穿透式游离腔的温度测量方法技术

本公开涉及穿透式游离腔的温度测量方法，其利用两个不同的一第一温度感测元件以及一第二温度感测元件的数据拟合得到一线性回归公式，如此一来，在进行穿透式游离腔测量辐射剂量时，即便利用温度对电阻的线性关系较差的温度感测元件进行温度测量，仍可通过该线性回归公式得到较精准的温度测量。归公式得到较精准的温度测量。归公式得到较精准的温度测量。

【技术实现步骤摘要】
穿透式游离腔的温度测量方法


[0001]本专利技术是有关于一种游离腔，且特别关于一种穿透式游离腔的温度测量方法。

技术介绍

[0002]游离腔(ionization chamber)(或称游离检测器(ionization detector))是一种辐射剂量的测量及输出校正装置，应用于例如X光机、钴60治疗机、直线加速器以及其他辐射或放射治疗设备，以了解输出是否正常。
[0003]基于测量准确性的考量，在操作时必须精准测量腔室内的温度，因此会在腔室内设置温度感测器，如中国台湾专利技术专利公告第I497102号。在应用上，该温度感测器大多采用负温度系数热敏电阻(negative temperature coefficient thermistor，NTC)。然而，负温度系数热敏电阻的电阻对温度变化曲线的线性关系并不理想，故容易造成测量时的误差。因此，如何精准测量游离腔内部的温度实为本领域相关人员所关注的焦点。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的为解决现有的游离腔对于温度测量不够精准的问题。
[0005]为达上述目的，本专利技术提供一种穿透式游离腔的温度测量方法，该穿透式游离腔应用于一放射治疗设备，且包括一框架、一第一电极元件、一第二电极元件以及一离子收集电极元件，该离子收集电极元件设置于该框架的一腔室中，该第一电极元件以及该第二电极元件分别相隔地设置于该离子收集电极元件的一第一端及一第二端，该方法包括以下步骤：
[0006]步骤S1：利用一设置于该腔室的第一温度感测元件测量该腔室在不同温度时的多个温度相关的电阻而得到一第一数据，其中，该第一数据包括一第一电阻数据以及一对应至该第一电阻数据的第一温度数据；
[0007]步骤S2：利用一设置于该腔室的第二温度感测元件测量该腔室在不同温度时的多个温度相关的电阻而得到一第二数据，其中，该第二数据包括一第二电阻数据以及一对应至该第二电阻数据的第二温度数据，其中，该第一温度感测元件是一电阻温度检测器(resistance temperature detector，RTD)，该第二温度感测元件是一负温度系数热敏电阻(negative temperature coefficient thermistor，NTC)，该第一温度感测元件相较于该第二温度感测元件具有一更接近一线性的指数关系；
[0008]步骤S3：利用一线性回归模型对该第一数据以及该第二数据进行拟合计算而得到下式1：
[0009][0010]其中，a、b为系数，R
′2为对应至该第二温度感测元件测量得到的电阻，R
′1为一对应至该第一温度感测元件测量得到的电阻的值；
[0011]步骤S4：在该穿透式游离腔进行一剂量测量时，藉由该第二温度感测元件测量该腔室内的一测量电阻，并将该测量电阻代入式1的R
′2，而得到一趋近该第一温度感测元件
测量得到的电阻的值R
′1；以及
[0012]步骤S5：将R
′1代入该第一温度感测元件的一电阻对温度的关系，取得一对应至R
′1测量温度。
[0013]在一实施例中，该式1是从一第一曲线方程式及一第二曲线方程式输入该线性回归模型进行拟合计算得到，其中，该第一曲线方程式是从该第一温度感测元件测得的该第一数据得到，该第二曲线方程式是从该第二温度感测元件测得的该第二数据得到。
[0014]在一实施例中，该关系是利用步骤S1取得的该第一数据。
附图说明
[0015]『图1』是根据本专利技术一实施例的穿透式游离腔的立体组装示意图。
[0016]『图2』是根据本专利技术一实施例的穿透式游离腔的分解示意图。
[0017]『图3』是根据本专利技术一实施例的穿透式游离腔的剖面示意图。
[0018]『图4』是根据本专利技术一实施例的穿透式游离腔的剖面示意图。
[0019]『图5』是根据本专利技术一实施例的穿透式游离腔的温度测量方法步骤图。
[0020]『图6』是根据本专利技术一实施例的温度对电阻曲线图。
具体实施方式
[0021]本文所使用的术语仅是出于阐述特定示例性实施例的目的而并非旨在限制本专利技术。除非上下文清楚地另外指明，否则本文所用单数形式“一(a、an)”及“所述(the)”旨在也包括复数形式。除非上下文另外指明，否则本文所用单数形式“一”及“该”也可能包括复数形式。本文采取流程图说明根据实施例所执行的步骤，应当理解各个步骤不一定必须按照本文描述的顺序来精确地执行，相反地，该些步骤可以按照倒序或同时处理来执行。同时，也可以将其他步骤添加到过程之中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
[0022]本专利技术揭示一种穿透式游离腔的温度测量方法，穿透式游离腔是一种用于测量辐射剂量的设备，利用测量气体游离产生的电流，回推辐射的剂量，在计算剂量时，该游离腔的温度为重要的参数，其影响剂量测量的精确度。
[0023]基于举例说明本专利技术温度测量方法的目的，『图1』至『图3』显示根据本专利技术一实施例的穿透式游离腔1，该穿透式游离腔1包括一框架10、一第一电极元件20、一第二电极元件30、一离子收集电极元件40、一承载元件50、多个接头60、多个电路线70以及一温度感测元件80，该框架10定义出一腔室。当一辐射R照射于该穿透式游离腔1时，该辐射R可以将该腔室的气体游离。通过测量气体游离产生的电流，该穿透式游离腔1可以用于测量该辐射R，在一实施例中，该辐射R例如可以是一X射线，但本专利技术并不以此为限。该穿透式游离腔1可以应用于例如X光机、钴60治疗机、直线加速器等各种可能的照射装置的测量。
[0024]该框架10包括一顶盖11、一上半部12、一下半部13以及一底盖14，该上半部12以及该下半部13分别定义出一上腔室121以及一下腔室131，该上腔室121及该下腔室131共同地构成该腔室。该第一电极元件20设置于该顶盖11和该上半部12之间，该第二电极元件30设置于该下半部13和该底盖14之间，该承载元件50设置于该上半部12以及该下半部13之间，该离子收集电极元件40设置于该承载元件50上，该第一电极元件20、该第二电极元件30以及该离子收集电极元件40显示于『图3』。
[0025]该第一电极元件20以及该第二电极元件30分别相隔地设置于该离子收集电极元件40的一第一端(『图3』中该离子收集电极元件40的上方)及一第二端(『图3』中该离子收集电极元件40的下方)，该些接头60装设于该上半部12以及该下半部13之间，该些电路线70将该些接头60电性连接至该第一电极元件20以及该第二电极元件30，该温度感测元件80装设于该上半部12的一侧边，该些接头60包括一第一接头61、一第二接头62以及一第三接头63。
[0026]该温度感测元件80插设于该腔室内以测量该腔室内的一温度。该腔室内的该温度是用于校正该穿透式游离腔1的检测结果，该温度感测元件80包括固定于该框架10的一固定端81以及伸入该腔室的一测量端82，由此，该温度感测元件80可以测量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种穿透式游离腔的温度测量方法，所述穿透式游离腔应用于一放射治疗设备，且包括一框架、一第一电极元件、一第二电极元件以及一离子收集电极元件，所述离子收集电极元件设置于所述框架的一腔室中，所述第一电极元件以及所述第二电极元件分别相隔地设置于所述离子收集电极元件的一第一端及一第二端，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：利用一设置于所述腔室的第一温度感测元件测量所述腔室在不同温度时的多个温度相关的电阻而得到一第一数据，其中，所述第一数据包括一第一电阻数据以及一对应至所述第一电阻数据的第一温度数据；步骤S2：利用一设置于所述腔室的第二温度感测元件测量所述腔室在不同温度时的多个温度相关的电阻而得到一第二数据，其中，所述第二数据包括一第二电阻数据以及一对应至所述第二电阻数据的第二温度数据，其中，所述第一温度感测元件是一电阻温度检测器，所述第二温度感测元件是一负温度系数热敏电阻，所述第一温度感测元件相较于所述第二温度感测元件具有一更接近一线性的指数关系；步骤S3：利用一线性回归模型对该第一数据以及该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：高嵩岳，张新棠，吴重毅，
申请(专利权)人：千才生医股份有限公司，
类型：发明
国别省市：