一种缓启动电路及多层次的缓启动电路制造技术

本发明专利技术涉及电源技术领域，公开了一种缓启动电路及多层次的缓启动电路。所述缓启动电路包括：防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、自驱电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述自驱电路并联；所述自驱电路与所述MOS管VT2连接。本发明专利技术可以降低开关管或继电器触点导通时冲击电流外，控制简单且节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种缓启动电路及多层次的缓启动电路


[0001]本专利技术涉及电源
，尤其涉及一种缓启动电路及多层次的缓启动电路。

技术介绍

[0002]开关电源设计中，缓启动电路是必不可少的部分，DC输入通过电阻给BUS电容预充，让电容上的电压与输入电压接近时，再闭合MOS管或继电器，使冲击电流尽量的小，小电流缓启动电路常用继电器来做，单片机控制继电器的通断，由于大电流继电器价格高、选型难，大电流缓启动电路常用MOS管来做 ，隔离管采用两组MOS管倒过来的接法，校准好VF+与VBUS+的值，当VF+与VBUS+的值压差小于0.5V时，单片机出驱动控制MOS管通断，控制复杂，而且使用的MOS管很多，成本高。
[0003]为了降低开关管或继电器触点导通时的冲击电流，传统的两组MOS管或继电器缓启动电路，单片机控制，需采样MOS管DS间或继电器触点的压差，控制方法复杂，成本高。
[0004]因此，如何提供一种既能解决克服大电流冲击问题的同时又控制简单且节约成本的电路是有待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种缓启动电路及多层次的缓启动电路，用于解决上述的技术问题。
[0006]本专利技术第一方面提供了一种缓启动电路，所述缓启动电路包括：防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、自驱电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述自驱电路并联；所述自驱电路与所述MOS管VT2连接。
[0007]可选的，在本专利技术第一方面的第一种实现方式中，所述缓启动电路两端分别连接DC电源与BUS电容；所述防反二极管VD1的正极连接于DC电源的输入端，所述防反二极管VD1的负极连接于BUS电容的输出端；所述MOS管VT2的输入端分别连接于所述防反二极管VD1的正极，所述MOS管VT2的输出端连接于BUS电容的输入端；所述电阻R3的一端连接于所述防反二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接所述电阻R5，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输入端。
[0008]可选的，在本专利技术第一方面的第二种实现方式中，包括：所述MOS管VT2的一端连接于电阻R3的输入端，MOS管VT2的另一端连接于电阻R5的
输出端。
[0009]本专利技术第二方面提供了一种多层次的缓启动电路，包括上述的任一项所述的缓启动电路，还包括：保护电路、预充电路、充电电路、控制电路；所述保护电路的输出端连接于所述预充电路的输入端和所述充电电路的输入端，所述充电电路的输出端连接于所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端连接于所述预充电路的输出端。
[0010]可选的，在本专利技术第二方面的第一种实现方式中，所述保护电路由保险丝、EMC电路以及二极管VD2组成；所述保护电路用于保护所述预充电路、所述充电电路、所述控制电路；所述保险丝的一端连接DC电源的输入端，所述保险丝的另一端连接于所述EMC电路的输入端，所述EMC电路的输出端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2一端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2另一端连接于所述预充电路的输出端；所述保险丝用于为输入DC电源提供保护；所述EMC电路用于防止电磁干扰；所述二极管VD2用于在输入DC电源反向接入时保护后续电路不被损坏。
[0011]可选的，在本专利技术第二方面的第二种实现方式中，所述预充电路包括BUS电容；所述预充电路用于为BUS电容预充电，准备BUS电压；所述电阻R3与所述电阻R5串联连接，所述电阻R3和所述电阻R5与MOS管VT1和MOS管VT2并联连接，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输出端，所述BUS电容的输入端连接于所述充电电路的输入端；所述预充电路用于在启动过程中为BUS电容进行预充，准备BUS电容的电压。
[0012]可选的，在本专利技术第二方面的第三种实现方式中，所述充电电路包括电阻R249，电阻R4以及电容C7；所述充电电路用于为电容C7充电，当电容C7的电压达到预定值时，触发所述控制电路工作；所述电阻R249的一端连接于所述保护电路的输出端，所述电阻R249的另一端连接于所述电阻R4，所述电阻R4的另一端连接于电容C7，电容C7的另一端连接于所述控制电路的输入端；所述充电电路用于为电容C7充电，直到电容的电压达到预定值。
[0013]可选的，在本专利技术第二方面的第四种实现方式中，所述控制电路包括光电控制电路以及驱动电路，所述光电控制电路包括光电耦合器D5，所述驱动电路包括MOS管VT1、稳压二极管VD64；所述光电耦合器D5的一端连接于稳压二极管VD64的正极，所述光电耦合器D5的另一端连接于MOS管VT1，所述MOS管VT1与MOS管VT2并联连接，所述MOS管VT1的另一端连接于电容C7，MOS管VT2的一端连接于电容C7，MOS管VT2的另一端连接于BUS电容；所述光电耦合器D5用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器D5被触发并开始导电，进行信号传输；所述MOS管VT1与MOS管VT2用于当光电耦合器D5导通时触发MOS管VT1 和MOS管VT2的工作，进行电流的开关控制；所述控制电路用于当电容C7电压达到稳压二极管VD64的击穿电压时，光电耦合器
D5被触发并开始导电，同时触发MOS管驱动VT1和MOS管VT2工作，进行电流的开关控制。
[0014]本专利技术提供的技术方案中，有益效果：本专利技术提供的一种缓启动电路及多层次的缓启动电路，通过防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、自驱电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述自驱电路并联；所述自驱电路与所述MOS管VT2连接。本专利技术可以有效降低开关管导通时冲击电流，电路设计简单，MOS管的驱动采用自驱方式，不需要外加采样电路及单片机单独驱动，并且隔离MOS管根据实际电流单组设计。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例中缓启动电路的一个实施例示意图；图2为本专利技术实施例中多层次的缓启动电路的一个实施例示意图。
具体实施方式
[0016]本专利技术实施例提供了一种缓启动电路及多层次的缓启动电路。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等（如果存在）是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”或“具有”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓启动电路，其特征在于，包括：防反二极管VD1、预充电阻、MOS管VT2、自驱电路；所述预充电阻包括电阻R3与电阻R5；所述电阻R3与所述电阻R5串联，所述MOS管VT2与串联后的电阻R3和电阻R5形成并联；所述防反二极管VD1与所述预充电阻串联，所述防反二极管VD1与所述MOS管VT2以及所述自驱电路并联；所述自驱电路与所述MOS管VT2连接。2.根据权利要求1所述的缓启动电路，其特征在于，所述缓启动电路两端分别连接DC电源与BUS电容；所述防反二极管VD1的正极连接于DC电源的输入端，所述防反二极管VD1的负极连接于BUS电容的输出端；所述MOS管VT2的输入端分别连接于所述防反二极管VD1的正极，所述MOS管VT2的输出端连接于BUS电容的输入端；所述电阻R3的一端连接于所述防反二极管VD1的正极，所述电阻R3的另一端连接所述电阻R5，所述电阻R5的另一端连接于BUS电容的输入端。3.根据权利要求1所述的缓启动电路，其特征在于，包括：所述MOS管VT2的一端连接于电阻R3的输入端，MOS管VT2的另一端连接于电阻R5的输出端。4.一种多层次的缓启动电路，包括权利要求1
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3任一项所述的缓启动电路，其特征在于，还包括：保护电路、预充电路、充电电路、控制电路；所述保护电路的输出端连接于所述预充电路的输入端和所述充电电路的输入端，所述充电电路的输出端连接于所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端连接于所述预充电路的输出端。5.根据权利要求4所述的多层次的缓启动电路，其特征在于，所述保护电路由保险丝、EMC电路以及二极管VD2组成；所述保护电路用于保护所述预充电路、所述充电电路、所述控制电路；所述保险丝的一端连接DC电源的输入端，所述保险丝的另一端连接于所述EMC电路的输入端，所述EMC电路的输出端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2一端连接于所述充电电路的输入端，所述二极管VD2另一端连接于所述预充电路的输出端；所述保险丝用于为输入DC电源提供保护；所述EMC电路用于防止电磁干扰；所述二极管VD2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑小红，
申请(专利权)人：广东省洛仑兹技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：