一种氧化铝的抛光液制造技术

本发明专利技术属于机械抛光领域，尤其涉及一种氧化铝的抛光液，包括：质量占比为：氧化铝30％

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝的抛光液


[0001]本专利技术半导体化学机械抛光
，具体地说，涉及一种氧化铝的抛光液。

技术介绍

[0002]20世纪70年代开始，多层金属化技术引入到集成电路制造工艺中，使得芯片的立体空间得到了高效利用，提高了器件的集成度。
[0003]然而这项技术使得硅片表面不平整加剧，并且由此引发的一系列问题，严重影响了大规模集成电路(Large—ScaleIntegration，LSI)的发展。化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing，CMP)技术是提供全局平坦化的表面精加工技术，其中抛光液是CMP技术中的关键因素。抛光液主要由磨料、溶剂和添加剂组成，其种类性质、粒径大小、颗粒分散度及稳定性等与最终抛光效果紧密相关。目前市场上使用最为广泛的几种磨料是SiO2、CeO2、A12O3。SiO2抛光液选择性、分散性好，机械磨损性能较好，化学性质活泼，并且后清洗过程处理较容易：缺点为在抛光过程中易产生凝胶，对硬底材料抛光速率低。CeO2抛光液的优点是抛光速率高，材料去除速率高；缺点是黏度大、易划伤，且选择性不好，后续清洗困难。A12O3抛光液的缺点在于选择性低、分散稳定性不好、易团聚等，但对于硬底材料蓝宝石衬底等却具有优良的去除速率。随着LED行业的发展，Al
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抛光液在CMP中的应用显得更为重要。
[0004]但是，氧化铝颗粒在极性的水溶液中，氧化铝颗粒由于受静电力等作用发生团聚，容易出现絮凝分层等现象，破坏抛光液的分散性、稳定性。由磨料颗粒的团聚现象产生的大颗粒胶团，是化学机械抛光过程中衬底表面出现划痕的主要原因。氧化铝颗粒的粒径大小及分布、Zeta电位，以及抛光液添加稳定剂、分散剂的种类和质量对抛光液稳定性有较大的影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了抛光性能更好的氧化铝的抛光液，该抛光液安全、环保、绿色无污染，有效避免或减少了长期放置氧化铝产生团聚，导致抛光质量不高，移除率较低的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种氧化铝的抛光液，长时间存放基本不产生沉淀，切削率高，抛光表面质量好。
[0007]本专利技术一种氧化铝的抛光液，其特征在于，各质量占比为：氧化铝30％
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50％，其中，氧化铝为粒径100～150nm的纳米A12O3；硬脂酸为：5％
‑
10％；单甘酯为：2％
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3％；椰子油为：3％
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8％；液体石蜡为：2％
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4％；黄凡士林为：2％
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4％；26号白油为：1％
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3％；TEA为：1％
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3％；松香为：3％
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5％；乙醚聚化物为：5％
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10％；黄原胶为：3％
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4％；煤油为：3％
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4％，余量为水，上述各质量比的混合后搅拌均匀，后超声设备中震荡10
‑
15min。
[0008]优选方案为：乙醚聚化物包括：脂肪醇聚氧乙烯醚和壬基酚聚氧乙烯醚，两者之间的最佳配比为2:3。
[0009]优选方案为：TEA又叫三乙胺,是聚氨酯的平衡性叔胺催化剂,偏于发泡。作为阴离
子水性聚氨酯体系的中和成盐剂，所述过TEA为：2.62％，抛光效果最佳。
[0010]优选方案为：硬脂酸为：8％；单甘酯为3％；乙醚聚化物为：8％为分散剂，使氧化铝颗粒分散在溶液中。
[0011]优选方案为：为了实现表面抛光效果，润滑剂包括椰子油为：5％；液体石蜡为：3％；黄凡士林为：3％；26号白油为：2％。
[0012]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0013]本专利技术一种氧化铝的抛光液，长时间存放基本不产生沉淀，切削率高的同时表面光滑度优。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为利用本专利技术提出的各实施例的进行二氧化硅的抛光的效果示意图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]实施例1：
[0018]抛光液：氧化铝20％，其中，氧化铝为粒径100～150nm的纳米A12O3；硬脂酸为：7％；单甘酯为：2.5％；椰子油为：5％；液体石蜡为：2％；黄凡士林为：3％；26号白油为：2％；TEA为：2％；松香为4％；乙醚聚化物为：6％；黄原胶为：3.5％；煤油为：3％，余量为水，上述各质量比的混合后搅拌均匀，后超声设备中震荡10
‑
15min，将氧化铝2分散成20～50nm的小团聚体，制成抛光液。
[0019]本实施例中，氧化铝为粒径100～150nm的纳米а
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A12O3中。
[0020]本实施例中，提供原料：600克氧化铝粉体，超纯水1000g、乙醚聚化物的分散剂60g、椰子油50g、黄凡士林30g、TEA20g、26号白油20g、黄原胶35g、单甘酯25g、硬脂酸70g。
[0021]制备方法：在搅拌条件下向超纯水中加入乙醚聚化物的分散剂、椰子油、黄凡士林、TEA、26号白油、黄原胶、单甘酯，并加入硬脂酸产生盐化反应调节pH为10.5，得到适用于III
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V族半导体材料的抛光液，搅拌时间为20min。
[0022]实施例二
[0023]提供原料：粒径为50nm的氧化铝粉体500g、超纯水1200g、乙醚聚化物的分散剂100g、单甘酯50g、润滑剂：(液体石蜡50g、椰子油60g、黄凡士林60g、26号白油50g)、；盐化剂：(硬脂酸55g、TEA30g)、乳化剂(单甘酯50g)。
[0024]制备方法：
[0025]向氧化铝粉体中加入1200g超纯水和乙醚聚化物的分散剂，用行星式球磨分散机
进行分散40min，得到磨料浓缩液；
[0026]混合磨料浓缩液与1000g超纯水，在超声搅拌条件下加入单甘酯、润滑剂、乳化剂、盐化剂调节pH为11.5，得到适用于III
‑
V族半导体材料的抛光液二。超声搅拌时间为20min。
[0027]实施例三
[0028]提供原料：粒径为50nm的氧化铝粉体1000g、超纯水3622.5g、乙醚聚化物的分散剂250g、单甘酯125g、椰子油125g、液体石蜡100g、黄凡士林100g、26号白油100g、盐化剂：(硬脂酸250g、TEA50g)、乳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝的抛光液，其特征在于，各质量占比为：氧化铝30％
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50％，其中，氧化铝为粒径50～200nm的纳米；硬脂酸为：5％
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10％；单甘酯为：2％
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3％；椰子油为：3％
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8％；液体石蜡为：2％
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4％；黄凡士林为：2％
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4％；26号白油为：1％
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3％；TEA为：1％
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3％；松香为：3％
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5％；乙醚聚化物为：5％
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10％；黄原胶为：3％
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4％；煤油为：3％
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4％...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚开乐，
申请(专利权)人：深圳市鑫德普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：