]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述式(1)所示的化合物为下述式(1A)所示的化合物。
[0026]F
‑
C(＝O)
‑
CF(CF3)
‑
O
‑
R
f
式(1A)
[0027]式(1A)中，R
f
表示任选具有一价取代基的全氟烷基，所述一价取代基选自由
‑
C(＝O)F、氟磺酰基、腈基和甲酯基组成的组；或者R
f
表示所述任选具有一价取代基的全氟烷基的
‑
CF2‑
被醚性氧原子替换的一价基团。
[0028][10]根据[9]所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述式(1A)所示的化合物为下述式(1A
‑
1)所示的化合物、下述式(1A
‑
2)所示的化合物或下述式(1A
‑
3)所示的化合物。
[0029]F
‑
C(＝O)
‑
CF(CF3)
‑
O
‑
Z
a1
式(1A
‑
1)
[0030]Z
a1
为全氟烷基或者全氟烷基的
‑
CF2‑
被醚性氧原子替换的一价基团，
[0031]F
‑
C(＝O)
‑
CF(CF3)
‑
O
‑
Q
a2
‑
C(＝O)
‑
F式(1A
‑
2)
[0032]Q
a2
为全氟亚烷基或者全氟亚烷基的
‑
CF2‑
被醚性氧原子替换的二价基团；
[0033]F
‑
C(＝O)
‑
CF(CF3)
‑
O
‑
Q
a3
(
‑
SO2F)
q
式(1A
‑
3)
[0034]Q
a3
为(q+1)价的全氟烃基或者全氟烃基的
‑
CF2‑
被醚性氧原子替换的(q+1)价的基团。
[0035][11]根据[1]～[10]中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述式(2)所示的化合物为下述式(2A)所示的化合物。
[0036]CF2＝CF
‑
O
‑
R
f
式(2A)
[0037]R
f
与式(1A)中的R
f
含义相同。
[0038][12]根据[11]所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，前述式(2A)所示的化合物为下述式(2A
‑
1)所示的化合物、下述式(2A
‑2‑
1)所示的化合物、下述式(2A
‑2‑
2)所示的化合物或下述式(2A
‑
3)所示的化合物。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氟乙烯基醚化合物的制造方法，其特征在于，在包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素的氧化物的存在下对具有下述式(1)所示基团的化合物进行加热处理，得到具有下述式(2)所示基团的氟乙烯基醚化合物，所述加热处理前的所述氧化物的比表面积为1.0m2/g以上，F
‑
C(＝O)
‑
CF(X)
‑
(CF2)
n
‑
O
‑ꢀꢀꢀꢀ
式(1)CF2＝CF
‑
O
‑ꢀꢀꢀꢀ
式(2)式(1)中，n为0或1，n为0时，X为CF3，n为1时，X为F。2.根据权利要求1所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述氧化物包含碱金属元素。3.根据权利要求1～2中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述氧化物为包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素和其它金属元素的氧化物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述氧化物为包含选自由碱金属元素和碱土金属元素组成的组中的至少1种元素的硅酸盐、铝酸盐、铝硅酸盐、硼硅酸盐或铝硼硅酸盐。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述氧化物为选自玻璃、非晶质二氧化硅、非晶质氧化铝和非晶质二氧化硅氧化铝中的非晶质氧化物；或者为选自结晶性二氧化硅、结晶性氧化铝和结晶性二氧化硅氧化铝中的结晶性氧化物。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述加热处理前的所述氧化物的比表面积为1.0～700m2/g。7.根据权利要求1～6中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述加热处理在所述氧化物以及与所述氧化物不同的其它氧化物的存在下进行，所述氧化物的用量相对于所述氧化物与所述其它氧化物的总用量为0.1～99质量％。8.根据权利要求1～7中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述具有式(1)所示基团的化合物为全氟化合物。9.根据权利要求1～8中任一项所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1A)所示的化合物，F
‑
C(＝O)
‑
CF(CF3)
‑
O
‑
R
f
式(1A)式(1A)中，R
f
表示任选具有一价取代基的全氟烷基，所述一价取代基选自由
‑
C(＝O)F、氟磺酰基、腈基和甲酯基组成的组；或者R
f
表示所述任选具有一价取代基的全氟烷基的
‑
CF2‑
被醚性氧原子替换的一价基团。10.根据权利要求9所述的氟乙烯基醚化合物的制造方法，其中，所述式(1A)所示的化合物为下述式(1A
‑
1)所示的化合物、下述式(1A
‑
2)所示的化合物或下述式(1A
‑
3)所示的化合物，F
‑
C(＝O)
‑
CF(CF3)
‑
O
‑
Z
a1
式(1A
‑
1)Z
a1
为全氟烷基或者全氟烷基的
‑
CF2‑
被醚性氧原子替换的一价基团，F
‑
C(＝O)
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：山田拓，仁平敏史，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：