【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】数学函数电路
技术介绍
[0001]基于所实施的控制方案,某些电源转换器实施斜率补偿,该斜率补偿利用电源转换器的占空比来确定斜率补偿值。可以根据电源转换器的最差情况的输入电压值和输出电压值对(例如,输入电压与输出电压之间的最极端差异)来估计占空比。可以基于这个估计的占空比来确定斜率补偿,使得该斜率补偿可以对于电源转换器的一些操作范围来说有效,而对于电源转换器的其他操作范围来说无效。
技术实现思路
[0002]一种装置的示例包括偏置电路,该偏置电路具有第一偏置电路输出端和第二偏置电路输出端。装置还包括比较器,该比较器具有第一比较器输入端和第二比较器输入端。装置还包括第一电容器,该第一电容器耦合在第二比较器输入端与第二偏置电路输出端之间。装置还包括第一开关,该第一开关耦合在第二比较器输入端与第二偏置电路输出端之间。装置还包括:第二开关,该第二开关耦合在第一偏置电路输出端与输入端子之间;第三开关,该第三开关耦合在输入端子与第一比较器输入端之间;以及第四开关,该第四开关耦合在第一偏置电路输出端与第一比较器输入端之间。装置还包括第二电容器,该第二电容器耦合在第一比较器输入端与第二偏置电路输出端之间。
[0003]一种装置的示例包括第一输入感测电路,该第一输入感测电路被配置为感测第一输入电压的值并且提供与第一输入电压的值成比例的第一电流。装置还包括第二输入感测电路,该第二输入感测电路被配置为感测第二输入电压的值并且提供与第二输入电压的值成比例的第二电流。装置还包括比较电路。比较电路可以被配置为:用相应偏置值初始化第一电容器和第二电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置,包括:偏置电路,所述偏置电路具有第一偏置电路输出端和第二偏置电路输出端;比较器,所述比较器具有第一比较器输入端和第二比较器输入端;第一电容器,所述第一电容器耦合在所述第二比较器输入端与所述第二偏置电路输出端之间;第一开关,所述第一开关耦合在所述第二比较器输入端与所述第二偏置电路输出端之间;第二开关,所述第二开关耦合在所述第一偏置电路输出端与输入端子之间;第三开关,所述第三开关耦合在所述输入端子与所述第一比较器输入端之间;第四开关,所述第四开关耦合在所述第一偏置电路输出端与所述第一比较器输入端之间;以及第二电容器,所述第二电容器耦合在所述第一比较器输入端与所述第二偏置电路输出端之间。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述比较器具有比较器输出端,并且其中,所述装置进一步包括:脉冲生成电路,所述脉冲生成电路具有脉冲生成输出端和脉冲生成输入端,所述脉冲生成输入端耦合到所述比较器输出端;采样保持电路,所述采样保持电路具有第一采样保持输入端和第二采样保持输入端;第五开关,所述第五开关耦合在所述第二比较器输入端与所述第一采样保持输入端之间;以及第六开关,所述第六开关耦合在所述第二偏置电路输出端与所述第二采样保持输入端之间,其中,所述第五开关和所述第六开关各自具有耦合到所述脉冲生成输出端的控制输入端。3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述采样保持电路被配置为响应于所述第一电容器的值等于或大于所述第二电容器的值而对所述第一电容器两端的值进行采样。4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述偏置电路被配置为用相应偏置值初始化所述第一电容器和所述第二电容器,并且其中,这些偏置值至少部分地定义了由所述电路执行的数学运算。5.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:放大器,所述放大器具有放大器输出端以及第一放大器输入端和第二放大器输入端;第一电阻器,所述第一电阻器被适配成耦合在第一电压源与所述第一放大器输入端之间;第二电阻器,所述第二电阻器耦合在所述第一放大器输入端与地之间;第一晶体管,所述第一晶体管具有第一晶体管栅极、第一晶体管漏极和第一晶体管源极,所述第一晶体管栅极耦合到所述放大器输出端,并且所述第一晶体管源极耦合到所述第二放大器输入端;第三电阻器,所述第三电阻器耦合在所述第二放大器输入端与地之间;第二晶体管,所述第二晶体管具有第二晶体管栅极、第二晶体管漏极和第二晶体管源极,所述第二晶体管栅极和所述第二晶体管漏极耦合到所述第一晶体管漏极,并且所述第
二晶体管源极被适配成耦合到第二电压源;第三晶体管,所述第三晶体管具有第三晶体管栅极、第三晶体管漏极和第三晶体管源极,所述第三晶体管栅极耦合到所述第一晶体管漏极,所述第三晶体管漏极耦合到所述第二比较器输入端,并且所述第三晶体管源极被适配成耦合到所述第二电压源;以及第四晶体管,所述第四晶体管具有第四晶体管栅极、第四晶体管漏极和第四晶体管源极,所述第四晶体管栅极耦合到所述第一晶体管漏极,所述第四晶体管漏极耦合到所述输入端子,并且所述第四晶体管源极被适配成耦合到所述第二电压源。6.根据权利要求5所述的装置,进一步包括:第二放大器,所述第二放大器具有第二放大器输出端以及第二放大器第一输入端和第二放大器第二输入端;第四电阻器,所述第四电阻器被适配成耦合在第三电压源与所述第二放大器第一输入端之间;第五电阻器,所述第五电阻器耦合在所述第二放大器第一输入端与地之间;第五晶体管,所述第五晶体管具有第五晶体管栅极、第五晶体管漏极和第五晶体管源极,所述第五晶体管栅极耦合到所述第二放大器输出端,并且所述第五晶体管源极耦合到所述第二放大器第二输入端;第六电阻器,所述第六电阻器耦合在所述第二放大器第二输入端与地之间;第六晶体管,所述第六晶体管具有第六晶体管栅极、第六晶体管漏极和第六晶体管源极,所述第六晶体管栅极和所述第六晶体管漏极耦合到所述第五晶体管漏极,并且所述第六晶体管源极被适配成耦合到所述第二电压源;第七晶体管,所述第七晶体管具有第七晶体管栅极、第七晶体管漏极和第七晶体管源极,所述第七晶体管栅极耦合到所述第五晶体管漏极,并且所述第三晶体管源极被适配成耦合到所述第二电压源;第八晶体管,所述第八晶体管具有第八晶体管栅极、第八晶体管漏极和第八晶体管源极,所述第八晶体管栅极和所述第八晶体管漏极耦合到所述第七晶体管漏极,并且所述第八晶体管源极耦合到地;以及第九晶体管,所述第九晶体管具有第九晶体管栅极、第九晶体管漏极和第九晶体管源极,所述第九晶体管栅极耦合到所述第七晶体管漏极,所述第九晶体管漏极耦合到所述输入端子,并且第九晶体管源极耦合到地。7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第三开关被配置为由控制信号控制,并且其中,所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关被配置为由所述控制信号的反相信号控制。8.一种装置,包括:第一输入感测电路,所述第一输入感测电路被配置为感测第一输入电压的值并且提供与所述第一输入电压的所述值成比例的第一电流;第二输入感测电路,所述第二输入感测电路被配置为感测第二输入电压的值并且提供与所述第二输入电压的所述值成比例的第二电流;以及比较电路,所述比较电路被配置为:用相应偏置值初始化第一电容器和第二电容器;
根据所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。