本发明专利技术属于湿化装置领域，公开了一种湿化装置自动控制系统，包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R4、发光二极管U5、NMOS管Q4、NMOS管Q5、电阻R2、电阻R3、NMOS管Q6、电阻R8、电阻R1、三极管Q2、三极管Q1、发光二极管U4、电阻R11、电阻R9、电阻R10、电阻R6、电阻R14、电阻R15；其中电源分别连接电阻R4一端、电阻R5的一端、运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14一端。本发明专利技术可自动实现湿化装置补水，提高了湿化效果，不需要频繁更换水箱和清洁喷头；通过电路设计缩短水泵的启动时间和工作时间，降低湿化装置的能耗。降低湿化装置的能耗。降低湿化装置的能耗。
【技术实现步骤摘要】
一种湿化装置自动控制系统及方法
[0001]本专利技术属于湿化装置
，尤其涉及一种湿化装置自动控制系统及方法。
技术介绍
[0002]湿化装置一般由水箱、水泵、喷头、管路、控制器等组成。其功能是将水喷雾或雾化，增加室内湿度，以改善室内干燥的环境。现在的湿化装置主要存在以下几个缺陷：湿化效果不佳，易出现需要频繁更换水箱和清洁喷头；容易滋生细菌和臭味，对人体健康有一定的影响；湿化区域较小，只能满足局部湿度调节，不能满足整个室内环境的湿化要求。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本专利技术提出了一种湿化装置自动控制系统及方法。
[0004]具体地，本专利技术第一方面公开的一种湿化装置自动控制系统，包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R4、发光二极管U5、NMOS管Q4、NMOS管Q5、电阻R2、电阻R3、NMOS管Q6、电阻R8、电阻R1、三极管Q2、三极管Q1、发光二极管U4、电阻R11、电阻R9、电阻R10、电阻R6、电阻R14、电阻R15；
[0005]其中电源分别连接电阻R4一端、电阻R5的一端、运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14一端；电阻R4的另一端分别连接电阻R3一端、发光二极管U5的正极、三极管Q1的集电极、NMOS管Q4的源极；NMOS管Q4的漏极连接电阻R5的另一端，栅极分别连接电阻R7的一端、NMOS管Q5的源极和探头P2；NMOS管Q4的源极还连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的基极连接电阻R2的一端；电阻R7的另一端、发光二极管U5的负极、三极管Q1的发射极接地；NMOS管Q5的栅极连接电阻R13的一端，电阻R13的另一端接地；NMOS管Q5的漏极连接运算放大器U2的输出端，运算放大器U2的同相端分别连接电阻R14的一端、电阻R15的一端、运算放大器U3的反向端、运算放大器U1的反向端；运算放大器U2的反相端连接运算放大器U3的同相端；运算放大器U3的输出端连接连接端子P3；电阻R14的另一端连接电源；电阻R15的另一端接地；运算放大器U1的同相端分别连接电阻R9一端、电阻R10一端，电阻R9的另一端连接电源，电阻R10的另一端连接探头P2；运算放大器U1的输出端连接NMOS管Q6的漏极，NMOS管Q6的栅极分别连接电阻R13的一端、NMOS管Q5的栅极、连接端子P4；NMOS管Q6的源极分别连接电阻R8一端、NMOS管Q3的栅极，电阻R8的另一端接地，NMOS管Q3的漏极分别连接电阻R5的另一端、电阻R6的一端、NMOS管Q4的漏极，NMOS管Q3的源极分别连接电阻R2的另一端、发光二极管U4的正极、电阻R1的另一端、三极管Q2的集电极；电阻R2的另一端连接三极管Q1的基极，三极管Q2的基极连接电阻R3的另一端，三极管Q2的发射极、发光二极管U4的负极分别接地。
[0006]进一步地，还包括电阻R11、电阻R12，所述电阻R11的一端连接电源，另一端连接电阻R12的一端，电阻R12的另一端连接探头P1。
[0007]进一步地，还包括电阻R17、电阻R18、三极管Q8、三极管U6、电阻R16、三极管Q7、三极管U7、发光二极管LED3、三极管Q9、发光二极管U5；
[0008]电阻R17的一端分别连接电源、电阻R18的一端、三极管Q8的集电极，电阻R17的另一端连接三极管U6的集电极，三极管U6和发光二极管U4耦合封装；三极管U6的发射极分别连接电阻R16的一端、三极管Q7的基极，电阻R18的另一端连接三极管U7的集电极，三极管U7的发射极连接三极管Q7的发射极；三极管U7和发光二极管U5耦合封装；三极管Q7的集电极分别连接发光二极管LED3的正极、三极管Q9的发射极、VO1信号；三极管Q9的基极连接连接端子P4，集电极连接连接端子P3；发光二极管U4的负极、电阻R16的另一端、发光二极管U5的负极、发光二极管LED3的负极、三极管Q8的发射极分别接地；三极管Q8的基极连接连接端子P4。
[0009]进一步地，VO1是水泵信号，连接补液泵或补液阀门。
[0010]进一步地，还包括开关S1，S1的一端分别连接电源、电阻R1的一端、电阻R5的一端、电阻R14的一端，另一端分别连接连接端子P4、电阻R13的一端、NMOS管Q5的栅极、NMOS管Q6的栅极；开关S1跟随湿化功能的开启和关闭进行断开和闭合。
[0011]本专利技术第二方面公开的湿化装置自动控制方法，包括以下步骤：
[0012]根据补水位置设置第一补水探头和第二补水探头；
[0013]设置第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器，
[0014]当水位超过第一补水探头，第一运算放大器控制补水；
[0015]当水位超过第二补水探头，第二运算放大器控制补水；
[0016]当水位低于第二补水探头且低于第一补水探头，第三运算放大器控制补水。
[0017]本专利技术的有益效果如下：
[0018]可自动实现湿化装置补水，提高了湿化效果，不需要频繁更换水箱和清洁喷头。
[0019]通过电路设计缩短水泵的启动时间和工作时间，降低湿化装置的能耗。
附图说明
[0020]图1本专利技术湿化装置电路原理图；
[0021]图2本专利技术湿化装置中耦合电路的原理图；
[0022]图3本专利技术湿化装置的液位示意图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明，但不以任何方式对本专利技术加以限制，基于本专利技术教导所作的任何变换或替换，均属于本专利技术的保护范围。
[0024]参考图1和图2，湿化装置自动控制系统包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R4、发光二极管U5、NMOS管Q4、NMOS管Q5、电阻R2、电阻R3、NMOS管Q6、电阻R8、电阻R1、三极管Q2、三极管Q1、发光二极管U4、电阻R11、电阻R9、电阻R10、电阻R6、电阻R14、电阻R15，其中电源分别连接电阻R4一端、电阻R5的一端、运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14一端；电阻R4的另一端分别连接电阻R3一端、发光二极管U5的正极、三极管Q1的集电极、NMOS管Q4的源极；NMOS管Q4的漏极连接电阻R5的另一端，栅极分别连接电阻R7的一端、NMOS管Q5的源极和探头P2；NMOS管Q4的源极还连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的基极连接电阻R2的一端；电阻R7的另一端、发光二极管U5的负极、三极管Q1的发射极接地；NMOS管Q5的栅极连接电阻R13的一端，电阻R13的另一端接地；NMOS管Q5的漏极连接运算
放大器U2的输出端，运算放大器U2的同相端分别连接电阻R14的一端、电阻R15的一端、运算放大器U3的反向端、运算放大器U1的反向端；运算放大器U2的反相端连接运算放大器U3的同相端；运算放大器U3的输出端连接连接端子P3；电阻R14的另一端连接电源；电阻R15的另一端接地；运算放大器U1的同相端分别连接电阻R9一端、电阻R10一端，电阻R9的另一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种湿化装置自动控制系统，其特征在于，包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R4、发光二极管U5、NMOS管Q4、NMOS管Q5、电阻R2、电阻R3、NMOS管Q6、电阻R8、电阻R1、三极管Q2、三极管Q1、发光二极管U4、电阻R11、电阻R9、电阻R10、电阻R6、电阻R14、电阻R15；其中电源分别连接电阻R4一端、电阻R5的一端、运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电阻R14一端；电阻R4的另一端分别连接电阻R3一端、发光二极管U5的正极、三极管Q1的集电极、NMOS管Q4的源极；NMOS管Q4的漏极连接电阻R5的另一端，栅极分别连接电阻R7的一端、NMOS管Q5的源极和探头P2；NMOS管Q4的源极还连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的基极连接电阻R2的一端；电阻R7的另一端、发光二极管U5的负极、三极管Q1的发射极接地；NMOS管Q5的栅极连接电阻R13的一端，电阻R13的另一端接地；NMOS管Q5的漏极连接运算放大器U2的输出端，运算放大器U2的同相端分别连接电阻R14的一端、电阻R15的一端、运算放大器U3的反向端、运算放大器U1的反向端；运算放大器U2的反相端连接运算放大器U3的同相端；运算放大器U3的输出端连接连接端子P3；电阻R14的另一端连接电源；电阻R15的另一端接地；运算放大器U1的同相端分别连接电阻R9一端、电阻R10一端，电阻R9的另一端连接电源，电阻R10的另一端连接探头P2；运算放大器U1的输出端连接NMOS管Q6的漏极，NMOS管Q6的栅极分别连接电阻R13的一端、NMOS管Q5的栅极、连接端子P4；NMOS管Q6的源极分别连接电阻R8一端、NMOS管Q3的栅极，电阻R8的另一端接地，NMOS管Q3的漏极分别连接电阻R5的另一端、电阻R6的一端、NMOS管Q4的漏极，NMOS管Q3的源极分别连接电阻R2的另一端、发光二极管U4的正极、电阻R1的另一端、三极管Q2的集电极；电阻R2的另一端连接三极管Q1的基极，三极管Q2的基极连接电阻R3的另一端，三极管Q2的发射极、发光二极管U4的负极分别接地。...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐聪能，袁再鑫，陈贤祥，郑其昌，
申请(专利权)人：湖南万脉医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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