用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法制造方法及图纸

本公开提供了一种用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法。所述热处理装置包括一个或多个加热元件；包含三个或更多个第一窗口的第一盖板；包含两个或更多个第二窗口的第二盖板，所述第二窗口对2.7微米波长的辐射是透过性的；位于所述第一盖板和第二盖板之间的工件支撑元件；温度测量组件，包括一个红外发射器、连续的至少两个红外反射传感器和至少两个红外透射传感器；所述三个或更多个第一窗口中的中间位置的第一窗口面向第二盖板的表面具有反射透射涂层。本发明专利技术的热处理装置可精确测量半导体工件表面的温度，并能对半导体工件表面的不同位点进行独立的温度控制，提高控温精度，使得温度控制偏差在

【技术实现步骤摘要】
用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法


[0001]本公开涉及半导体加工
，尤其涉及半导体工件的热处理领域。

技术介绍

[0002]半导体工件在热处理工艺中通常要求的加热温度在约400℃
‑
1200℃。在快速热处理工艺中，通常采用灯阵列以双面加热的方式对半导体工件进行热处理。在热处理工艺中，可靠和准确地测量工件的温度至关重要。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法。
[0004]根据本公开的一方面，提供了一种用于半导体工件的热处理装置，包括：
[0005]一个或多个加热元件，用于加热所述半导体工件；
[0006]包含三个或更多个第一窗口的第一盖板；
[0007]包含两个或更多个第二窗口的第二盖板，所述第二窗口对2.7微米波长的辐射是透过性的；
[0008]位于所述第一盖板和第二盖板之间的工件支撑元件，用于支撑所述半导体工件；
[0009]温度测量组件，包括一个红外发射器、连续的至少两个红外反射传感器和至少两个红本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工件的热处理装置，其特征在于，包括：一个或多个加热元件，用于加热所述半导体工件；包含三个或更多个第一窗口的第一盖板；包含两个或更多个第二窗口的第二盖板，所述第二窗口对2.7微米波长的辐射是透过性的；位于所述第一盖板和第二盖板之间的工件支撑元件，用于支撑所述半导体工件；温度测量组件，包括一个红外发射器、连续的至少两个红外反射传感器和至少两个红外透射传感器；其中，所述三个或更多个第一窗口按照远离所述红外发射器的水平方向包括第一位置的第一窗口、至少一个中间位置的第一窗口和末位位置的第一窗口；且所述中间位置的第一窗口面向所述第二盖板的表面具有反射透射涂层。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中，所述反射透射涂层对波长为2.7微米的辐射具有10％
‑
50％的反射率，以及50％
‑
90％的透射率。3.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，所述反射透射涂层是溴化钾层。4.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，所述连续的至少两个红外反射传感器分别接收来自所述红外发射器的被所述半导体工件反射并透射通过所述第一窗口的红外辐射。5.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，所述至少两个红外透射传感器接收来自所述红外发射器并透射通过所述半导体工件和所述第二窗口的辐射。6.根据权利要求1或2所述的热处理装置，还包括顶板和底板，并且所述红外发射器、所述连续的至少两个红外反射传感器设置于所述顶板的外侧，所述至少两个红外透射传感器设置于所述底板的外侧。7.根据权利要求6所述的热处理装置，其中，所述第一盖板和第二盖板分别为高羟基石英盖板。8.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，所述热处理装置能够准确测量400
‑
750℃范围内的半导体工件温度。9.根据权利要求1或2所述的热处理装置，还包括由反应腔室主体、第一盖板和第二盖板限定的反应腔室；其中，所述红外发射器、所述红外反射传感器和所述红外透射传感器分别与所述反应腔室主体的纵向轴线之间的夹角都相等，优选地，所述夹角为30
‑
60
°
。10.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，所述第一盖板和所述第二盖板分别为高羟基石英盖板。11.一种用于半导体工件热处理的温度调控方法，其特征在于，包括步骤：将所述半导体工件置于热处理装置的反应腔室内的工件支...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文岩，李冬建，冀建民，赵亮，
申请(专利权)人：北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：