组合物、膜、层叠体及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术为一种组合物，其包含式(1)的化合物、极大吸收波长为550nm以上650nm以下的式(2)的化合物、和液晶性化合物。n、m为1或2。R1及R3表示取代基。R2及R4表示烷基氨基、烷氧基或烷基硫基。P表示单键、

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物、膜、层叠体及显示装置


[0001]本专利技术涉及组合物、膜、层叠体及显示装置。

技术介绍

[0002]对于图像显示面板等显示器，存在薄型化的持续性要求，对于作为其构成要素之一的偏光板、偏光片等，也要求进一步的薄型化。针对这样的要求，例如提出了一种薄型的宾主型偏光片，其具备包含聚合性液晶化合物和显示二向色性的色素化合物的偏光膜(例如，参见专利文献1及2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特表2007
‑
510946号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013
‑
37353号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]在包含多种色素的宾主型偏光片中，有时由于偏光膜的光劣化等而使得570nm以上700nm以下的波长范围内的二向色性比降低。本专利技术的目的在于提供能形成570nm以上700nm以下的波长范围内的二向色性比的降低被抑制的偏光膜的组合物。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本专利技术提供下述[1]至[8]。
[0011][1]组合物，其包含下述式(1)表示的第1化合物、下述式(2)表示的第2化合物、和液晶性化合物，所述第2化合物在550nm以上650nm以下的波长范围内具有极大吸收波长，所述液晶性化合物包含聚合性液晶化合物及液晶性的高分子化合物中的至少1种。
[0012][化学式1][0013][0014][式(1)及(2)中，n及m各自独立地表示1或2。
[0015]R1及R3各自独立地表示取代基。
[0016]R2及R4各自独立地表示选自由烷基氨基、烷氧基及烷基硫基组成的组中的1个基团，这些基团所具有的氢原子可以被聚合性基团取代。
[0017]P表示单键、或选自由
‑
OC(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)O
‑
、
‑
NHC(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)NH
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CH＝N
‑
、
‑
N＝N
‑
及
‑
N＝CH
‑
组成的组中的至少1个基团。
[0018]Ar1、Ar2及Ar3各自独立地表示可具有选自由卤素原子、羟基、甲基及甲氧基组成的
组中的至少1种作为取代基的1,4
‑
亚苯基或2价的含硫芳香族杂环基。
[0019]Ar1及Ar2中的至少一者具有氟原子作为取代基。其中，在Ar2具有氟原子、存在2个Ar2的情况下，至少一个Ar2具有氟原子即可。
[0020]Ar4、Ar5及Ar6各自独立地表示可具有选自由卤素原子、羟基、甲基及甲氧基组成的组中的至少1种作为取代基的1,4
‑
亚苯基、萘二基或2价的含硫芳香族杂环基。
[0021]在n为2的情况下，2个Ar2及P各自可以相同，也可以不同。
[0022]在m为2的情况下，2个Ar5可以相同，也可以不同。][0023][2]如[1]所述的组合物，其中，前述式(2)中，Ar4、Ar5及Ar6中的至少一者表示2价的含硫芳香族杂环基。
[0024][3]如[1]或[2]所述的组合物，其中，前述式(2)中，Ar4、Ar5及Ar6中的至少一者表示噻吩并[2,3
‑
d]噻唑
‑
2,5
‑
二基。
[0025][4]如[1]至[3]中任一项所述的组合物，其中，前述式(1)中，P表示单键、或选自由
‑
OC(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)O
‑
、
‑
NHC(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)NH
‑
及
‑
N＝N
‑
组成的组中的至少1个基团。
[0026][5]如[1]至[4]中任一项所述的组合物，其中，前述液晶性化合物为近晶型液晶性化合物。
[0027][6]膜，其将[1]至[5]中任一项所述的组合物作为形成材料。
[0028][7]层叠体，其具备[6]所述的膜。
[0029][8]显示装置，其具备[7]所述的层叠体。
[0030]专利技术效果
[0031]根据本专利技术，可以提供能形成570nm以上700nm以下的波长范围内的二向色性比的降低被抑制的偏光膜的组合物。
具体实施方式
[0032]本说明书中，术语“工序”不仅包括独立的工序，在无法与其他工序明确区分的情况下，只要能达成该工序的所期望的目的，则也包括在本术语中。另外，对于组合物中的各成分的含量而言，在组合物中存在多种属于各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，则是指存在于组合物中的该多种物质的总量。以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。需要说明的是，本专利技术的范围并不限于此处说明的实施方式，可以在不损害本专利技术的主旨的范围内进行各种变更。
[0033]<组合物>
[0034]本实施方式涉及的组合物包含下述式(1)表示的第1化合物、下述式(2)表示的第2化合物、和液晶性化合物，所述第2化合物在550nm以上650nm以下的波长范围内具有极大吸收波长，所述液晶性化合物包含聚合性液晶化合物及液晶性的高分子化合物中的至少1种。组合物可用作例如偏光膜的形成材料。即，组合物可以为偏光膜形成用组合物。具备将组合物作为形成材料而得到的偏光膜的偏光板的耐光性提高，能够抑制570nm以上700nm以下的波长范围内的与光劣化相伴随的二向色性比的降低。
[0035]第1化合物
[0036]组合物包含第1化合物中的至少1种。第1化合物具有式(1)表示的结构，在Ar1及Ar2中的至少一者中具有氟原子作为取代基。由此，认为第1化合物显示出优异的耐光性。认为
由于第1化合物显示出优异的耐光性，因此，例如由组合物形成的偏光膜中的由光劣化导致的色素化合物的取向的紊乱得以被抑制，能够抑制来自第2化合物的570nm以上700nm以下的波长范围内的二向色性比的降低。需要说明的是，第2化合物在例如溶液状态下，在550nm以上650nm以下的波长范围内具有极大吸收波长，但认为通过形成偏光膜，吸收波长向长波长侧位移。
[0037][化学式2][0038][0039]式(1)中，R1表示取代基。R1表示的取代基例如可以为至少包含亚烷基的取代基，也可以为在由选自由亚烷基、链烯二基、氧原子、硫原子、羰基及二烷基硅烷二基组成的组中的至少1种形成的2价基团上加成氢原子或聚合性基团而得到的取代基。作为R1表示的取代基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.组合物，其包含下述式(1)表示的第1化合物、下述式(2)表示的第2化合物、和液晶性化合物，所述第2化合物在550nm以上650nm以下的波长范围内具有极大吸收波长，所述液晶性化合物包含聚合性液晶化合物及液晶性的高分子化合物中的至少1种，[化学式1]式(1)及(2)中，n及m各自独立地表示1或2；R1及R3各自独立地表示取代基；R2及R4各自独立地表示选自由烷基氨基、烷氧基及烷基硫基组成的组中的1个基团，这些基团所具有的氢原子可以被聚合性基团取代；P表示单键、或选自由
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OC(＝O)
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、
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C(＝O)O
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、
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NHC(＝O)
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、
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C(＝O)NH
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、
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C≡C
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、
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CH＝CH
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、
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CH＝N
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、
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N＝N
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及
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N＝CH
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组成的组中的至少1个基团；Ar1、Ar2及Ar3各自独立地表示可具有选自由卤素原子、羟基、甲基及甲氧基组成的组中的至少1种作为取代基的1,4
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亚苯基或2价的含硫芳香族杂环基；Ar1及Ar2中的至少一者具有氟原子作为取代基；其中，在Ar2具有氟原子、...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥京佑，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：