提供一种显示装置及该显示装置的制造方法。根据一实施例的显示装置，包括：多个像素电极，在第一基板上彼此隔开而布置；多个发光元件，布置于所述多个像素电极上，且包括第一半导体层；半导体图案，布置于所述第一半导体层上；以及公共电极层，布置于所述半导体图案上，所述显示装置，还包括：空隙，布置于所述第一半导体层、所述半导体图案以及所述公共电极层之间。间。间。
【技术实现步骤摘要】
显示装置及该显示装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法。
技术介绍
[0002]随着多媒体的发展，显示装置的重要性正在增加。为适应于此，正在使用诸如有机发光显示装置(OLED：Organic Light Emitting Display)、液晶显示装置(LCD：Liquid Crystal Display)等多种显示装置。
[0003]作为显示显示装置的图像的装置，有包含发光元件的自发光显示装置。自发光显示装置包括将有机物用作发光物质的有机发光显示装置或将无机物用作发光物质的无机发光显示装置等。
技术实现思路
[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种长波波长带的发光元件在生长时缺陷得到改善的显示装置。
[0005]本专利技术所要解决的另一技术问题在于提供一种长波波长带的发光元件在生长时缺陷得到改善的显示装置的制造方法。
[0006]本专利技术的技术问题并不局限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以通过下面的记载明确理解未提及的其他技术问题。
[0007]根据用于解决上述技术问题的一实施例的显示装置，包括：多个像素电极，在第一基板上彼此隔开而布置；多个发光元件，布置于所述多个像素电极上，且包括第一半导体层；半导体图案，布置于所述第一半导体层上；以及公共电极层，布置于所述半导体图案上，并且所述显示装置还包括布置于所述第一半导体层、所述半导体图案以及所述公共电极层之间的空隙。
[0008]所述第一半导体层可以包括与所述半导体图案不同的物质。
[0009]所述半导体图案的晶格常数可以大于所述第一半导体层的晶格常数。
[0010]所述第一半导体层和所述半导体图案可以掺杂有n型掺杂剂。
[0011]所述多个发光元件中的每一个可以包括所述第一半导体层、与所述像素电极连接的第二半导体层以及布置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层。
[0012]所述半导体图案可以包括与所述活性层相同的物质。
[0013]所述第一半导体层和所述公共电极层可以沿所述第一基板的厚度方向彼此隔开，且彼此电连接。
[0014]所述半导体图案的一方向上的宽度可以小于所述第一半导体层的所述一方向上的宽度。
[0015]所述半导体图案的一方向上的宽度可以大于所述多个发光元件中的第一发光元件的所述一方向上的宽度。
[0016]所述空隙可以分别与所述第一半导体层、所述半导体图案以及所述公共电极层接
触。
[0017]所述半导体图案可以沿所述第一基板的厚度方向与所述多个发光元件中的第一发光元件重叠。
[0018]所述半导体图案可以沿所述第一基板的厚度方向与所述多个发光元件中的第二发光元件不重叠。
[0019]所述第一发光元件可以发出蓝色波长带的光，所述第二发光元件可以发出红色波长带的光。
[0020]所述空隙可以沿所述第一基板的厚度方向与所述多个发光元件中的任意一个重叠。
[0021]用于解决上述另一技术问题的根据一实施例的显示装置的制造方法，包括如下步骤：在基础基板上形成包括n型半导体的公共电极层；在所述公共电极层上形成半导体图案层及第一半导体物质层；在所述第一半导体物质层上形成绝缘层；蚀刻所述半导体图案层及所述第一半导体物质层而形成半导体图案及第一半导体层；蚀刻所述半导体图案的一部分而形成空隙；形成通过贯通所述绝缘层而暴露所述第一半导体层的多个孔；以及在所述多个孔内形成包括活性层及p型半导体的第二半导体层。
[0022]在蚀刻所述半导体图案的一部分而形成空隙的步骤中，可以暴露所述第一半导体层及所述公共电极层。
[0023]所述显示装置可以包括具有所述第一半导体层、所述活性层以及所述第二半导体层的多个发光元件，所述多个发光元件可以依次形成蓝色发光元件、绿色发光元件以及红色发光元件。
[0024]所述半导体图案的晶格常数可以大于所述第一半导体层的晶格常数。
[0025]用于解决所述另一技术问题的根据另一实施例的显示装置的制造方法，可以包括如下步骤：在基础基板上形成包括n型半导体的公共电极层；在所述公共电极层上形成半导体图案层及第一半导体物质层；蚀刻所述半导体图案层及所述第一半导体物质层而形成半导体图案及第一半导体层；蚀刻所述半导体图案的一部分而形成空隙；在所述第一半导体层上形成活性物质层、第二半导体物质层而形成堆叠结构体；沿垂直于所述基础基板的上表面的方向蚀刻所述堆叠结构体而形成多个孔，并形成彼此隔开的半导体棒；以及形成包围所述半导体棒的外表面的绝缘物质膜，将所述半导体棒从所述基础基板分离，以形成发光元件。
[0026]所述半导体棒中的至少一部分可以沿垂直于所述基础基板的上表面的方向与所述半导体图案重叠，剩余一部分可以与所述空隙重叠。
[0027]根据实施例的显示装置及该显示装置的制造方法，通过在半导体图案上形成发光元件的半导体层，能够缓解半导体层的应变并增加晶格常数，从而改善长波波长带的发光元件在生长时的缺陷。
[0028]根据实施例的效果不限于以上例示的内容，在本说明书中包括更加多样的效果。
附图说明
[0029]图1是根据一实施例的显示装置的平面图。
[0030]图2是示出图1的X区域的一例的平面放大图。
[0031]图3是示出图1的显示区域的另一例的平面放大图。
[0032]图4是沿图3的I
‑
I'线截取的剖面图的一例。
[0033]图5是沿图3的I
‑
I'线截取的剖面图的另一例。
[0034]图6是示出根据一实施例的显示装置的基础基板及双重半导体层的制造方法的顺序图。
[0035]图7是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的顺序图。
[0036]图8至图22是依次示出根据一实施例的显示装置的制造工艺的剖面图。
[0037]图23是示出根据另一实施例的显示装置的一像素的平面图。
[0038]图24是沿图23的E1
‑
E1'线截取的剖面图。
[0039]图25是沿图23的E2
‑
E2'线截取的剖面图。
[0040]图26是根据图23的实施例的发光元件的示意图。
[0041]图27是示出根据另一实施例的显示装置的制造方法的顺序图。
[0042]图28至图36是依次示出根据另一实施例的显示装置的制造工艺的剖面图。
[0043]附图标记说明
[0044]1：显示装置
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10：显示面板
[0045]100：半导体电路板
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200：显示基板
[0046]AE：像素电极
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ED：发光元件
[0047]31：第一半导体层
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：多个像素电极，在第一基板上彼此隔开而布置；多个发光元件，布置于所述多个像素电极上，且包括第一半导体层；半导体图案，布置于所述第一半导体层上；以及公共电极层，布置于所述半导体图案上，所述显示装置还包括布置于所述第一半导体层、所述半导体图案以及所述公共电极层之间的空隙。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括与所述半导体图案不同的物质。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述半导体图案的晶格常数大于所述第一半导体层的晶格常数。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述半导体图案掺杂有n型掺杂剂。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每一个包括所述第一半导体层、与所述像素电极连接的第二半导体层以及布置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述半导体图案包括与所述活性层相同的物质。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述公共电极层沿所述第一基板的厚度方向彼此隔开，且彼此电连接。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体图案的一方向上的宽度小于所述第一半导体层的所述一方向上的宽度。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述半导体图案的一方向上的宽度大于所述多个发光元件中的第一发光元件的所述一方向上的宽度。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述空隙分别与所述第一半导体层、所述半导体图案以及所述公共电极层接触。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体图案沿所述第一基板的厚度方向与所述多个发光元件中的第一发光元件重叠。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述半导体图案沿所述第一基板的厚度方向与所述多个发光元件中的第二发光元件不重叠。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一发光元件发出蓝色波长带的光，所述第二发光元件发出红色波长带的光。14.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋荣振，金相助，金鎭完，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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