提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器、第一MOS管器件，驱动变压器原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器原边的二端连接第一MOS管器件；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件的一端；驱动变压器副边的三端通过第一二极管及第二限流电阻连接支撑电容、门极电阻的一端及晶闸管的第一端，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管的第一端；该驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。故障时保障了驱动电路的准确动作。故障时保障了驱动电路的准确动作。

【技术实现步骤摘要】
提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路


[0001]本申请涉及电力电子器件驱动
，尤其涉及一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路。

技术介绍

[0002]图1为现有技术单个MMC子模块、旁路开关及其驱动模块组成的系统框图，模块化多电平换流器MMC模块包括多个MMC子模块，当单个MMC子模块出现故障时，为保证系统连续运行，其驱动旁路开关动作，将出现故障的MMC子模块短路；图2为现有技术的旁路开关晶闸管驱动电路模块的电路图，该驱动电路的晶闸管驱动属于电流型驱动，要求驱动电平不能太高，常用1～2V，由于驱动电平较低，在实际的应用中的多数工况下，驱动电路会受到干扰，晶闸管容易发生误触发，当单个MMC子模块出现故障时，无法准确地将出现故障的MMC子模块短路，导致系统无法连续运行，需要停机进行处理。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是提出一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，该提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；
[0005]所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vcc2，所述上拉电阻R5的二端连接第二MOS管器件S2的一端，所述光耦开关OP1副边的三端连接副边地，所述第二MOS管器件S2的二端连接晶闸管TR1的第一端，所述第二MOS管器件S2的三端连接晶闸管TR1的第三端。
[0006]优选地，所述驱动变压器T1原边的一端通过限流电阻R1连接供电电源Vcc。
[0007]优选地，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1的二端，所述第一MOS管器件S1的三端接原边地，所述第一MOS管器件S1为N型MOS管器件。
[0008]优选地，所述晶闸管驱动信号DRV端通过非门数字逻辑器件U1连接限流电阻R4的一端，所述第二MOS管器件S2为P型MOS管器件。
[0009]优选地，所述第二MOS管器件S2为N型MOS管器件。
[0010]采用上述结构之后，提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vcc2，所述上拉电阻R5的二端连接第二MOS管器件S2的一端，所述光耦开关OP1副边的三端连接副边地，所述第二MOS管器件S2的二端连接晶闸管TR1的第一端，所述第二MOS管器件S2的三端连接晶闸管TR1的第三端；该提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
附图说明
[0011]图1为现有技术单个MMC子模块、旁路开关及其驱动模块组成的系统框图；
[0012]图2为现有技术的旁路开关晶闸管驱动电路模块的电路图；
[0013]图3为本技术实施例一或实施例三的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路的电路图；
[0014]图4为本技术实施例一或实施例四的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路的电路图。
[0015]本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0016]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0017]在本申请的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0018]实施例一
[0019]请参阅图3，图3为本技术实施例一或实施例三的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路的电路图；
[0020]本实施例公开一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，其特征在于，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vc...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢峰，张亚春，周党生，张孟杰，
申请(专利权)人：深圳市禾望电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：