计算机辅助弱图案检测及鉴定系统技术方案

技术编号:38714851 阅读:10 留言:0更新日期:2023-09-08 14:57
本申请涉及计算机辅助弱图案检测及鉴定系统。弱图案检测及鉴定系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以:基于所述晶片的设计对所述所检测缺陷执行图案分组;基于所述图案分组识别所关注区域;识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案,所述弱图案是偏离所述设计达大于阈值的量的图案;验证所述经识别弱图案;及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成所述晶片的所述设计的修正。述晶片的所述设计的修正。述晶片的所述设计的修正。

【技术实现步骤摘要】
计算机辅助弱图案检测及鉴定系统
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本申请是申请日为2017年4月21日、申请号为201780024782.4、专利技术名称为“计算机辅助弱图案检测及鉴定系统”的专利技术专利申请的分案申请。
[0003]相关申请案的交叉参考
[0004]本申请案根据35U.S.C.
§
119(e)主张2016年4月22日申请的第62/326,653号美国临时申请案的权利。所述第62/326,653号美国临时申请案的全文以引用的方式并入本文中。


[0005]本专利技术大体上涉及检验的领域,且特定来说,涉及晶片检验。

技术介绍

[0006]薄抛光板(例如硅晶片及类似者)是现代技术的非常重要部分。例如,晶片可意指用于制造集成电路及其它装置的半导体材料的薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规及类似者。尽管此处所描述的技术主要是指晶片,但应了解,本技术还适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本专利技术中可互换使用。
[0007]晶片经受缺陷检验。缺陷可为随机的或系统的。系统缺陷可在特定设计图案上发生且可被称为热点(即,弱图案,或产生于晶片上的偏离设计的图案)。缺陷检验的目的中的一者是检测及鉴定这些热点。例如,检验过程可利用检验工具来扫描晶片及使用基于设计的分组(DBG)将所检测缺陷分级。所述缺陷可使用扫描电子显微镜(SEM)取样及重检且经手动地分类以确定热点的存在。可利用模拟来帮助预测容易出故障的图案或位点,其又可用以帮助用户将检验关注点放置于可含有此类图案及位点的区域中。
[0008]应注意尽管上述检验过程可有帮助,但此检验过程还与一些缺点相关联。例如,此检验过程依赖人眼来确定缺陷的存在,此意味着此检验过程仅能够处理小样本大小且缺少验证。实际上,经检测的具有约20%到30%的临界尺寸(CD)变化的系统缺陷可能被丢弃。此外,由于不存在自动化且所有分类必须由人类完成,因此样本大小通常限制为不超过约5千个缺陷且归因于取样及疲劳而易发生错误。随着由增加的检测灵敏度引起的数据量的激增,取样的有效性可受限制,除非开发自动化方法。此外,模拟帮助预测风险位点但其并不帮助用户识别位点是否实际未通过后处理。
[0009]其中需要提供用于弱图案检测及鉴定而无前述缺点的方法及系统。

技术实现思路

[0010]本专利技术涉及一种系统。所述系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以:基于所述晶片的设计对所检测的缺陷执行图案分组;基于所述图案分组识别所关注区域;识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案,弱图案
是偏离设计达大于阈值的量的图案;验证所述经识别弱图案;及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成晶片的设计的修正。
[0011]本专利技术的进一步实施例涉及一种系统。所述系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以:基于所述晶片的设计对所检测缺陷执行图案分组;模拟晶片处理工具对晶片的效应;识别其中图案偏离所述晶片的设计的所关注区域;识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案,弱图案是偏离设计达大于阈值的量的图案;验证所述经识别弱图案;及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成晶片的设计的修正。
[0012]本专利技术的额外实施例涉及一种系统。所述系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以:基于所述晶片的设计对所检测缺陷执行图案分组;获得晶片的扫描电子显微镜(SEM)图像;将所述晶片的所述SEM图像与所述晶片的设计对准;基于晶片的SEM图像与晶片的设计的对准识别所关注区域;获得所述经识别所关注区域中的晶片的度量;基于所获得的度量测量经识别所关注区域中的图案变化;基于所述图案变化识别弱图案,弱图案是偏离设计达大于阈值的量的图案;验证所述经识别弱图案;及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成晶片的设计的修正。
[0013]应理解,前文概述及下文详细描述两者仅是示范性及说明性且未必限制本专利技术。并入说明书中且构成说明书的部分的附图说明本专利技术的标的物。描述及图式一起用于说明本专利技术的原理。
附图说明
[0014]所属领域的技术人员通过参考附图可更易于理解本专利技术的许多优点,其中:
[0015]图1是描绘根据本专利技术的实施例配置的检验系统的图解;
[0016]图2是描绘根据本专利技术的实施例配置的基于模拟的热点检测及鉴定过程的图解;
[0017]图3是描绘根据本专利技术的实施例配置的基于布局的热点检测及鉴定过程的图解;及
[0018]图4是描绘晶片上的多个经识别所关注区域的图解。
具体实施方式
[0019]现将详细参考所揭示的标的物,所述标的物说明于附图中。
[0020]根据本专利技术的实施例涉及用于提供弱图案(或热点)检测及鉴定的方法及系统。更明确来说,揭示实现将计算机辅助用于自动地发现及鉴定晶片上的热点的计算机驱动的热点

设计检测及验证系统。在一些实施例中,根据本专利技术配置的系统可经配置以实现热点内的弱点的自动识别。在一些实施例中,根据本专利技术配置的系统可经进一步配置以采用算法方法来基于图案变化的严重性(或边际性)分离及分级热点。预期根据本专利技术配置的方法及系统可在效率及精确度两方面提供与既有热点检验方法及系统相比的显著改进。
[0021]现参考图1,展示描绘根据本专利技术的实施例配置的示范性检验系统100的图解。检验系统100可包含检验工具102(例如,宽带等离子体检验工具、度量检验工具、电子束检验
工具,具有或不具有来自由设计规则检查(DRC)、光学规则检查(ORC)或类似者提供的模拟的输出)。检验工具102可经配置以检验晶片(例如,经图案化晶片)及检测存在于所述晶片上的缺陷。所检测缺陷可提供到一或多个处理器104(例如,专用处理单元、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或各种其它类型的处理器或处理单元),所述一或多个处理器104可经配置以基于设计执行单步骤或多步骤图案分组。在一些实施例中,可利用通常称为基于设计的分级(还可称为基于设计的分组或分类)的技术来执行图案分组。基于设计的分级可集成设计信息及缺陷检验结果以将所检测缺陷基于其图案类型分组为不同群组/分级。
[0022]可在图案分组完成之后识别潜在热点。在一些实施例中,可利用基于模拟的识别过程106来模拟设计或晶片工艺(例如,光刻)以搜索可含有潜在热点的所关注区域。可针对每一图案类型(例如,根据图案分组/分级)以高精确度自动放置所关注区域以自动评估局部CD及其它图案变化(例如线端缩短及角圆化)。替代地及/或此外,可利用基于布局的识别过程108来针对通过检本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统,其包括:至少一个处理器,其与晶片检验工具通信,所述至少一个处理器经配置以从所述晶片检验工具接收经检测缺陷:基于所述晶片的设计对所述经检测缺陷执行图案分组;基于所述图案分组自动地识别所关注区域;识别含于经识别所关注区域中的弱图案,所述弱图案是偏离所述设计达大于阈值的量的图案;引导第二晶片检验工具以验证所述晶片上的经识别弱图案,其中所述第二晶片检验工具包括扫描电子显微镜工具;及报告经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成所述晶片的所述设计的修正。2.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式识别所述弱图案:模拟晶片处理工具对所述晶片的效应;识别其中图案偏离所述晶片的所述设计的所关注区域;及识别含于所述经识别所关注区域中的所述弱图案。3.根据权利要求2所述的系统,其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式验证所述经识别弱图案:基于图案搜索在所述经识别弱图案周围界定至少一个检验关注区域;及促成所述至少一个检验关注区域的取样及扫描电子显微镜SEM重检以验证所述弱图案。4.根据权利要求3所述的系统,其中所述至少一个处理器经进一步配置以进行图案保真度测量以验证所述弱图案。5.根据权利要求4所述的系统,其中所述图案保真度测量包含局部临界尺寸变化的测量。6.根据权利要求2所述的系统,其中所述至少一个处理器经配置以:基于图案保真度测量验证所述经识别弱图案;仅对所述经验证弱图案进行图案搜索以在所述经验证弱图案周围界定至少一个检验关注区域;及促成所述至少一个检验关注区域的取样及SEM重检。7.根据权利要求1所述的系统,其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式识别所述弱图案:获得所述晶片的SEM图像;将所述晶片的所述SEM图像与所述晶片的所述设计对准;基于所述晶片的所述SEM图像与所述晶片的所述设计的对准识别所关注区域;获得所述经识别所关注区域中的所述晶片的度量;基于所获得度量来测量所述经识别所关注区域中的图案变化;及基于所述图案变化识别所述弱图案。8.根据权利要求7所述的系统,其中所述至少一个处理器经配置以通过以下方式验证所述经识别弱图案:
基于图案搜索在所述经识别弱图案周围界定至少一个检验关注区域;及促成所述至少一个检验关注区域的取样及扫描电子显微镜SEM重检以验证所述弱图案。9.根据权利要求8所述的系统,其中所述至少一个处理器经进一步配置以进行图案保真度测量以验证所述弱图案。10.根据权利要求9所述的系统,其中所述图案保真度测量包含局部临界尺寸变化的测量。11.根据权利要求1所述的系统,其中具有大于所述阈值的局部临界尺寸变化的经识别弱图案经确认为有效弱图案。12.一种系统,其包括:至少一个处理器,其与晶片检验工具通信且经配置以从所述晶片检验工具接收经检测缺陷,所述至少一个处理器经配...

【专利技术属性】
技术研发人员:N
申请(专利权)人:科磊股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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