电子装置制造方法及图纸

本揭露提供一种电子装置包括发光单元以及电压比较器。电压比较器耦接发光单元，并且用以接收第一电压以及第二电压。当第一电压大于第二电压时，电压比较器输出具有第一电压电平的比较信号，以使发光单元开启。当第一电压小于第二电压时，电压比较器输出具有第二电压电平的比较信号，以使发光单元关闭。本揭露的电子装置可对发光单元进行有效的驱动。电子装置可对发光单元进行有效的驱动。电子装置可对发光单元进行有效的驱动。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本揭露涉及一种装置，特别是一种具有发光单元的电子装置。

技术介绍

[0002]目前传统用于显示的发光单元大多是以主动式阵列(active
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matrix，AM)脉冲振幅调变(Pulse
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amplitude modulation，PAM)的方式来驱动之。并且，传统驱动方式通常具有显示数据的数据量过大、在调整亮度的过程中容易发生数据遗失以及由摄影机拍摄发光单元的拍摄画面出现水波纹的问题。

技术实现思路

[0003]本揭露是针对一种电子装置，并且可对发光单元进行有效的驱动。
[0004]根据本揭露的实施例，电子装置包括发光单元以及电压比较器。电压比较器耦接发光单元，并且用以接收第一电压以及第二电压。当第一电压大于第二电压时，电压比较器输出具有第一电压电平的比较信号，以使发光单元开启。当第一电压小于第二电压时，电压比较器输出具有第二电压电平的比较信号，以使发光单元关闭。
[0005]基于上述，本揭露的电子装置可实现随机类型(random type)主动式阵列(active
‑
matrix，AM)的发光单元驱动。
[0006]通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出显示设备的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
附图说明
[0007]图1是本揭露的一些实施例的电子装置的电路示意图；
[0008]图2是本揭露的一些实施例的像素的像素电路示意图；
[0009]图3是本揭露的一些实施例的电子装置的驱动时序图；
[0010]图4是本揭露的一些实施例的电压值
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亮度比例关系曲线的示意图；
[0011]图5是本揭露的一些实施例的电压值
‑
亮度比例关系曲线的示意图。
[0012]附图标记说明
[0013]100：电子装置；
[0014]110：像素阵列；
[0015]120：数据驱动器；
[0016]130：扫描驱动器；
[0017]210：电压比较器；
[0018]220：发光单元；
[0019]P(1,1)～P(n,m)、200：像素；
display)、封装装置、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。天线装置可例如是液晶天线、可变电容天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。封装装置可为适用于晶圆级封装(Wafer
‑
Level Package,WLP)技术或面板级封装(Panel
‑
Level Package,WLP)技术，例如晶片先装(chip first)制程或晶片后装(RDL first)制程的封装装置。需注意的是，电子装置可为前述之任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可包括电子元件。电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、
…
等周边系统以支援显示装置、天线装置、穿戴式装置(例如包括增强现实或虚拟实境)、车载装置(例如包括汽车挡风玻璃)或拼接装置。
[0039]图1是本揭露的一些实施例的电子装置的电路示意图。参考图1，电子装置100包括像素阵列110、数据驱动器120以及扫描驱动器130。像素阵列110包括多个像素P(1,1)～P(n,m)，其中m与n分别为正整数。数据驱动器120通过多个数据信号线DL_1～DL_n耦接像素阵列110的多个列(column)的多个像素P(1,1)～P(n,m)。扫描驱动器130通过多个第一扫描信号线SLa_1～SLa_m以及第二扫描信号线SLb耦接像素阵列110的多个行(row)的多个像素P(1,1)～P(n,m)。
[0040]在本实施例中，数据驱动器120可分时提供第一电压以及第二电压的数据信号Ds_1～Ds_n至多个数据信号线DL_1～DL_n。扫描驱动器130可提供第一扫描信号Sa_1～Sa_m至多个第一扫描信号线SLa_1～SLa_m，并且提供第二扫描信号Sb至多个第二扫描信号线SLb。在本实施例中，像素P(1,1)～P(n,m)的每一行可根据第一扫描信号Sa_1～Sa_m在不同时间开启，以在不同时间分别取得具有第一电压的数据信号Ds_1～Ds_n，其中像素P(1,1)～P(n,m)的每一行可取得相同或不相同的第一电压的数据信号。在本实施例中，像素P(1,1)～P(n,m)的每一行可根据第二扫描信号Sb在相同时间开启，以同时取得具有第二电压的数据信号。
[0041]图2是本揭露的一些实施例的像素的像素电路示意图。参考图2，图1实施例的像素P(1,1)～P(n,m)的每一个可实现如图2所示的像素电路架构。在本实施例中，像素200包括电压比较器210、发光单元220、第一扫描晶体管T1、第二扫描晶体管T2以及存储电容C1、C2。电压比较器210的输出端耦接发光单元220。第一扫描晶体管T1的第一端耦接数据信号线DL。第一扫描晶体管T1的第二端耦接电压比较器210的第一输入端。第一扫描晶体管T1的控制端耦接第一扫描信号线SLa。第二扫描晶体管T2的第一端耦接数据信号线DL。第二扫描晶体管T2的第二端耦接电压比较器210的第二输入端。第二扫描晶体管T2的控制端耦接第二扫描信号线SLb。存储电容C1的第一端耦接扫描晶体管T1的第二端。存储电容C1的第二端耦接接地电压。存储电容C2的第一端耦接第二扫描晶体管T2的第二端。存储电容C2的第二端耦接接地电压。在本实施例中，第一扫描晶体管T1以及第二扫描晶体管T2可分别为N型晶体管(例如N型金属氧化物半导体(N
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Metal
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Oxide
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Semiconductor，NMOS)晶体管)，但本揭露并不限于此。
[0042]在本实施例中，当第一扫描晶体管T1根据第一扫描信号线SLa提供的第一扫描信号Sa而导通时，数据信号线DL可提供具有第一电压V1的数据信号Ds至扫描晶体管T1的第一端，以通过扫描晶体管T1将第一电压V1存储至存储电容C1。接着，当扫描晶体管T2根据第二扫描信号线SLb提供的第二扫描信号Sb而导通时，数据信号线DL可提供具有第二电压V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：发光单元；以及电压比较器，耦接所述发光单元，并且用以接收第一电压以及第二电压，其中当所述第一电压大于所述第二电压时，所述电压比较器输出具有第一电压电平的比较信号，以使所述发光单元开启，其中当所述第一电压小于所述第二电压时，所述电压比较器输出具有第二电压电平的比较信号，以使所述发光单元关闭。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电压逐帧更新，并且所述第二电压随着垂直时钟信号更新。3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二电压的电压值为随机值。4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述发光单元为开启或关闭是根据所述第二电压的电压值来决定。5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述发光单元的亮度比例符合下式：其中B％为所述亮度比例，L_on为所述发光单元在一个帧的期间中被开启的次数，L_off为所述发光单元在一个帧的期间中被关闭的次数，DR％为垂直时钟信号的占空比。6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：多个像素，个别包括所述发光单元以及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：石明家，曾名骏，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：