温度敏感性探针制造技术

本发明专利技术提供一种温度敏感性探针，其包含平均粒径为1～100nm的、具有SiV中心的第14族元素掺杂纳米金刚石。素掺杂纳米金刚石。素掺杂纳米金刚石。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】温度敏感性探针


[0001]本专利技术涉及一种温度敏感性探针。

技术介绍

[0002]在细胞内，在通过代谢来提取能量的过程中发生的大多化学反应大幅依赖于温度等，细胞内的化学反应由细胞内外的温度来控制。例如，报告了某种癌细胞中的异常的发热。若利用该现象，则能通过温度测定来进行代谢活性高的癌细胞和并非如此的正常细胞的识别。
[0003]此外，细胞的温度测定在利用微生物的发酵中也是重要的。
[0004]就非专利文献1而言，使用具有SiV(silicon
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vacancy：硅空位)中心的200nm尺寸的荧光纳米金刚石粒子进行了温度测定。
[0005]现有技术文献
[0006]非专利文献
[0007]非专利文献1：APPLIED PHYSICS LETTERS，112，203102(2018)

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]目前为止，存在利用分子等的发光波长的温度依存性等的、微小的区域中的温度计测研究，但分子通常不稳定，有发光闪烁等问题。研究了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度敏感性探针，其包含平均粒径为1～100nm的、具有MV中心的第14族元素掺杂纳米金刚石，MV中，M表示选自由Si、Ge、Sn以及Pb构成的组中的第14族元素，V表示空位即vacancy。2.根据权利要求1所述的温度敏感性探针，其中，M为Si。3.根据权利要求1或2所述的温度敏感性探针，其中，粒径的标准相对偏差RSD为25％～40％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的温度敏感性探针，其中，第14族元素掺杂纳米金刚石的形状为球状。5.根据权利要求1～4中任一项所述的温度敏感性探针，其中，MV中心的浓度为1
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/cm3以上。6.一种第14族元素掺杂纳米金刚石的应用，所述第14族元素掺杂纳米金刚...

【专利技术属性】
技术研发人员：西川正浩，刘明，水落宪和，大木出，藤原正规，
申请(专利权)人：国立大学法人京都大学，
类型：发明
国别省市：