显示装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。刻去除。刻去除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置以及上述装置的驱动方法或制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来，高清晰显示器面板被需求。作为被要求高清晰显示器面板的设备，例如有智能手机、平板终端、笔记本型个人计算机等。另外，电视装置、监视装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。再者，作为最需求高清晰度的设备，例如有应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。
[0004]此外，作为可以应用于显示器面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、具备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置的制造方法，包括如下工序：在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜的第一工序；以覆盖所述第一EL膜的方式形成第一牺牲膜的第二工序；对所述第一牺牲膜及所述第一EL膜进行蚀刻来使所述第二像素电极露出且形成所述第一像素电极上的第一EL层及所述第一EL层上的第一牺牲层的第三工序；在所述第一牺牲层及所述第二像素电极上沉积第二EL膜的第四工序；以覆盖所述第二EL膜的方式形成第二牺牲膜的第五工序；对所述第二牺牲膜及所述第二EL膜进行蚀刻来使所述第一牺牲层露出且形成所述第二像素电极上的第二EL层及所述第二EL层上的第二牺牲层的第六工序；去除所述第一牺牲层及所述第二牺牲层的第七工序；以及使所述第一EL层及所述第二EL层干燥的第八工序，其中，所述第一EL膜及所述第二EL膜通过干蚀刻被蚀刻，并且，所述第一牺牲层及所述第二牺牲层通过湿蚀刻被去除。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中所述第一牺牲膜包含溶解于水或醇的树脂材料，在所述第三工序中，所述第一牺牲膜及所述第一EL膜通过在含氧气氛下进行的干蚀刻被连续地蚀刻，并且在所述第七工序中，所述第一牺牲层及所述第二牺牲层通过溶解于水或醇来去除。3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中所述第一牺牲膜包括金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜或无机绝缘膜，在所述第三工序中，所述第一EL膜通过使用主要成分中不包含氧的蚀刻气体的干蚀刻被蚀刻，并且在所述第七工序中，所述第一牺牲层及所述第二牺牲层通过使用四甲基氢氧化铵水溶液、稀氢氟酸、草酸、磷酸、醋酸、硝酸或它们的混合液体的湿蚀刻被去除。4.根据权利要求1或3所述的显示装置的制造方法，在所述第二工序与所述第三工序之间还包括形成硬掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村太纪，青山智哉，中泽安孝，佐藤来，保本清治，荻野清文，白石孝，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：