一种阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:38755296 阅读:9 留言:0更新日期:2023-09-10 09:40
本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,该阵列基板包括:阵列排布多个像素;像素包括显示像素和防窥像素;显示像素包括像素电极和第一公共电极;防窥像素包括防窥电极和第二公共电极;其中,所述第一公共电极与所述第二公共电极相互绝缘。本发明专利技术的技术方案,通过使第一公共电极和第二公共电极相互绝缘,能够防止第二公共电极上的信号影响第一公共电极上的信号,从而能够提高显示像素的显示准确性,进而有利于提高显示面板的显示效果。进而有利于提高显示面板的显示效果。进而有利于提高显示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展,具有显示功能的电子设备已成为人们工作和日常生活不可或缺的设备,且人们对具有显示功能的电子设备的要求越来越高,例如,在使用具有显示功能的电子设备时,希望该具有显示功能的电子设备能够使用户的隐私的得到有效保护。
[0003]目前,具有防窥功能的显示设备中通常存在显示像素和防窥像素,显示像素和防窥像素分别在不同信号的控制下使得显示设备实现显示的同时,兼具有防窥功能。但是,由于显示像素和防窥像素采用不同的信号进行控制,使得在显示设备进行显示时,显示像素与防窥像素之间相互影响,从而出现显示不均的现象。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中的缺陷,本专利技术提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置,能够防止各显示像素和防窥像素之间相互影响,有利于显示效果的提高。
[0005]根据本专利技术的一方面,提供了一种阵列基板,包括:阵列排布多个像素;所述像素包括显示像素和防窥像素;
[0006]所述显示像素包括像素电极和第一公共电极;所述防窥像素包括防窥电极和第二公共电极;
[0007]其中,所述第一公共电极与所述第二公共电极相互绝缘。
[0008]根据本专利技术的另一方面,提供了一种显示面板,包括:对置基板、上述阵列基板、以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。
[0009]根据本专利技术的又一方面,提供了一种显示装置,包括:上述显示面板。
[0010]本专利技术的技术方案,通过设置阵列排布的多个像素,且该像素包括显示像素和防窥像素,以采用显示像素进行显示发光,呈现出相应的显示画面,以及采用防窥像素限制透光显示像素的光线的角度,实现防窥功能;同时,显示像素包括像素电极和第一公共电极,防窥像素包括防窥电极和第二公共电极,且第一公共电极与第二公共电极相互绝缘,在因防窥像素中防窥电极上的电信号发生变化,而使得第二公共电极上的电信号发生瞬时跳变时,该第二公共电极上的电信号不会传输至第一公共电极,从而不会影响第一公共电极上的电信号,有利于第一公共电极与像素电极所产生的电场的准确性,能够保证显示像素透过的光线的准确性,进而有利于显示效果的提高。
[0011]应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是现有技术的一种阵列基板的局部俯视结构示意图;
[0014]图2是沿图1中A
′‑
A

截面的一种膜层结构示意图;
[0015]图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
[0016]图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的局部俯视结构示意图;
[0017]图5是沿图4中A

A截面的一种膜层结构示意图;
[0018]图6是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图;
[0019]图7是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部俯视结构示意图;
[0020]图8是沿图7中B

B截面的一种膜层结构示意图;
[0021]图9是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部俯视结构示意图;
[0022]图10是沿图9中C

C截面的一种膜层结构示意图;
[0023]图11是沿图9中D

D截面的一种膜层结构示意图;
[0024]图12是沿图9中D

D截面的另一种膜层结构示意图;
[0025]图13是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意;
[0026]图14是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部俯视结构示意图;
[0027]图15是本专利技术实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图;
[0028]图16是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0029]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本专利技术保护的范围。
[0030]需要说明的是,本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0031]正如
技术介绍
所述,在具有防窥功能的显示设备进行画面显示时,显示像素与防窥像素之间相互影响,从而影响显示设备的显示准确性。示例性的,图1是现有技术的一种阵列基板的局部俯视结构示意图,图2是沿图1中A
′‑
A

截面的一种膜层结构示意图,结合参考图1和图2所示,现有技术的阵列基板001中包括像素电极011、公共电极012和防窥电极021,像素电极011与公共电极012组成显示像素010,防窥电极021与公共电极012组成防窥像素020,通过控制像素电极011、公共电极012和防窥电极013上的信号,能够实现防窥的显
示模式。
[0032]其中,在防窥的显示模式下,像素电极011接收数据信号,公共电极012接收公共信号,防窥电极021接收高电平的防窥信号,此时,像素电极011与公共电极012之间产生的电场能够控制显示发光的亮度,使得显示像素010显示相应的内容,而防窥电极021与公共电极012之间产生的电场能够限制显示像素010进行显示发光时的出光角度,使得防窥像素020起到防窥的作用。而在除防窥的显示模式外的其它模式下,防窥电极021接收的防窥信号会保持为低电平。
[0033]但是,在显示模式由其它模式向防窥的显示模式进行转换时,防窥电极013上接收的信号会由低电平向高电平转换,即防窥电极013上的电位会发生跳变,且因公共电极012所接收的公共信号通常为低电平的信号,使得在防窥电极013上的电位发生跳变时,公共电极012本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:阵列排布多个像素;所述像素包括显示像素和防窥像素;所述显示像素包括像素电极和第一公共电极;所述防窥像素包括防窥电极和第二公共电极;其中,所述第一公共电极与所述第二公共电极相互绝缘。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:衬底基板;位于所述衬底基板一侧的公共电极层;所述公共电极层包括所述第一公共电极和所述第二公共电极。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述公共电极层背离所述衬底基板一侧的像素电极层;所述像素电极层与所述公共电极层绝缘间隔;所述像素电极层包括所述像素电极和所述防窥电极。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,相邻的所述第一公共电极与所述第二公共电极之间具有第一间隙;所述第一间隙的尺寸为d1;相邻的所述像素电极与所述防窥电极之间具有第二间隙;所述第二间隙的尺寸为d2;其中,0μm<d1≤d2。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿第一方向依次排列的至少部分所述防窥像素共用所述第二公共电极;以及,沿所述第一方向依次排列的至少部分所述显示像素共用所述第一公共电极;其中,所述第一方向为所述像素的行方向。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述防窥像素和所述显示像素均位于所述显示区;所述非显示区包括至少一条第一信号线和至少一条第二信号线;所述第一信号线和所述第二信号线均用于传输公共信号;各所述第一公共电极与所述第一信号线电连接;各所述第二公共电极与所述第二信号线电连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括:衬底基板;位于所述衬底基板一侧的公共电极层;所述公共电极层包括所述第一公共电极和所述第二公共电极;所述第一公共电极与所述第二公共电极之间具有间隙;位于所述公共电极层与所述衬底基板之间且绝缘间隔的第一金属层和第二金属层;所述第一金属层包括所述第一信号线;所述第二金...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈小明陈榕王宏煜
申请(专利权)人:厦门天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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