一种Ce掺杂ZnO纳米柱阵列及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米材料技术领域，具体涉及一种Ce掺杂ZnO纳米柱阵列及其制备方法，制备方法包括在乙酸锌和硝酸铈的水溶液中加入乙醇胺和聚乙烯吡咯烷酮，恒温搅拌、陈化，形成混合溶液；将混合溶液旋涂至基底上，以第一温度热处理，之后以第二温度退火处理形成Ce掺杂ZnO种子层，其中，第二温度大于第一温度；将Ce掺杂ZnO种子层和反应液水热反应，形成Ce掺杂ZnO纳米柱阵列，其中，反应液为乙酸锌、硝酸铈和六亚甲基四胺的水溶液。该方法制备工艺简单，对设备要求低，可控程度高，所得产品均匀，具有优良的透过率，在能源、环保行业具有广泛的应用。环保行业具有广泛的应用。环保行业具有广泛的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种Ce掺杂ZnO纳米柱阵列及其制备方法


[0001]本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种Ce掺杂ZnO纳米柱阵列及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着光电子产业的日益发展，透明导电氧化物(TCO)薄膜作为透明电极材料在电致发光器件、太阳能电池、透明薄膜晶体管以及平板显示中广泛的应用，已经成为当前研究的热点。氧化铟锡(ITO)作为商业最为普遍使用的透明导电薄膜，尽管其具有高导电性和高透射率的光学性能，但是其昂贵的原材料和地球上较少的资源限制了其未来的应用。同时，光电子技术的不断发展对柔性显示中的透明电极的性能提出了更高的要求。上述情况引起了人们对ITO替代物研究的关注和重视。作为一种宽带隙半导体金属氧化物，ZnO薄膜由于原材料廉价和储量丰富，无毒害，易于弯折可用于柔性衬底，并且具有通过掺杂实现高透射率和低电阻的特性，是一种很有前途的TCO薄膜材料。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的首要技术问题是提供一种工艺简单、成本低的Ce掺杂ZnO纳米柱阵列及其制备方法。
[0004]为了解决上述技术问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ce掺杂ZnO纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在乙酸锌和硝酸铈的水溶液中加入乙醇胺和聚乙烯吡咯烷酮，恒温搅拌、陈化，形成混合溶液；将所述混合溶液旋涂至基底上，以第一温度热处理，之后以第二温度退火处理形成Ce掺杂ZnO种子层，其中，所述第二温度大于所述第一温度；将所述Ce掺杂ZnO种子层和反应液水热反应，形成Ce掺杂ZnO纳米柱阵列，其中，所述反应液为乙酸锌、硝酸铈和六亚甲基四胺的水溶液。2.如权利要求1所述的Ce掺杂ZnO纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述以第一温度热处理的所述第一温度为270
‑
350℃，热处理时间为5
‑
10min；以所述第一温度热处理的次数为3
‑
5次。3.如权利要求1所述的Ce掺杂ZnO纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述以第二温度退火处理中的所述第二温度为450
‑
550℃；退火的时间为60
‑
90分钟。4.如权利要求1所述的Ce掺杂ZnO纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为90
‑
110℃；水热反应的时间为90
‑
120min。5.如权利要求1所述的Ce掺杂ZnO纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，所述乙酸锌和硝酸铈的水溶液中...

【专利技术属性】
技术研发人员：时艺玮，章鹏杰，曹军，郑莹莹，王晶晶，潘佳奇，李超荣，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：