用于到达角分析的双频带贴片天线制造技术

技术编号:38766132 阅读:45 留言:0更新日期:2023-09-10 10:39
一种双模式天线阵列(300)接收用于AoA分析的RF信令(104),并且包括基板(302)、设置在第一边处的接地平面(402)和设置在第二边处的辐射元件对(308

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于到达角分析的双频带贴片天线

技术介绍

[0001]无线系统经常采用基于接收到的射频(RF)信号分析的技术来确定一个无线设备相对于另一无线设备的定位。这种定位信息可能可用于波束成形技术,以进行设备认证或用户认证或其他安全考虑等。这样的技术通常依靠两个分析:飞行时间(ToF)分析和到达角(AoA)分析。ToF分析利用对RF信号的发射与回复RF信号的接收之间的经过时间的测量来确定发起设备与响应设备之间的距离。AoA分析估计接收到传入RF信号的方向以确定发射设备相对于接收设备的角度位置。在距离和角度位置已知的情况下,能够探知一个无线设备相对于另一无线设备的定位。
[0002]基于超宽带(UWB)的RF技术常常非常适合于在无线设备之间相对极为接近——即在个人区域网络(PAN)范围内——的无线系统中提供AoA分析时使用。UWB信令是相对高效的,因为它通常依靠相对短的持续时间的脉冲信号,并且因为在相对宽的带宽(例如,500兆赫(MHz))之上发射这种信令,所以UWB信令能够与其他无线设备共享频谱。在将UWB信令用于AoA分析的典型方法中,发射设备在相对于彼此正交极化的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种被配置成接收用于到达角AoA分析的射频RF信令的双模式天线阵列,所述天线阵列包括:基板;接地平面,所述接地平面被设置在所述基板的第一边处;以及辐射元件对,所述辐射元件对被设置在与所述第一边相对的所述基板的第二边处并且被分开了横向距离,所述对中的每个辐射元件包括:导电材料,所述导电材料被布置在修改矩形形状中,所述修改矩形形状具有在第一边处的第一槽、在与所述第一边相对的第二边处的第二槽、在第三边处的第三槽以及在与所述第三边相对的第四边处的第四槽。2.根据权利要求1所述的双模式天线阵列,其中:所述第一槽和所述第二槽各自具有深度,使得在所述第一边和所述第二边中的每一者处的所述修改矩形形状的周界的长度至少等于所接收到的RF信令中的第一频带的中心频率的半波长;和/或所述第三槽和所述第四槽各自具有深度,使得在所述第三边和所述第四边中的每一者处的所述修改矩形形状的周界的长度至少等于所接收到的RF信令中的第二频带的中心频率的半波长,所述第二频带相对于所述第一频带是正交极化的。3.根据权利要求1或2所述的双模式天线阵列,进一步包括:馈电探针,所述馈电探针被设置在所述基板的所述第二边处并且与所述辐射元件对相邻;第一微带馈电线,所述第一微带馈电线在第一端被导电地连接到所述馈电探针,而在第二端,在所述对中的第一辐射元件的第一馈电点和第二馈电点中的每一者处被导电地连接到所述第一辐射元件;和/或第二微带馈电线,所述第二微带馈电线在第一端被导电地连接到所述馈电探针,而在第二端,在所述对中的第二辐射元件的第三馈电点和第四馈电点中的每一者处被导电地连接到所述第二辐射元件,所述第三馈电点和所述第四馈电点在所述第二辐射元件上具有相应地与所述第一辐射元件的所述第一馈电点和所述第二馈电点的定位相对应的定位。4.根据权利要求3所述的双模式天线阵列,其中:所述第一微带馈电线在所述馈电探针与所述第一馈电点之间的长度大体上等于所述第二馈电线在所述馈电探针与所述第三馈电点之间的长度;和/或所述第一微带馈电线在所述馈电探针与所述第二馈电点之间的长度大体上等于所述第二馈电线在所述馈电探针与所述第四馈电点之间的长度。5.根据权利要求3或4所述的双模式天线阵列,其中,所述第一馈电点、所述第二馈电点、所述第三馈电点和所述第四馈电点具有大体上相等的阻抗。6.根据权利要求3至5中的任一项所述的双模式天线阵列,其中,所述馈电探针被设置在所述第一辐射元件与所述第二辐射元件之间。7.根据权利要求3至5中的任一项所述的双模式天线阵列,其中,所述馈电探针被设置成与所述第一辐射元件和所述第二辐射元件的共线边相邻。8.根据权利要求3至7中的任一项所述的双模式天线阵列,其中:使用导电通孔来将所述第一微带馈电线导电地耦合到所述第一馈电点和所述第二馈
电点;和/或使用导电通孔来将所述第二微带馈电线导电地耦合到所述第三馈电点和所述第四馈电点。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的双模式天线阵列,其中,所述横向距离不大于所述第一频带的所述中心频率和所述第二频带的所述中心频率中较高者的波长的一半。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的双模式天线阵列,其中:所述第一边和所述第二边中的每一者的长度小于所述第一频带的所述中心频率在所述基板的材料中的波长;和/或所述第三边和所述第四边中的每一者的长度小于所述第二频带的所述中心频率在所述基板的材料中的波长。11.根据权利要求10所述的双模式天线阵列,其中:所述第一频带的所述中心频率是6.5千兆赫(GHz);所述第二频带的所述中心频率是8GHz;所述第一边和所述第二边中的每一者的长度小于13.3毫米(mm);以及所述第三边和所述第四边中的每一者的长度小于10.8mm。12.根据权利要求1至10中的任一项所述的双模式天线阵列,其中:所述第一频带的所述中心频率是6.5千兆赫(GHz);所述第二频带的所述中心频率是8GHz;所述第一槽和所述第二槽中的每一者的深度...

【专利技术属性】
技术研发人员:塞奇金
申请(专利权)人:谷歌有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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