一种DC电源的输入防反接电路制造技术

发明专利技术公开了一种DC电源的输入防反接电路，输入电容的正极接直流输入端的正极；两个MOS管的源极相连，第一MOS管的漏极接直流输入端的负极，第二MOS管的漏极接输入电容的负极；浪涌抑制热敏电阻与第二MOS管并联，辅助电源由输入电容供电，MOS管驱动电路包括分压电路和PNP三极管，MOS管的栅极通过上拉电阻接辅助电源的正极；分压电路接在直流输入端的正极与负极之间，PNP三极管的发射极接MOS管的栅极，PNP三极管的基极接分压电路的电压信号输出端，PNP三极管的集电极接直流输入端的负极。本发明专利技术通过辅助电源及输入电压分压实现对MOS的开通及关断，解决了在电源空载情况进行快速开关动作时损毁MOS管的问题，防反接电路的可靠性好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
一种DC电源的输入防反接电路


[0001]本专利技术涉及防反接电路，尤其涉及一种DC电源的输入防反接电路。

技术介绍

[0002]随着电源行业的产品类型趋于多样化，使用直流DC输入的DC
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DC转换电源也成为其重要组成部分，而对于输入采用直流输入的电路，为提高其安全及可靠性，需在输入端串联输入防反接电路或者使用继电器，而相较于继电器，防反接MOS成本相对较低，传统使用输入取电驱动防反接MOS，因空载状态开关机导致电容电压掉落缓慢，而防反接MOS掉落至MOS管导通临界电压时，再进行输入上电，较大的浪涌电流将通过防反接MOS，可能损坏MOS，防反接电路的可靠性较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是提供一种可靠性较好的DC电源的输入防反接电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是， 一种DC电源的输入防反接电路，包括直流输入端、输入电容、浪涌抑制热敏电阻、两个防反接MOS管、MOS管驱动电路和辅助电源，输入电容的正极接直流输入端的正极；两个防反接MOS管的源极相连，第一防反接MOS管的漏极接直流输入端的负极，第二防反接MOS管的漏极接输入电容的负极；浪涌抑制热敏电阻与第二防反接MOS管并联，辅助电源由输入电容供电，MOS管驱动电路包括分压电路和PNP三极管，防反接MOS管的栅极通过上拉电阻接辅助电源的正极；分压电路接在直流输入端的正极与负极之间，PNP三极管的发射极接防反接MOS管的栅极，PNP三极管的基极接分压电路的电压信号输出端，PNP三极管的集电极接直流输入端的负极。
[0005]以上所述的DC电源的输入防反接电路，包括第一稳压管和分压电阻。第一稳压管的阳极接防反接MOS管的源极，阴极接防反接MOS管的栅极，分压电阻与第一稳压管并接。
[0006]以上所述的DC电源的输入防反接电路，包括限流电阻和第二稳压管，PNP三极管的基极通过限流电阻接分压电路的电压信号输出端；第二稳压管的阴极接分压电路的电压信号输出端，阳极接直流输入端的负极。
[0007]以上所述的DC电源的输入防反接电路，两个防反接MOS管开通过程如下：当直流输入端上电时，电流从直流输入端的正极到输入电容再流经浪涌抑制热敏电阻，经第一防反接MOS管 的体二极管，回到直流输入端的负极，输入电容缓慢充电；当输入电容的电压上升至辅助电源管理芯片的工作阈值时，辅助电源的输出电压开始上升；辅助电源的输出电压先上升至防反接MOS管完全导通的电压，两个防反接MOS管开通，再上升至辅助电源的额定电压，即辅助电源正常工作的时间滞后于防反接MOS管完全导通的时间。
[0008]以上所述的DC电源的输入防反接电路，两个防反接MOS管关断过程如下：辅助电源管理芯片的工作电压低于直流输入端的额定电压，当直流输入端掉电时，输入电容的电压开始降低，辅助电源的电压在输入电容掉落至辅助电源关断的阈值电压前，依然维持在额定电压；直流输入端掉电时，PNP三极管Q3的基极电压下降，低于发射极的电压，PNP三极管
开通，将防反接MOS管栅极的下拉到低电平，实现防反接MOS管的关断。
[0009]本专利技术通过辅助电源及输入电压分压实现对MOS的开通及关断，解决了在电源空载情况进行快速开关动作时损毁MOS管的问题，防反接电路的可靠性好。
附图说明
[0010]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0011]图1是本专利技术实施例DC电源输入防反接电路的电路图。
具体实施方式
[0012]本专利技术实施例DC电源输入防反接电路的结构和原理如图1所示，包括直流输入端、输入电容C1、浪涌抑制热敏电阻PTC1、第一防反接MOS管Q1、第二防反接MOS管Q2、MOS管驱动电路和辅助电源，输入电容C1的正极接直流输入端的正极40VDC+，输入电容C1的负极接地，DC电源的DC模块输入端的正负极分别与输入电容C1的正负极连接。第一防反接MOS管Q1的源极与第二防反接MOS管Q2的源极相互连接。第一防反接MOS管Q1的漏极接直流输入端的负极DC
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，第二防反接MOS管的漏极接输入电容C1的负极。浪涌抑制热敏电阻PTC1与第二防反接MOS管并联，辅助电源由输入电容C1供电，MOS管驱动电路包括分压电路和PNP三极管，分压电路由电阻R4、电阻R5和电阻R6依次串接组成，分压电路电阻R4的一端接直流输入端的正极40VDC+，分压电路电阻R6的一端接直流输入端的负极DC
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[0013]两个防反接MOS管Q1和Q2的栅极通过上拉电阻R7接辅助电源的正极+12V。PNP三极管Q3的发射极接两个防反接MOS管Q1和Q2的栅极，PNP三极管Q3的基极通过限流电阻R1接分压电路的电压信号输出端（电阻R5与电阻R6的连接点），PNP三极管Q3的集电极接直流输入端的负极DC
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[0014]第一稳压管Z1的阳极接两个防反接MOS管Q1和Q2的源极，阴极接两个防反接MOS管Q1和Q2的栅极，由电阻R2和电阻R3并联组成的分压电阻与第一稳压管Z1并接。第二稳压管Z2的阴极接分压电路的电压信号输出端，阳极接直流输入端的负极DC
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[0015]本实施例直流输入端的电压为40Vdc输入，辅助电源的电压为12Vdc。
[0016]防反接MOS管开通过程如下，当直流输入端的输入40VDC+上电时，电流从直流输入端的正极到输入电容C1，从输入电容C1正极到负极，再流经浪涌抑制热敏电阻PTC1，再流经防反接外侧防反接MOS管 Q1体二极管，回到直流输入端的负极DC
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，实现输入电容的缓慢充电，当电源内部输入电容C1的电压上升至辅助电源管理IC工作阈值时，辅助电源输出电压开始上升，先上升防反接MOS管的完全导通的电压，再上至+12V，此时DC电源内部管理IC开始工作，即辅助电源正常升工作时间滞后于防反接MOS管完全导通时间，可以避免防反接MOS管正处于临界导通状态时，辅助电源已正常工作，带负载起机大电流流经临界导通状态的防反接MOS管，继而损坏防反接MOS管。
[0017]以本实施例给出的条件及参数，防反接MOS管关断过程如下，当直流输入端40VDC+掉电时，输入电容电容C1电压开始降低，因辅助电源的输入由输入电容C1提供，辅助电源管理IC的工作电压低于实际输入电压，以便加快DC电源启动速度。因此当输入40VDC+掉电时，辅助电源的电压在输入电容C1掉落至辅助电源关断的阈值电压前，依然维持12Vdc， PNP三极管Q3的基极电压因直流输入端而下降，低于发射极的电压，PNP三极管开通，将防反接MOS
管 Q1和Q2栅极的下拉到低电平，实现防反接MOS管 Q1,Q2的关断。
[0018]本专利技术以上实施例的通过辅助电源及输入电压分压实现对MOS的开通及关断，解决了在电源空载情况进行快速开关动作时损毁MOS管的问题，提高了防反接电路的可靠性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DC电源的输入防反接电路，包括直流输入端、输入电容、浪涌抑制热敏电阻、两个防反接MOS管、MOS管驱动电路和辅助电源，输入电容的正极接直流输入端的正极；两个防反接MOS管的源极相连，第一防反接MOS管的漏极接直流输入端的负极，第二防反接MOS管的漏极接输入电容的负极；浪涌抑制热敏电阻与第二防反接MOS管并联，其特征在于，辅助电源由输入电容供电，MOS管驱动电路包括分压电路和PNP三极管，防反接MOS管的栅极通过上拉电阻接辅助电源的正极；分压电路接在直流输入端的正极与负极之间，PNP三极管的发射极接防反接MOS管的栅极，PNP三极管的基极接分压电路的电压信号输出端，PNP三极管的集电极接直流输入端的负极。2.根据权利要求1所述的DC电源的输入防反接电路，其特征在于，包括第一稳压管和分压电阻，第一稳压管的阳极接防反接MOS管的源极，阴极接防反接MOS管的栅极，分压电阻与第一稳压管并接。3.根据权利要求1所述的DC电源的输入防反接电路，其特征在于，包括限流电阻和第二稳压管，PNP三极管的基极通过限流电阻接分压电路的电压信号输出端；第二稳压管的阴极接分压...

【专利技术属性】
技术研发人员：李骏强，李勇，
申请(专利权)人：深圳市高斯宝电气技术有限公司，
类型：发明
国别省市：