基于空芯光子晶体纤维的宽带辐射产生器制造技术

一种宽带光源装置被配置为用于在接收到泵浦辐射时产生宽带输出辐射，所述宽带光源装置包括：空芯光子晶体纤维(HC

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于空芯光子晶体纤维的宽带辐射产生器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年12月10日递交的欧洲申请20213013.4和2021年6月8日递交的欧洲申请21178292.5的优先权，所述欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种基于空芯光子晶体纤维的宽带辐射产生器，并且具体地是与集成电路制造中的量测应用有关的这种宽带辐射产生器。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(经常也被称为“设计布局”或“设计”)投影到提供于衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种宽带光源装置，所述宽带光源装置被配置为在接收到泵浦辐射时产生宽带输出辐射，所述宽带光源装置包括：空芯光子晶体纤维(HC
‑
PCF)，所述空芯光子晶体纤维至少包括第一结构变化部分和第二结构变化部分，其中，所述第一结构变化部分和第二结构变化部分中的每一个均具有所述空芯光子晶体纤维的相对于所述空芯光子晶体纤维的一个或更多个主部分变化的至少一个结构参数，所述空芯光子晶体纤维的所述一个或更多个主部分中的至少一个将所述第一结构变化部分与第二结构变化部分分离。2.如权利要求1所述的宽带光源装置，其中，所述第一结构变化部分和所述第二结构变化部分中的每一个被配置且定位为控制负责产生所述宽带输出辐射的第一非线性光学过程和第二非线性光学过程。3.如权利要求2所述的宽带光源装置，其中，所述第一结构变化部分被配置且定位为使得所述第二非线性光学过程不在所述第一结构变化部分中开始。4.如权利要求3所述的宽带光源装置，其中，所述第一非线性光学过程包括调制不稳定性，并且所述第二非线性光学过程包括色散波的产生，并且其中，可选地，所述第一结构变化部分被配置且定位为使得所述调制不稳定性在光谱上扩展所述泵浦辐射，而所述第二结构变化部分被配置且定位为使得所述色散波的产生进一步延伸在光谱上被扩展的所述泵浦辐射的短波长边缘。5.如前述权利要求中任一项所述的宽带光源装置，其中，所述第一结构变化部分和所述第二结构变化部分进一步被配置为支持所述泵浦辐射的大致基谐模式的传播，并且其中，可选地，满足以下各项中的一项：在紫外区中的所述波长包括低至300nm的波长，以及所述宽带输出辐射包括高达2000nm的波长。6.如前述权利要求中任一项所述的宽带光源装置，其中，至少所述第一结构变化部分被配置且定位为使得所述宽带输出辐射的光谱的点扩散功率谱密度相对于在感兴趣的波长范围内的平均值变化不超过50％。7.如前述权利要求中任一项所述的宽带光源装置，其中，至少所述第一结构变化部分被配置且定位为使得所述宽带输出辐射的光谱的点扩散功率谱密度不包括具有比所述光谱的平均点扩散功率谱密度大两倍以上的点扩散功率谱密度的任何峰。8.如前述权利要求中任一项所述的宽带光源装置，还包括用于产生所述泵浦辐射的泵浦辐射源。9.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔安科，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：