一种发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置，包括：基板，所述基板包括发光区和设置于所述发光区至少一侧的非发光区；所述发光区包括依次层叠设置于所述基板一侧的第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述有机材料层邻近所述基板的一侧；所述非发光区包括电击穿薄弱区，所述电击穿薄弱区包括设置于基板表面的导电结构，所述导电结构与所述第一电极层设置于所述基板的同一侧，所述有机材料层中的至少部分膜层覆盖所述电击穿薄弱区的所述导电结构。本发明专利技术实施例可以在不增加发光装置的制备难度的同时，避免外部物体对发光装置放电损伤发光装置。伤发光装置。伤发光装置。

【技术实现步骤摘要】
一种发光装置


[0001]本专利技术涉及有机发光
，尤其涉及一种发光装置。

技术介绍

[0002]OLED发光装置在制作和使用过程中容易产生黑点和亮点等问题，其中一个重要的原因是人体或设备对OLED放电，击穿电场作用于屏体内部，对屏体产生损伤，造成黑点或亮点，降低器件的可靠性和发光装置寿命。
[0003]由于目前OLED屏体为追求点亮效果的多样性和信息的交互性，通常会进行多分区屏体设计，一般的设计为将基板上电极进行图案化，然后通过电极引线连接至封装外的电极绑定区，为提高屏体开口率，通常将电极引线设计的较为窄小。如此设计使人体或设备对OLED发光装置放电的过程中，击穿电场极易击穿电极引线，造成短路或断路，形成失效。
[0004]目前常用的方法为在外部电路中增加防护电路或在OLED器件中增加压敏电路的方式，但这些办法均会增大发光装置的制备难度。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种发光装置，以在不增加发光装置的制备难度的同时，避免外部物体对发光装置放电损伤发光装置。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供了一种发光装置，包括：
[0007]基板，所述基板包括发光区和设置于所述发光区至少一侧的非发光区；
[0008]所述发光区包括依次层叠设置于所述基板一侧的第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述有机材料层邻近所述基板的一侧；
[0009]所述非发光区包括电击穿薄弱区，所述电击穿薄弱区包括设置于基板表面的导电结构，所述导电结构与所述第一电极层设置于所述基板的同一侧，所述有机材料层中的至少部分膜层覆盖所述电击穿薄弱区的所述导电结构。
[0010]可选的，所述有机材料层中覆盖所述导电结构的膜层的总厚度大于或等于10nm。
[0011]可选的，所述有机材料层包括依次层叠设置的第一有机功能层、有机发光层和第二有机功能层，所述第一有机功能层设置于所述有机发光层邻近所述第一电极层的一侧；所述第一有机功能层包括第一载流子注入层、第一载流子传输层和第二载流子阻挡层中的至少一层；所述第二有机功能层包括第二载流子注入层、第二载流子传输层和第一载流子阻挡层中的至少一层；
[0012]所述第一载流子注入层、所述第一载流子传输层、所述第二载流子阻挡层、所述第一有机功能层、所述有机发光层、所述第二载流子注入层、所述第二载流子传输层和所述第一载流子阻挡层中的至少一层覆盖所述导电结构。
[0013]可选的，所述第一电极层包括至少两个电极块；每一发光区包括一所述电极块；
[0014]所述非发光区包括至少两条电极引线，所述电极引线与所述电极块一一对应电连接；
[0015]所述电极引线包括第一引线段，所述第一引线段的线宽小于预设值；
[0016]所述导电结构包括所述第一引线段的预设区域，其中，所述预设区域为所述第一引线段被所述第二电极层在所述基板的垂直投影覆盖的区域。
[0017]可选的，所述预设值小于或等于50微米。
[0018]可选的，所述电极引线还包括第二引线段，所述第二引线段的线宽大于所述第一引线段的线宽，所述非发光区还包括第二电极搭接引脚；所述第二电极搭接引脚和所述第二引线段设置于所述第一引线段远离所述发光区的一侧；
[0019]所述第二电极层包括主体区和搭接区，所述主体区与所述搭接区电连接，所述主体区由所述发光区延伸至所述第一引线段的预设区域邻近所述第二引线段的一端，所述搭接区覆盖所述第二电极搭接引脚；或者，所述第二电极层整体由所述发光区延伸至第二电极搭接引脚远离所述发光区的边界，所述第二电极层覆盖所述第二电极搭接区和至少部分第二引线段，被所述第二电极层覆盖的第二引线段包括放电尖端。
[0020]可选的，所述第二电极搭接引脚设置于所述第二引线段所在区域的一侧或两侧，且所述第二电极搭接引脚与所述第一引线段相邻设置，或者所述第二电极搭接引脚设置于与所述发光区之间不具有电极引线的区域，或者，所述第二电极搭接引脚设置于与所述发光区之间电极引线的线宽大于预设值的区域。
[0021]可选的，被所述第二电极层覆盖的第二引线段沿宽度方向包括主体部和位于主体部至少一侧的放电部，所述主体部和放电部电连接；
[0022]所述放电部具有至少一个放电尖端，所述放电尖端的尖端朝向所述第二引线段远离所述基板的一侧。
[0023]可选的，所述有机材料层由所述发光区延伸至所述电击穿薄弱区，在所述发光区的同一边界处，所述有机材料层的边界相对于所述电击穿薄弱区的预设边界更远离所述发光区的边界，其中，所述预设边界为所述电击穿薄弱区远离所述发光区的边界。
[0024]可选的，所述第二电极层和所述有机材料层在所述基板的垂直投影覆盖所述发光区，且在所述发光区的同一边界处，所述有机材料层的边界在非所述第二电极搭接区相对于所述第二电极层的边界更远离所述发光区的边界。
[0025]可选的，所述非发光区还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述电极引线。
[0026]可选的，所述非发光区还包括绑定引脚，所述绑定引脚设置于所述第二引线段远离所述发光区的一侧，每一所述第二引线段一端与一个所述绑定引脚电连接，另一端与所述第一引线段电连接。
[0027]本专利技术实施例通过设置有机材料层中的至少部分膜层覆盖电击穿薄弱区的导电结构，有机材料层可以对击穿电场起到一定的减弱作用，避免击穿电场过强导致击穿电击穿薄弱区的导电结构，避免外部物体对发光装置放电损伤发光装置，由于本专利技术实施例仅增大了有机材料层的覆盖范围，因此不会增加发光装置的制备难度。
[0028]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本专利技术实施例提供的一种发光装置的平面示意图；
[0031]图2是图1中发光装置沿剖面线AA的剖面示意图；
[0032]图3是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的剖面示意图；
[0033]图4是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的平面图；
[0034]图5是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的平面图；
[0035]图6是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的平面图；
[0036]图7是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的平面图；
[0037]图8是图7中发光装置沿剖面线BB的剖面图；
[0038]图9是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的平面图；
[0039]图10是本专利技术实施例提供的又一种发光装置的平面图；
[0040]图11是本专利技术实施例提供的又一种发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括发光区和设置于所述发光区至少一侧的非发光区；所述发光区包括依次层叠设置于所述基板一侧的第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述有机材料层邻近所述基板的一侧；所述非发光区包括电击穿薄弱区，所述电击穿薄弱区包括设置于基板表面的导电结构，所述导电结构与所述第一电极层设置于所述基板的同一侧，所述有机材料层中的至少部分膜层覆盖所述电击穿薄弱区的所述导电结构。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述有机材料层中覆盖所述导电结构的膜层的总厚度大于或等于10nm。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述有机材料层包括依次层叠设置的第一有机功能层、有机发光层和第二有机功能层，所述第一有机功能层设置于所述有机发光层邻近所述第一电极层的一侧；所述第一有机功能层包括第一载流子注入层、第一载流子传输层和第二载流子阻挡层中的至少一层；所述第二有机功能层包括第二载流子注入层、第二载流子传输层和第一载流子阻挡层中的至少一层；所述第一载流子注入层、所述第一载流子传输层、所述第二载流子阻挡层、所述第一有机功能层、所述有机发光层、所述第二载流子注入层、所述第二载流子传输层和所述第一载流子阻挡层中的至少一层覆盖所述导电结构。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述第一电极层包括至少两个电极块；每一发光区包括一所述电极块；所述非发光区包括至少两条电极引线，所述电极引线与所述电极块一一对应电连接；所述电极引线包括第一引线段，所述第一引线段的线宽小于预设值；所述导电结构包括所述第一引线段的预设区域，其中，所述预设区域为所述第一引线段被所述第二电极层在所述基板的垂直投影覆盖的区域。5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：所述预设值小于或等于50微米。6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：所述电极引线还包括第二引线段，所述第二引线段的线宽大于所述第一引线段的线宽，所述非发光区还包括第二电极搭接引脚；所述第二电极搭接...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭立雪，朱映光，张国辉，胡永岚，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：