一种靶的屏蔽与抽气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种靶的屏蔽与抽气结构，包括引出电极内层筒、引出电极头部、引出电极外层筒、磁铁、磁铁过渡件、靶。引出电极外层筒筒身开设有放气窗便于分子泵抽取引出电极筒内的空气。所述引出电极头部开设有离子束引出孔，使离子束能轰击到所述靶的中心。所述引出电极内层筒用于屏蔽二次电子的溅射。所述磁铁连接于引出电极外层筒的外侧筒身，用于添加磁场来对离子进行约束。引出电极外层筒设置于所述内层筒的底脚上，且与所述引出电极内层筒身之间设置有一定间距，使在对二次电子的屏蔽的同时能抽取引出因离子束轰击靶产生的杂质气体。本实用新型专利技术不仅能够实现对腔体内真空的稳定保持，而且还能对靶上的二次电子溅射的有效抑制，从而减少了真空腔体内的打火现象。从而减少了真空腔体内的打火现象。从而减少了真空腔体内的打火现象。

【技术实现步骤摘要】
一种靶的屏蔽与抽气结构


[0001]本技术涉及一种靶的结构，尤其涉及一种靶的屏蔽与抽气结构。

技术介绍

[0002]离子束轰击靶广泛应用于加速器中子源系统中。以电感耦合射频加速器中子源为例，于头部发生装置中的离子束通过高压的牵引轰击到靶上产生中子，轰击到靶上的离子和二次电子会产生溅射，会降低中子产额以及产生打火现象。所以要在靶抑制二次电子的溅射。由于该过程要于真空环境中进行，需在引出电极筒身开放气窗，便于引出电极筒内气体的抽取。放气窗的开设虽然解决了引出电极筒内真空的问题，但是，二次电子仍可以通过放气窗溅射到腔体中，造成中子产额下降以及产生打火现象。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于解决上述引出电极筒既需要开放气窗又需要抑制因离子束轰击而产生的二次电子问题，设计出一种靶的屏蔽与抽气结构，即利用电子在磁场中发射偏转的方式抑制二次电子，同时采用内外屏蔽筒交错的方式进行真空抽气，具体技术方案如下：
[0004]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]一种靶的屏蔽与抽气结构，所述靶的屏蔽与抽气结构包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种靶的屏蔽与抽气结构，其特征在于，所述靶的屏蔽与抽气结构包括引出电极内层筒、引出电极头部、引出电极外层筒、磁铁、磁铁过渡件和靶；所述引出电极外层筒筒身开设有放气窗，所述引出电极头部开设有一个离子束引出孔，所述引出电极头部与所述引出电极外层筒连接固定，所述引出电极内层筒位于所述引出电极外层筒内并设置于所述靶的上方，所述磁铁通过所述磁铁过渡件连接于引出电极外层筒的外侧筒身，所述引出电极外层筒设置于所述引出电极内层筒的底脚上，所述引出电极外层筒筒身与所述引出电极内层筒筒身之间设置有间距。2.根据权利要求1所述的一种靶的屏蔽与抽气结构，其特征在于，所述引出电极头部设置为平底...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱玉忠，陶鑫，梁立振，吴亮亮，王宾，胡纯栋，
申请(专利权)人：合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室，
类型：新型
国别省市：