一种碲基阈值选通开关器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种碲基阈值选通开关器件及其制备方法，碲基阈值选通开关器件包括衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的第一电极层、异质结材料层和第二电极层；所述异质结材料层包括n+1个第一子层和n个第二子层，所述n+1个第一子层和n个第二子层交替层叠设置，所述第1个第一子层贴合所述第一电极层设置，所述第n+1个第一子层贴合所述第二电极层设置；其中，n为正整数；所述第一子层的材料包括ATe2，所述第二子层的材料包括M

【技术实现步骤摘要】
一种碲基阈值选通开关器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及选通器
，尤其涉及一种碲基阈值选通开关器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]电子信息技术的发展带来了电子产品数量的爆发式增长，相应的存储介质容量和数据传输容量也在不断增加。传统存储器速度较慢，已不适应于高速的数据传输与处理。而相变存储器作为极具潜力的存储器，具有低功耗、操作速度快、存储密度高和寿命长等特点。但相变存储器漏电流大，因此需要阈值选通开关(Ovonic Threshold Switching，OTS)器件来提高相变存储器的可靠性。
[0003]阈值选通开关器件的原理是：利用电学信号控制器件开关，当施加电压到达阈值电压(V
th
)时，阈值选通开关器件由高阻态(HRS)转变为低阻态(LRS)，开关打开，维持电压期间将持续处于开启状态；当电压低于临界保持电压(V
hold
)时，阈值选通开关器件返回到初始的高电阻状态，开关关闭，阈值选通开关器件处于关闭状态。阈值选通开关器件需具有非常高的驱动电流(I
>on
)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲基阈值选通开关器件，其特征在于，包括衬底，以及依次层叠设置在所述衬底上的第一电极层、异质结材料层和第二电极层；所述异质结材料层包括n+1个第一子层和n个第二子层，所述n+1个第一子层和n个第二子层交替层叠设置，所述第1个第一子层贴合所述第一电极层设置，所述第n+1个第一子层贴合所述第二电极层设置；其中，n为正整数；所述第一子层的材料包括ATe2，所述第二子层的材料包括M
x
Te1‑
x
，其中，A为Ti或Zr，M为C或B，0≤x≤0.5。2.根据权利要求1所述的碲基阈值选通开关器件，其特征在于，所述第一子层的材料为沿着[001]方向生长的六方相晶态ATe2。3.根据权利要求1所述的碲基阈值选通开关器件，其特征在于，所述第一子层的厚度为1～3nm。4.根据权利要求3所述的碲基阈值选通开关器件，其特征在于，所述第二子层的厚度为2～10nm。5.根据权利要求4所述的碲基阈值选通开关器件，其特征在于，所述异质结材料层的厚度小于等于50nm。6.根据权利要求5所述的碲基阈值选通开关器件，其特征在于，n的取值为1～8。7.根据权利要求1所述的碲基阈值选通开关器件，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁科元，秦仟仟，饶峰，刘明龙，钟名鉴，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：