信号的逻辑处理方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本公开实施例公开了一种信号的逻辑处理方法、装置、电子设备和存储介质，其中，方法包括：通过复位信号导通逻辑电路中的一个场效应晶体管，对所述逻辑电路进行复位，使逻辑电路的输出端恢复为第一状态；其中，所述逻辑电路包括多个场效应晶体管；所述第一状态为高电平状态或低电平状态；通过所述逻辑电路的至少两个输入端分别接收待运算的至少两个输入信号；对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输入信号的信号状态确定逻辑处理结果；通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的目标状态；本公开实施例极大简化了电路结构，便于在数据产生或存储端进行预处理编码等计算。于在数据产生或存储端进行预处理编码等计算。于在数据产生或存储端进行预处理编码等计算。

【技术实现步骤摘要】
信号的逻辑处理方法、装置、电子设备和存储介质


[0001]本公开涉及数字电路技术，尤其是一种信号的逻辑处理方法、装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在数字电路中，所谓“门”就是只能实现基本逻辑关系的电路。最基本的逻辑关系是与、或、非，最基本的逻辑门是与门、或门和非门。逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例提供了一种信号的逻辑处理方法、装置、电子设备和存储介质。
[0004]根据本公开实施例的一个方面，提供了一种信号的逻辑处理方法，包括：通过复位信号导通逻辑电路中的一个场效应晶体管，对所述逻辑电路进行复位，使逻辑电路的输出端恢复为第一状态；其中，所述逻辑电路包括多个场效应晶体管；所述第一状态为高电平状态或低电平状态；通过所述逻辑电路的至少两个输入端分别接收待运算的至少两个输入信号；对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信号的逻辑处理方法，其特征在于，包括：通过复位信号导通逻辑电路中的一个场效应晶体管，对所述逻辑电路进行复位，使逻辑电路的输出端恢复为第一状态；其中，所述逻辑电路包括多个场效应晶体管；所述第一状态为高电平状态或低电平状态；通过所述逻辑电路的至少两个输入端分别接收待运算的至少两个输入信号；对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输入信号的信号状态确定逻辑处理结果；通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的目标状态。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述逻辑电路为第一逻辑电路，所述第一逻辑电路包括两个场效应晶体管；以所述两个场效应晶体管中的第一场效应晶体管的栅端和漏端作为两个输入端，以所述第一场效应晶体管的源端和第二场效应晶体管的漏端作为输出端；所述第二场效应晶体管的栅极与所述复位信号连接，根据所述复位信号的控制导通或断开，所述第二场效应晶体管的源端接地或与电源连接。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一逻辑电路为与逻辑电路；所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为n型场效应晶体管；所述第一状态为低电平状态；所述第二场效应晶体管的源端接地；所述对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输入信号的信号状态确定逻辑处理结果，包括：通过所述第一场效应晶体管的栅端和漏端接收两个输入信号；响应于两个所述输入信号均为高电平时，所述第一场效应晶体管导通，确定所述逻辑处理结果为高电平；所述通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的目标状态，包括：通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的高电平状态。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一逻辑电路为或逻辑电路；所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为p型场效应晶体管；所述第一状态为高电平状态；所述第二场效应晶体管的源端与电源连接；所述对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输入信号的信号状态确定逻辑处理结果，包括：通过所述第一场效应晶体管的栅端和漏端接收两个输入信号；响应于两个所述输入信号均为低电平时，所述第一场效应晶体管导通，确定所述逻辑处理结果为低电平；所述通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的目标状态，包括：通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的低电平状态。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述逻辑电路为第二逻辑电路，所述第二逻辑电路包括三个场效应晶体管；分别以所述三个场效应晶体管中的第一场效应晶体管的栅端和第二场效应晶体管的栅端作为两个输入端，以所述第二场效应晶体管的源端和第三场效应晶体管的漏端作为输出端；
所述第一场效应晶体管的源端与所述第二场效应晶体管的漏端连接，所述第一场效应晶体管的漏端接地或与电源连接；所述第三场效应晶体管的栅极与所述复位信号连接，根据所述复位信号的控制导通或断开，所述第三场效应晶体管的源端接地或与电源连接。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二逻辑电路为与非逻辑电路；所述第一场效应晶体管、所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管为n型场效应晶体管；所述第一状态为高电平状态；所述第一场效应晶体管的漏端接地，所述第三场效应晶体管的源端与电源连接；所述对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输入信号的信号状态确定逻辑处理结果，包括：通过所述第一场效应晶体管的栅端和所述第二场效应晶体管的栅端接收两个输入信号；响应于两个所述输入信号均为高电平时，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管同时导通，确定所述逻辑处理结果为低电平；所述通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的目标状态，包括：通过所述逻辑电路的输出端输出所述逻辑处理结果对应的低电平状态。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二逻辑电路为或非逻辑电路；所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为p型场效应晶体管，所述第三场效应晶体管为n型场效应晶体管；所述第一状态为低电平状态；所述第一场效应晶体管的漏端与电源连接，所述第三场效应晶体管的源端接地；所述对至少两个所述输入信号经过至少一个所述场效应晶体管进行处理，根据所述至少两个输入信号的信号状态确定逻辑处理结果，包括：通过所述第一场效应晶体管的栅端和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘力桥，
申请(专利权)人：脉冲视觉北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：