半导体封装装置制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：载体；重布线层，设置在载体上；主动元件、电感元件和芯片，均与重布线层电连接，其中，主动元件和电感元件为相互独立的不同元件；半导体封装装置中的电传输路径在经过电感元件后通过重布线层传递至芯片。该半导体封装装置能够避免主动元件和电感元件之间的良率牵绊，有利于提高半导体封装装置的制造良率。有利于提高半导体封装装置的制造良率。有利于提高半导体封装装置的制造良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置。

技术介绍

[0002]在现有封装技术中，通常会将主动元件与被动元件整合，以缩短电源传输路径长度。
[0003]然而，在将主动元件和被动元件进行整合的过程中，可能会出现良率相互牵绊的风险，主要原因是主动元件在电路设计与制程上相对于被动元件复杂很多，并且成本相对较高。如果直接在主动元件上制作被动元件，二者的良率会相互牵绊，有可能在制作完主动元件后，因为后续制程中被动元件失效，导致整体封装装置失效。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种半导体封装装置。
[0006]本公开提供的半导体封装装置包括：
[0007]载体；
[0008]重布线层，设置在所述载体上；
[0009]主动元件、电感元件和芯片，均与所述重布线层电连接，其中，所述主动元件和所述电感元件为相互独立的不同元件；
[0010]所述半导体封装装置中的电传输路径在经过所述电感元件后通过所述重布线层传递至所述芯片。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述电感元件为薄膜式电感。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述电感元件和所述芯片之间的电传输路径沿横向延伸。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述主动元件和所述电感元件分别位于所述重布线层的相反的两个表面。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述主动元件、所述电感元件和所述芯片位于所述重布线层的同一表面。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述电感元件内埋于所述载体内。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述电感元件具有至少两个引脚，所述至少两个引脚位于所述电感元件的同一表面。
[0017]本公开提供的另外一种半导体封装装置包括：
[0018]载体；
[0019]电感元件，内埋于所述载体内；
[0020]所述电感元件的两端是从两个不同面出引脚，并且分别与主动元件和芯片电连接，其中，所述主动元件和所述电感元件为相互独立的不同元件。
[0021]在一些可选的实施方式中，所述电感元件的第一端和第二端分别从所述载体的上表面和下表面引出。
[0022]在一些可选的实施方式中，所述芯片位于所述载体的上方，所述主动元件位于所述载体的下方。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括电容元件，所述电容元件内埋在所述载体内并且位于所述芯片和所述电感元件之间的电传输路径中。
[0024]在一些可选的实施方式中，所述电容元件与所述电感元件相邻设置。
[0025]在一些可选的实施方式中，所述电容元件位于所述电感元件和所述芯片之间。
[0026]在本公开提供的半导体封装装置中，将电感元件从主动元件中独立出来，使其成为单独的电子元件，并将其配置在主动元件和芯片之间的电传输路径中，能够避免主动元件和电感元件之间的良率牵绊，有利于提高半导体封装装置的制造良率。
附图说明
[0027]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0028]图1
‑
图4为根据本公开实施例的半导体封装装置的第一种实施方式的示意图；
[0029]图5
‑
图7为根据本公开实施例的半导体封装装置的第二种实施方式的示意图。
[0030]符号说明：
[0031]100、载体；110、第一线路；200、重布线层；210、第二线路；300、主动元件；400、电感元件；402、二氧化硅材料；403、第一介电材；404、第二介电材；405、带有导电垫的载体；407、磁性材料；408、绝缘材料；409、导电垫；410、引脚；411、导电线路；500、芯片；600、焊球；700、电容元件；800、模塑材。
具体实施方式
[0032]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0033]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0034]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0035]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者
之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0036]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本公开中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0037]另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0038]本公开实施例提供一种半导体封装装置。图1
‑
图4为根据本公开实施例的半导体封装装置的第一种实施方式的示意图。其中，图1、图3和图4所示的半导体封装装置属于2.5D封装(一种介于2D和3D封装之间的封装技术)。
[0039]图1示出了该半导体封装装置的纵向截面。如图1所示，该半导体封装装置包括载体100、重布线层200、主动元件300、电感元件400和芯片500。载体100用于承载其他电子元件。载体100例如是基板(Substrate)或者硅中介层(Interposer)等。重布线层200设置在载体100上，例如粘合在载体100的上表面。主动元件300、电感元件400和芯片500，均与重布线层200电连接，其中，主动元件300和电感元件400为相互独立的不同元件。主动元件300、电感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：载体；重布线层，设置在所述载体上；主动元件、电感元件和芯片，均与所述重布线层电连接，其中，所述主动元件和所述电感元件为相互独立的不同元件；所述半导体封装装置中的电传输路径在经过所述电感元件后通过所述重布线层传递至所述芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述电感元件为薄膜式电感。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述电感元件和所述芯片之间的电传输路径沿横向延伸。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述主动元件和所述电感元件分别位于所述重布线层的相反的两个表面。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述主动元件、所述电感元件和所述芯片位于所述重布线层的同一表面。6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述电感元件内埋于所述载体内。7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中，所述电感元件具有至少两个引脚，所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：张简千琳，康荣瑞，李宝男，孔政渊，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：