【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode,OLED)显示装置具有轻薄、可视角度大、色彩艳丽、不需要背光源等优点,应用广泛。OLED显示装置包括阳极、阴极以及位于二者之间的共通层,该共通层具有较强的导电性,使电流横向传输至相邻子像素,从而导致相邻子像素偷亮,影响显示效果。
技术实现思路
[0003]本申请提供了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括基板和设置于基板的多个发光器件,显示面板还包括位于至少部分相邻发光器件之间的阻挡器件;其中,阻挡器件包括PN结,PN结的P型半导体和N型半导体沿横向布置。
[0004]本申请实施例中,PN结的P型半导体和N型半导体沿横向布置,并位于沿横向布置的第一发光器件和第二发光器件之间。位于第一发光器件和第二发光器件之间的PN结的P型半导体靠近第一发光器件,N型半导体靠近第二发光器件,该PN结能够用于阻挡电子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基板和设置于所述基板的多个发光器件,所述显示面板还包括位于至少部分相邻所述发光器件之间的阻挡器件;其中,所述阻挡器件包括PN结,所述PN结的P型半导体和N型半导体沿横向布置。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡器件包括至少两个沿横向布置的所述PN结,至少一个所述PN结的P型半导体指向N型半导体的方向为第一方向,至少一个所述PN结的P型半导体指向N型半导体的方向为第二方向,所述第一方向和所述第二方向为沿横向相反的两个方向。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡器件包括沿横向布置的第一PN结和第二PN结,所述第一PN结和所述第二PN结相互靠近的一端的掺杂类型相同。4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡器件包括沿横向布置的第一PN结、第二PN结和至少一个第三PN结,至少一个所述第三PN结沿横向位于所述第一PN结和所述第二PN结之间;所述第一PN结的P型半导体指向N型半导体的方向为第一方向,所述第二PN结的P型半导体指向N型半导体的方向为第二方向,或者,所述第一PN结的P型半导体指向N型半导体的方向与所述第二PN结的P型半导体指向N型半导体的方向均为第一方向,且至少一个所述第三PN结的P型半导体指向N型半导体的方向为第二方向。5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,相邻两个所述PN结共用N型半导体,或者,相邻两个所述PN结共用P型半导体。6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少部分所述PN结分体设置。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括阻挡电极,所述阻挡电极包括第一电极,所述第一电极用于接收正电位,以形成用于吸附电子的第一电场,和/或,所述阻挡电极包括第二电极,所述第二电极用于接收负电位,以形成用于吸附空穴的第二电场。8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述第一电极位于所述PN结的朝向所述基板的一侧,和/或,所述第二电极位于所述PN结的朝向所述基板的一侧。9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡器件至少包括沿横向布置的第一PN结和第二PN结,所述第一PN结和第二PN结位于沿横向相邻设置的第一发光器件和第二发光器件之间,且所述第一PN结靠近所述第一发光器件,所述第二PN结靠近所述第二发光器件;所述第一PN结的P型半导体靠近所述第一发光器件,所述第一PN结的P型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第一电极,所述第二PN结的P型半导体靠近所述第二发光器件,或者,所述第一PN结的N型半导体靠近所述第一发光器件,所述第一PN结的N型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第二电极,所述第二PN结的N型半导体靠近所述第二发光器件。10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡器件至少包括沿横向布置的第一PN结和第二PN结,所述第一PN结和第二PN结位于沿横向相邻设置的第一发光器件和第二发光器件之间,且所述第一PN结靠近所述第一发光器件,所述第二PN结靠近所述第二发光器件;
所述第一PN结的P型半导体靠近所述第一发光器件,所述第二PN结的P型半导体靠近所述第二发光器件,所述第二PN结的P型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第二电极,或者,所述第一PN结的N型半导体靠近所述第一发光器件,所述第二PN结的N型半导体靠近所述第二发光器件,所述第二PN结的N型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第一电极。11.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡器件至少包括沿横向布置的第一PN结和第二PN结,所述第一PN结和第二PN结位于沿横向相邻设置的第一发光器件和第二发光器件之间,且所述第一PN结靠近所述第一发光器件,所述第二PN结靠近所述第二发光器件;所述第一PN结的P型半导体靠近所述第一发光器件,所述第一PN结的P型半导体朝向所述基板的一侧设置有所述第一电极,所述第二PN结的P型半导体靠近所述第二发光器件,所述第二PN结的所述P型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第二电极;或者,所述第一PN结的N型半导体靠近所述第一发光器件,所述第一PN结的N型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第二电极,所述第二PN结的N型半导体靠近所述第二发光器件,所述第二PN结的N型半导体的朝向所述基板的一侧设置有所述第一电极,所述第一电极用于接收负电位,所述第二电极用于接收正电位。12.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:王仙翅,赵旭,
申请(专利权)人:武汉天马微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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