放大电路制造技术

本发明专利技术的放大电路(1)具备：包含可变跨导的漏极接地电路或集电极接地电路的放大器(20)；与放大器(20)的输出侧连接的功率分配器(30)；以及串联配置在旁路路径(51)上的开关(61)，该旁路路径从连结放大器(20)和功率分配器(30)的路径(50)分支，旁路功率分配器(30)并与功率分配器(30)的输出合流。功率分配器(30)的输入阻抗(Zin)是与功率分配器(30)的输出阻抗(Zout1)不同的值。抗(Zout1)不同的值。抗(Zout1)不同的值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放大电路


[0001]本专利技术涉及放大电路。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种接收机，该接收机具备低噪声放大器、分配被该低噪声放大器放大后的高频信号的功率分配器、以及高性能接收机。在专利文献1所公开的接收机中，在直接连接低噪声放大器和高性能接收机的路径上设置有开关。在闭合开关的情况下，低噪声放大器与高性能接收机直接连接，在打开开关的情况下，低噪声放大器经由功率分配器与高性能接收机连接。
[0003]专利文献1：日本特开2012
‑
170121号公报
[0004]在使用功率分配器来分配信号的情况下，产生信号的衰减。因此，在现有的接收机中，存在在使用功率分配器的情况下和不使用功率分配器的情况下，低噪声放大器的增益发生变化的担忧。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够抑制增益变化的放大电路。
[0006]本专利技术的一个方式的放大电路具备：第一放大器，包含可变跨导的漏极接地电路或集电极接地电路；功率分配器，与第一放大器的输出侧连接；以及第一开关，串联配置在第二路径上，上述第二路径从连结第一放大器和功率分配器的第一路径分支，旁路功率分配器并合流到功率分配器的输出，功率分配器的输入阻抗是与功率分配器的输出阻抗不同的值。
[0007]另外，本专利技术的另一个方式的放大电路具备：第一放大器，包含漏极接地电路或集电极接地电路；功率分配器，与第一放大器的输出侧连接；以及第一开关，串联配置在第二路径上，上述第二路径从连结第一放大器和功率分配器的第一路径分支，旁路功率分配器并合流到功率分配器的输出，功率分配器的输入阻抗是与功率分配器的输出阻抗不同的值，第一放大器包含多个晶体管，多个晶体管是栅极彼此、漏极彼此以及源极彼此相互连接的多个场效应晶体管、或者基极彼此、集电极彼此以及发射极彼此相互连接的多个双极晶体管，从多个晶体管选择用于放大的晶体管。
[0008]根据本专利技术的放大电路，能够抑制增益的变化。
附图说明
[0009]图1是实施方式的放大电路的电路图。
[0010]图2A是实施方式的放大电路的旁路模式时的电路图。
[0011]图2B是实施方式的放大电路的功率分配模式时的电路图。
[0012]图3是变形例1的放大电路的电路图。
[0013]图4是变形例2的放大电路的电路图。
[0014]图5是变形例3的放大电路的电路图。
[0015]图6是实施方式以及各变形例的功率分配器的电路图。
[0016]图7是表示实施方式以及各变形例的功率分配器的结构的俯视图。
[0017]图8是放大地表示实施方式以及各变形例的功率分配器的一部分的俯视图以及剖视图。
具体实施方式
[0018]以下，使用附图对本专利技术的实施方式的放大电路进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均表示本专利技术的一个具体例。因此，以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式、步骤、步骤的顺序等是一个例子，并不是限定本专利技术的主旨。因此，对于以下的实施方式中的构成要素中未记载于独立权利要求的构成要素作为任意的构成要素进行说明。
[0019]另外，各图是示意图，不一定是严格图示的图。因此，例如，在各图中，比例尺等未必一致。另外，在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略或简化重复的说明。
[0020]另外，在本说明书中，一致或者相等等表示要素间的关系性的用语、以及表示要素的形状的用语、以及数值范围不是仅表示严格的意思的表达，是意味着也包含实质上相同的范围、例如几％左右的差异的表达。
[0021]另外，在本说明书中，“上方”和“下方”这样的用语并不是指绝对的空间识别中的上方(铅垂上方)以及下方(铅垂下方)，作为以层叠结构中的层叠顺序为基础由相对的位置关系规定的用语来使用。另外，“上方”以及“下方”这样的用语不仅用于两个构成要素彼此隔开间隔地配置且在两个构成要素之间存在其他构成要素的情况，也用于两个构成要素彼此紧贴配置且两个构成要素接触的情况。
[0022]另外，在本说明书以及附图中，x轴、y轴以及z轴表示三维正交坐标系的三轴。另外，在本说明书中，“俯视”是指从相对于基板的主面垂直的方向观察。
[0023]另外，在本说明书中，所谓的“连接”，不仅包含由连接端子和/或布线导体直接连接的情况，也包含经由其他电路元件电连接的情况。另外，“连接在A与B之间”是指在A与B之间与A以及B双方连接。
[0024]另外，在本说明书中，只要在未特殊说明的情况下，“第一”、“第二”等序数词并不意味着构成要素的数量或者顺序，为了避免同种构成要素的混淆进行区别而被使用。
[0025](实施方式)
[0026][1.放大电路的结构][0027]首先，使用图1对实施方式的放大电路的结构进行说明。
[0028]图1是本实施方式的放大电路1的电路图。图1所示的放大电路1例如设置于对由天线接收的高频接收信号(以下，仅记载为高频信号)进行处理的接收电路。高频信号例如是以Wi
‑
Fi(注册商标)、LTE(Long Term Evolution：长期演进)或者5G(5th Generation：第五代)等通信标准为基准的信号。例如，高频信号是1GHz频带、或2.4GHz频带、或5GHz频带的信号，但并不限定于这些。
[0029]如图1所示，放大电路1具备输入端子10、两个输出端子11和12、放大器20、功率分
配器30、多个开关61～65、电容器70以及偏置控制电路90。另外，放大电路1包含路径50、50a及50b、以及两个旁路路径51及52。
[0030]输入端子10是放大电路1的输入端子。向输入端子10输入高频信号。
[0031]输出端子11和输出端子12分别是放大电路1的输出端子。从输出端子11和输出端子12的至少一个输出被输入到输入端子10且被放大器20放大后的高频信号。输出端子11和输出端子12分别与相互不同的信号处理电路连接。
[0032]放大器20是包含可变跨导的漏极接地电路(源极跟随器)的第一放大器的一个例子。放大器20是放大被输入到输入端子10的高频信号并输出的低噪声放大器。由放大器20放大后的高频信号经由功率分配器30或者旁路路径51或旁路路径52从输出端子11和输出端子12中的至少一方输出。
[0033]在本实施方式中，放大器20能够根据放大电路1的动作模式(具体而言，是否使用功率分配器30)，使输出阻抗Z变化。具体而言，放大器20的跨导可变。由此，放大器20的输出阻抗Z也变得可变，能够提高放大器20的功率增益。对于这样的放大器20的具体的电路结构，在后面说明。
[0034]功率分配器30与放大器20的输出侧连接。功率分配器30具有信号输出用的两个线路31以及32。功率分配器30将由放大器20放大后的高频信号分配为两个信号从线路31和线路32中的每个线路输出。由功率分配器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种放大电路，具备：第一放大器，包含可变跨导的漏极接地电路或集电极接地电路；功率分配器，与上述第一放大器的输出侧连接；以及第一开关，串联配置在第二路径上，上述第二路径从连结上述第一放大器和上述功率分配器的第一路径分支，旁路上述功率分配器并合流到上述功率分配器的输出，上述功率分配器的输入阻抗是与上述功率分配器的输出阻抗不同的值。2.根据权利要求1所述的放大电路，其中，上述输入阻抗小于上述输出阻抗，上述第一开关为非导通状态时的上述跨导大于上述第一开关为导通状态时的上述跨导。3.根据权利要求1或2所述的放大电路，其中，上述第一开关为非导通状态时的上述跨导相对于上述第一开关为导通状态时的上述跨导的比等于上述输出阻抗相对于上述输入阻抗的比。4.根据权利要求1～3中任一项所述的放大电路，其中，上述第一放大器包含多个晶体管，上述多个晶体管是将栅极彼此、漏极彼此以及源极彼此相互连接的多个场效应晶体管、或者将基极彼此、集电极彼此以及发射极彼此相互连接的多个双极晶体管，从上述多个晶体管中选择用于放大的晶体管。5.根据权利要求4所述的放大电路，其中，还包含偏置控制电路，上述偏置控制电路从上述多个晶体管中选择用于放大的晶体管。6.根据权利要求4所述的放大电路，其中，还包含第二开关，上述第二开关从上述多个晶体管中选择用于放大的晶体管。7.根据权利要求6所述的放大电路，其中，上述第一开关和上述第二开关彼此联动切换导通状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边大介，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：