【技术实现步骤摘要】
一种半导体加热器钎焊控温结构
[0001]本专利技术涉及钎焊控温
，具体涉及一种半导体加热器钎焊控温结构。
技术介绍
[0002]半导体加热器是一种使用半导体材料作为加热元件的设备，在半导体设备中，很多工艺过程需要进行加热，加热器的形式主要可以分为两种，一种是辐射式加热，另外一种是电阻丝加热，而电阻丝加热常用于制造温度控制设备。
[0003]现有的半导体加热器钎焊控温结构中，主要针对加热器钎焊类的零件，而加热器钎焊类零件在焊接完成后，保证焊接完成后热传递的温均性能，则是一项重要的指标，同时也是一项难点，由于加热盘内部的通道为矩形形状，而加热丝为圆形形状，同时，加热丝是位于加热盘内部的通道内，使得加热盘与加热丝之间只有象限点线接触，从而加热盘与加热丝之间存在一定的空隙，导致热传递较差，热传递效果较低，耗能较大，并且加热盘热传递不均匀，同时，加热盘内部的通道之间间隔距离较大，在加热时，温度传递需要一定的时间，从而导致热传递的温均性能较差，控温效果不好。
[0004]鉴于此，针对上述存在的不足，本专利技术研制...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体加热器钎焊控温结构，包括底板(1)、加热丝(2)、焊片(3)、盖板(4)和驱动组件(5)；其特征在于：所述底板(1)上固定安装加热丝(2)，所述底板(1)通过弧形封闭通道将热量传递到循环流动的液体上，并将温度均匀的分散传递到加热盘的外表面；所述底板(1)顶部固定安装有焊片(3)，且所述加热丝(2)位于底板(1)与焊片(3)之间；所述焊片(3)上固定安装有盖板(4)，所述底板(1)内部固定安装有驱动组件(5)，所述驱动组件(5)利用温度的升高，金属受热变形带动驱动组件(5)推动液体流动，并将温度均匀的传递开。2.根据权利要求1所述的一种半导体加热器钎焊控温结构，其特征在于：所述底板(1)圆心位置开设有矩形凹槽(11)，所述底板(1)上开设有多个弧形状的U型凹槽(12)，且多个弧形状的所述U型凹槽(12)相互连通，弧形状的所述U型凹槽(12)之间内部水平开设有圆形通孔(13)，所述圆形通孔(13)与U型凹槽(12)的弧形状相对应，所述矩形凹槽(11)的宽度为底板高度的4/5，所述底板(1)上的U型凹槽(12)上固定安装有压块(14)，所述压块(14)底部为弧形结构(141)，且所述压块(14)与U型凹槽(12)相对应；所述压块(14)底部弧形结构(141)的直径为加热丝(2)的直径，所述压块(14)的长度为U型凹槽(12)的长度；所述盖板(4)顶部偏心位置开设有两个弧形孔(41)，所述弧形孔(41)底部开设有开孔(42)；所述开孔(42)底部开设有圆形孔(43)，且所述加热丝(2)分别穿过圆形孔(43)、开孔(42)和弧形孔(41)。3.根据权利要求2所述的一种半导体加热器钎焊控温结构，其特征在于：所述圆形通孔(13)首尾相互连通，所述圆形通孔(13)内部首尾连通处开设有细孔(16)，且所述细孔(16)与所述矩形凹槽(11)贯通，所述细孔(16)的直径等于传动轴(55)的直径，所述传动轴(55)密封转动位于细孔(16)内，且所述圆形通孔(13)位于叶片四周。4.根据权利要求2所述的一种半导体加热器钎焊控温结构，其特征在于：所述圆形通孔(13)内部放置有导热油(17)，且所述导热油(17)充满整个圆形通孔(13)内部，所述圆形通孔(13)的直径为底板(1)高度的2/3，所述圆形通孔(13)与U型凹槽(12)之间的距离在弧形状结构处相等，所述圆形通孔(13)径向水平线低于U型凹槽(12)径向水平线，且高度差为圆形通孔(13)直径的1/4。5.根据权利要求2所述的一种半导体加热器钎焊控温结构，其特征在于：所述压块(14)顶部开设有多个圆孔(15)，所述圆孔(15)的直径与压块(14)宽度的比值为4:5，两个相邻所述圆孔(15)之间的距离两两相等。6.根据权利要求2所述的一种半导体加热器钎焊控温结构，其特征在于：所述矩形凹槽(11)内壁...
【专利技术属性】
技术研发人员：於军，莫任福，张昭，
申请(专利权)人：托伦斯半导体设备启东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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