包括在芯层中的被配置用于偏斜匹配的互连件的基板制造技术

技术编号:38707771 阅读:9 留言:0更新日期:2023-09-08 14:48
一种封装件包括集成器件和基板。集成器件耦合到基板。基板包括芯层、耦合到芯层的第一表面的至少一个第一电介质层以及耦合到芯层的第二表面的至少一个第二电介质层。基板包括位于芯层中的匹配结构。匹配结构包括在匹配结构中竖直和水平延伸的至少一个第一匹配互连件。匹配结构还包括在匹配结构中竖直延伸的至少一个第二匹配互连件。至少一个第一匹配互连件和至少一个第二匹配互连件被配置用于偏斜匹配。匹配。匹配。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括在芯层中的被配置用于偏斜匹配的互连件的基板
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月13日向美国专利商标局提交的第17/148,257号非临时申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用并入本文,以如下文所述的其全部内容并用于所有适用目的。


[0003]各种特征涉及封装件和基板,但更具体地涉及包括互连件的基板。

技术介绍

[0004]图1示出了包括基板102、集成器件106和集成器件108的封装件100。集成器件106耦合到基板102的表面。集成器件108耦合到基板102的表面。基板102包括至少一个电介质层120和多个互连件122。多个焊料互连件130耦合到基板102。基板102中的互连件可能占用大量空间,并且一直需要改进和优化基板102中的互连件的设计。

技术实现思路

[0005]各种特征涉及封装件和基板,但更具体地涉及包括互连件的基板。
[0006]一个示例提供了一种基板,该基板包括芯层、耦合到芯层的第一表面的至少一个第一电介质层以及耦合到芯层的第二表面的至少一个第二电介质层。基板包括位于芯层中的匹配结构。匹配结构包括在芯层中竖直和水平延伸的至少一个第一匹配互连件。匹配结构还包括在匹配结构中竖直延伸的至少一个第二匹配互连件。至少一个第一匹配互连件和至少一个第二匹配互连件被配置为提供偏斜匹配(skew matching)。
[0007]另一示例提供了一种封装件,该封装件包括基板和耦合到基板的集成器件。基板包括芯层、耦合到芯层的第一表面的至少一个第一电介质层以及耦合到芯层的第二表面的至少一个第二电介质层。基板包括位于芯层中的匹配结构。匹配结构包括在匹配结构中竖直和水平延伸的至少一个第一匹配互连件。匹配结构还包括在匹配结构中竖直延伸的至少一个第二匹配互连件。至少一个第一匹配互连件和至少一个第二匹配互连件被配置为提供偏斜匹配。
[0008]另一示例提供了一种装置,该装置包括芯层、用于偏斜匹配的部件、耦合到芯层的第一表面的至少一个第一电介质层以及耦合到芯层的第二表面的至少一个第二电介质层。用于偏斜匹配的部件位于芯层中。用于偏斜匹配的部件包括在用于偏斜匹配的部件中竖直和水平延伸的至少一个第一匹配互连件以及在用于偏斜匹配的部件中竖直延伸的至少一个第二匹配互连件。至少一个第一匹配互连件和至少一个第二匹配互连件被配置为提供用于第一信号和第二信号的时间信号匹配。
[0009]另一示例提供了一种制造基板的方法。该方法提供具有至少一个腔体的芯层。该方法在芯层的至少一个腔体中放置匹配结构。匹配结构包括在匹配结构中竖直和水平延伸的至少一个第一匹配互连件以及在匹配结构中竖直延伸的至少一个第二匹配互连件。至少
一个第一匹配互连件和至少一个第二匹配互连件被配置为提供偏斜匹配。该方法向芯层的第一表面之上形成至少一个第一电介质层。该方法向芯层的第二表面之上形成至少一个第二电介质层。
附图说明
[0010]当结合附图进行详细描述时,各种特征、性质和优点可以从下面的详细描述中变得很清楚,在附图中,类似的附图标记始终相应地标识。
[0011]图1示出了包括基板和集成器件的封装件。
[0012]图2示出了示例性基板的剖面图,该示例性基板包括在芯层中的、被配置用于偏斜匹配的互连件。
[0013]图3示出了被配置用于偏斜匹配的互连件对的视图。
[0014]图4示出了互连件对如何被配置用于偏斜匹配的视图。
[0015]图5示出了示例性基板的剖面图,该示例性基板包括在芯层中的、被配置用于偏斜匹配的互连件。
[0016]图6示出了包括基板的示例性封装件的剖面图,该基板包括在芯层中的被配置用于偏斜匹配的互连件。
[0017]图7A

图7D示出了用于制造基板的示例性序列,该基板包括在芯层中的被配置用于偏斜匹配的互连件。
[0018]图8示出了用于制造基板的方法的示例性流程图,该基板包括在芯层中的、被配置用于偏斜匹配的互连件。
[0019]图9A

图9D示出了用于制造匹配结构的示例性序列,该匹配结构包括被配置用于偏斜匹配的互连件对。
[0020]图10A

图10F示出了用于制造匹配结构的示例性序列,该匹配结构包括被配置用于偏斜匹配的互连件对。
[0021]图11示出了可以集成本文中描述的管芯、集成器件、集成无源器件(IPD)、器件封装件、封装件、集成电路和/或PCB的各种电子设备。
具体实施方式
[0022]在以下描述中,给出了具体细节,以提供对本公开的各个方面的全面理解。然而,本领域普通技术人员将理解,可以在没有这些具体细节的情况下实践这些方面。例如,电路可以以框图示出,以避免由于不必要的细节而混淆这些方面。在其他情况下,为了不混淆本公开的各方面,公知的电路、结构和技术可以不详细示出。
[0023]本公开描述了一种封装件,该封装件包括基板和耦合到基板的至少一个集成器件。基板包括芯层、耦合到芯层的第一表面的至少一个第一电介质层以及耦合到芯层的第二表面的至少一个第二电介质层。基板包括位于芯层中的匹配结构。匹配结构包括在匹配结构中竖直和水平延伸的至少一个第一匹配互连件。匹配结构还包括在匹配结构中竖直延伸的至少一个第二匹配互连件。至少一个第一匹配互连件和至少一个第二匹配互连件被配置为提供偏斜匹配(例如,用于差分信号对(pair of differential signals)的偏斜匹配)。匹配结构可以包括至少一个电介质层。匹配结构可以包括结构芯层和至少一个电介质
层。至少一个第一匹配互连件可以被配置为提供用于第一信号(例如,正信号)的电路径。至少一个第二匹配互连件可以被配置为提供用于第二信号(例如,负信号)的电路径。正信号和负信号可以被配置为差分信号对。第二信号可以是第一信号的反相信号,反之亦然。
[0024]包括在基板的芯层中的匹配结构的示例性封装件
[0025]图2示出了包括至少一个匹配结构的基板202,该至少一个匹配结构具有被配置为提供偏斜匹配和/或信号时间匹配的互连件。基板202可以在具有至少一个集成器件的封装件中实现。基板202包括芯层203、至少一个第一电介质层240、第一多个互连件241、至少一个第二电介质层260、第二多个互连件261、匹配结构205、匹配结构207、第一芯互连件231和第二芯互连件233。
[0026]匹配结构205位于芯层203中。匹配结构207位于芯层203中。第一芯互连件231和第二芯互连件233位于芯层203中并且延伸穿过芯层203。第一芯互连件231和第二芯互连件233可以是为差分信号对而配置的电路径对的一部分。至少一个第一电介质层240和第一多个互连件241耦合到芯层203的第一表面(例如,顶表面)。至少一个第二电介质层260和第二多个互连件261耦合到芯层203的第二表面(例如,底表面)。
[0027]第一多个互连件241耦合(例如,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板,包括:芯层;匹配结构,位于所述芯层中,所述匹配结构包括:至少一个第一匹配互连件,在所述匹配结构中竖直和水平延伸;以及至少一个第二匹配互连件,在所述匹配结构中竖直延伸,其中所述至少一个第一匹配互连件和所述至少一个第二匹配互连件被配置用于偏斜匹配;至少一个第一电介质层,耦合到所述芯层的第一表面;以及至少一个第二电介质层,耦合到所述芯层的第二表面。2.根据权利要求1所述的基板,其中所述匹配结构还包括至少一个结构电介质层。3.根据权利要求1所述的基板,其中所述匹配结构还包括:结构芯层;以及至少一个结构电介质层。4.根据权利要求1所述的基板,其中所述至少一个第一匹配互连件被配置为提供用于正信号的电路径;并且其中所述至少一个第二匹配互连件被配置为提供用于负信号的电路径。5.根据权利要求4所述的基板,其中所述正信号和所述负信号被配置为差分信号对。6.根据权利要求1所述的基板,其中所述至少一个第一匹配互连件和所述至少一个第二匹配互连件被配置为匹配互连件差分对。7.根据权利要求1所述的基板,其中所述至少一个第二匹配互连件包括至少一匝互连件。8.根据权利要求1所述的基板,其中包括所述至少一个第一匹配互连件的两个第一端子之间的第一电路径距离与包括所述至少一个第二匹配互连件的两个第二端子之间的第二电路径距离近似相同。9.根据权利要求1所述的基板,其中所述至少一个第一匹配互连件在所述匹配结构的结构电介质层中竖直和水平延伸;并且其中所述至少一个第二匹配互连件在所述匹配结构的所述结构电介质层中竖直延伸。10.根据权利要求1所述的基板,其中所述基板被并入选自以下项的设备中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板电脑、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、物联网(IoT)设备和机动交通工具中的设备。11.一种封装件,包括:集成器件;以及基板,耦合到所述集成器件,所述基板包括:芯层;匹配结构,位于所述芯层中,所述匹配结构包括:至少一个第一匹配互连件,在所述匹配结构中竖直和水平延伸;以及至少一个第二匹配互连件,在所述匹配结构中竖直延伸,其中所述至少一个第一匹配互连件和所述至少一个第二匹配互连件被配置用于偏斜匹配;
至少一个第一电介质层,耦合到所述芯层的第一表面;以及至少一个第二电介质层,耦合到所述芯层的第二表面。12.根据权利要求11所述的封装件,其中所述匹配结构还包括至少一个结构电介质层。13.根据权利要求11所述的封装件,其中所述匹配结构还包括:结构芯层;以及至少一个结构电介质层。...

【专利技术属性】
技术研发人员:A
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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