拉米夫定晶型及其制备方法技术

本发明专利技术涉及拉米夫定晶型及其制备方法，本发明专利技术的拉米夫定Ⅲ晶型，使用Ｃｕ－Ｋａ辐射，以２θ角度表示的Ｘ－射线粉末衍射在９．５±０．２、１０．３±０．２、１１．１４±０．２、１３．０８±０．２有特征峰，本发明专利技术的拉米夫定Ⅳ晶型，使用Ｃｕ－Ｋａ辐射，以２θ角度表示的Ｘ－射线粉末衍射在９．７±０．２、１０．０２±０．２、１１．２４±０．２、１１．５２±０．２、１２．８０±０．２、１３．１０±０．２有特征峰。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
拉米夫定晶型，其特征在于，为拉米夫定Ⅲ晶型，或者拉米夫定Ⅳ晶型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国华，康惠燕，
申请(专利权)人：福建广生堂药业有限公司，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]