高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法技术

技术编号:38764653 阅读:16 留言:0更新日期:2023-09-10 10:38
本发明专利技术公开了一种高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法,涉及陶瓷研磨材料技术领域。本发明专利技术通过高长径比的棒状硼化锆混合粉末复配化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好的碳化硅,经过主料预处理、化学镀覆、粘结干燥、高温烧结、涂覆膜层的步骤,得到具备光滑耐腐蚀膜层的高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质;棒状硼化锆由于高表面能在高温烧结过程中会提高致密性以增加韧性,Ni

【技术实现步骤摘要】
高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷研磨材料
,具体涉及高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法。

技术介绍

[0002]陶瓷研磨介质主要有氧化铝陶瓷球、氧化锆陶瓷球、碳化硅陶瓷球和氮化硅陶瓷球。氧化铝陶瓷研磨介质采用氧化铝粉末经过等静压成型、高温煅烧而成,硬度可以达到莫氏9级,但是质地较脆,不适合高能量密度的研磨,通常情况下只适合用在球磨机当中或者速度较慢的立式搅拌磨。氧化锆陶瓷研磨介质是由氧化锆粉末经过滴制成型或者压制成型,硬度和氧化铝相近,但是韧性要远远高于氧化铝,适合高能量密度的研磨机械类似于立式或者卧室砂磨机。
[0003]授权公告号CN107226686B的专利技术专利公开了一种矿物深加工用高强度原位增韧氧化铝研磨球及其制作方法,以氧化铝为主原料,以硅酸锆、氧化锆、氧化钇、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钾、碳酸钠为烧结助剂,按合适的配比,经球磨后喷雾干燥,获得原料粉;经滚球机成形为微球后,烧结获得高强度高韧性的氧化铝研磨球。利用硅酸锆原位分解产生的氧化锆对氧化铝进行增韧,同时通过纳米氧化铝粉体的引入,完全本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:主料预处理:将棒状硼化锆混合粉末和碳化硅粉末按照质量比6~8:1混合均匀得到预混主料,依次经过清洗除杂、敏化处理、活化处理得到预处理主料;化学镀覆:采用化学镀覆的方法,在预处理主料的外围包覆Ni

Mo

P合金粉体,得到合金包覆主料;粘结干燥:将合金包覆主料与多壁碳纳米管、粘结剂、烧结助剂按照质量比85~96:3~5:0.2~0.5:1~3混合均匀,经球磨、喷雾干燥得到研磨粉;喷雾干燥时的入口温度为140~150℃,出口温度为80~90℃;高温烧结:将研磨粉在1450~1500℃下烧结10~20小时,得到研磨介质粗品;涂覆膜层:在研磨介质粗品的外围涂覆润滑耐腐蚀膜料,50~60℃干燥24小时后形成具备光滑耐腐蚀膜层的高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质。2.根据权利要求1所述的高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法,其特征在于,所述棒状硼化锆混合粉末的制备过程包括以下步骤:步骤一,将聚碳酸酯树脂在90~100℃下干燥至恒重,再放置于化学气相渗透炉内,1700~1800℃下真空热解,粉碎,400~600rpm转速球磨20min得到热解碳粉;步骤二,将氯化锆粉体放置于坩埚内,以5~8℃/min的速率升温至900~1000℃,保温加热10min,趁热倒入20vt%的氨水溶液中,置于20℃的恒温水浴锅内,搅拌30min后减压抽滤,滤饼使用蒸馏水清洗,60℃干燥得到棒状氧化锆粉末;步骤三,将棒状氧化锆粉末与碳化硼、三氧化二硼、硼酸铝粉以及热解碳粉按照质量比7~9:1:2:3:10~12混合均匀,放入石墨坩埚中,置于化学气相渗透炉内,以10℃/min速率升温至1700~1800℃,真空保温反应1~2小时,得到棒状硼化锆混合粉末。3.根据权利要求1所述的高韧性抗屏蔽陶瓷研磨介质的制备方法,其特征在于,所述润滑耐...

【专利技术属性】
技术研发人员:孟超任永国朱振宇范孝友
申请(专利权)人:安徽致磨新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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