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光助电化学刻蚀装置制造方法及图纸

技术编号:3868315 阅读:174 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种光助电化学刻蚀装置,包括装有反应溶液的反应槽、耐酸泵、与直流电源相连的网孔阴极和环形阳极、红外截止滤光片,以及与硅片位置相对应的卤素灯阵列,该装置在反应槽外套装一个底部开有透光窗的降温槽,在降温槽内通入冷却液,隔断因卤素灯阵列照射而产生的热量向反应槽内传导。同时,在耐酸泵输出管的输出端连接有对硅片上方反应溶液进行循环的花洒式冲刷机构。本发明专利技术提供一种保持反应溶液温度基本恒定、避免硅片上气泡堆积的光助电化学刻蚀装置,适用于对大面积硅片实施长时间的稳定深刻蚀。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光助电化学刻蚀装置,包括盛装反应溶液(16)的反应槽(9)、用于反应溶液循环的耐酸泵(12)、与直流电源(15)相连的网孔阴极(6)和环形阳极(5)、反应槽(9)下方与放置在网孔阴极(6)和环形阳极(5)之间刻蚀的硅片(4)相对应的卤素灯阵列(1)、设置在卤素灯阵列(1)与硅片(4)之间红外截止滤光片(3),其特征在于:在反应槽(9)外套装有盛装透光的冷却液(17)的降温槽(10),降温槽(10)侧壁上设有冷却液输入管(20)和冷却液输出管(18),降温槽(10)的底面与环形阳极(5)对应的位置设有可透过卤素灯光的透光窗(2),耐酸泵输出管(13)的输出端连接有用于硅片(4)上方反应溶液(16)循环的花洒式冲刷机构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵志刚牛憨笨郭金川
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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