膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于黏合半导体元件与搭载半导体元件的支承部件的膜状黏合剂。膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂及弹性体。弹性体包括满足下述条件(i)及下述条件(ii)的弹性体。条件(i)：玻璃化转变温度为12℃以上；条件(ii)：重均分子量为80万以下。重均分子量为80万以下。重均分子量为80万以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术是有关一种膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，将半导体元件(半导体芯片)层叠为多层而成的堆叠式MCP(Multi Chip Package：多芯片封装)正在普及，作为移动电话、便携式音频设备用记忆体半导体封装件等而搭载。并且，随着移动电话等的多功能化，也推进半导体封装件的高速化、高密度化、高集成化等。
[0003]目前，作为半导体装置的制造方法，一般使用如下的半导体晶圆背面贴附方式：在半导体晶圆的背面贴附膜状黏合剂及切割带，然后，在切割工序中切割半导体晶圆、膜状黏合剂及切割带的一部分。在这种方式中，在切割半导体晶圆时也需要同时切割膜状黏合剂，但在使用金刚石刀的一般切割方法中，由于同时切割半导体晶圆和膜状黏合剂，需要减慢切割速度，有可能导致成本上升。
[0004]另一方面，作为区分半导体晶圆的方法，例如对预定切割线上的半导体晶圆内部照射激光而形成改质区域的方法等，透过实施容易区分半导体晶圆的工序，然后通过使外周部扩展(Expand)来切割半导体晶圆的方法近年来被提出。(例如，专利文献1)。该方法称为激光隐形切割(Stealth Dicing)。尤其在半导体晶圆的厚度较薄的情况下，激光隐形切割具有减少崩缺(Chipping)等缺陷的效果，能够期待提高产率的效果等。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2002
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192370号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]然而，由于膜状黏合剂柔软且易于拉伸，因此具有难以通过切割带的扩展而分割的倾向。为了提高基于膜状黏合剂的扩展(尤其，低温(例如，
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15℃～0℃的范围)下的冷却扩展)的分断性，需要增加切割带的扩展量，但由于增加扩展量，切割带的挠曲量也增加，因此有可能对之后的输送工序等带来不良影响。
[0010]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其主要目的在于，提供一种基于冷却扩展的分断性优异的膜状黏合剂。
[0011]用于解决技术课题的手段
[0012]本专利技术的一方式提供一种膜状黏合剂，其用于黏合半导体元件与搭载半导体元件的支承部件。膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂及弹性体。弹性体包括满足下述条件(i)及下述条件(ii)的弹性体。这种膜状黏合剂能够成为基于冷却扩展的分断性优异的黏合剂。
[0013]条件(i)：玻璃化转变温度为12℃以上；
[0014]条件(ii)：重均分子量为80万以下。
[0015]根据本专利技术人等的研究，发现在膜状黏合剂中，通过使用特定的弹性体，具有能够抑制膜状黏合剂的柔软性的倾向。因此，本专利技术人等认为，通过使用这种特定的弹性体，能够抑制膜状黏合剂的柔软性过度提高，作为结果，能够提高冷却扩展时膜状黏合剂的分断性。
[0016]膜状黏合剂可以为如下膜状黏合剂：在包括如下工序且在以下条件下实施的分断性评价方法中，所述膜状黏合剂的割断系数m大于0且为70以下，并且割断阻力R大于0N/mm2且为40N/mm2以下，所述分断性评价方法包括：从膜状黏合剂准备截面积A(mm2)的试样的工序；在
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15℃～0℃的范围的低温条件下通过割断试验求出试样的割断功W(N
·
mm)、割断强度P(N)及割断伸长量L(mm)的工序；求出由下述通式(1)表示的割断系数m的工序；及求出由下述通式(2)表示的割断阻力R(N/mm2)的工序。
[0017]m＝W/[1000
×
(P
×
L)]ꢀꢀ
(1)，
[0018]R＝P/A
ꢀꢀ
(2)，
[0019]<条件>
[0020]试样的宽度：5mm，
[0021]试样的长度：23mm，
[0022]压入夹具与试样的相对速度：10mm/分钟。
[0023]膜状黏合剂还可以含有无机填料。
[0024]本专利技术的另一方式提供一种黏合片，其具备：基材；及上述膜状黏合剂，设置于基材的一个面上。
[0025]本专利技术的另一方式提供一种半导体装置，其具备：半导体元件；支承部件，搭载半导体元件；及黏合部件，设置于半导体元件及支承部件之间，黏合半导体元件与支承部件，黏合部件为上述膜状黏合剂的固化物。
[0026]本专利技术的另一方式提供一种半导体装置的制造方法，其包括使用上述膜状黏合剂来黏合半导体元件与支承部件的工序。
[0027]本专利技术的另一方式提供一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体晶圆上贴附上述黏合片的膜状黏合剂的工序；通过切割贴附有膜状黏合剂的半导体晶圆，制作多个单片化的带有膜状黏合剂的半导体元件的工序；及将带有膜状黏合剂的半导体元件黏合于支承部件上的工序。
[0028]专利技术效果
[0029]根据本专利技术，提供一种基于冷却扩展的分断性优异的膜状黏合剂。并且，根据本专利技术，提供一种使用这种膜状黏合剂的黏合片及半导体装置。此外，根据本专利技术，提供一种使用膜状黏合剂或黏合片的半导体装置的制造方法。
附图说明
[0030]图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖面图。
[0031]图2是示意性地表示固定于夹具的状态的试样的立体图。
[0032]图3是示意性地表示通过压入夹具对试样施加荷重的状态的剖面图。
[0033]图4是示意性地表示割断试验结果的一例的曲线图。
[0034]图5是表示黏合片的一实施方式的示意剖面图。
[0035]图6是表示黏合片的另一实施方式的示意剖面图。
[0036]图7是表示黏合片的另一实施方式的示意剖面图。
[0037]图8是表示半导体装置的一实施方式的示意剖面图。
[0038]图9是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖面图。
具体实施方式
[0039]以下，适当参阅图式对本专利技术的实施方式进行说明。然而，本专利技术并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，除了特别明示的情况以外，其构成要素(也包括步骤等)不是必须的。各图中的构成要素的大小为概念性的大小，构成要素之间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。
[0040]关于本说明书中的数值及其范围也相同，并不限制本专利技术。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围内，一个数值范围所记载的上限值或下限值也可以替换成其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中记载的数值范围内，该数值范围的上限值或下限值也可以替换成实施例中所示的值。
[0041]在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其对应的甲基丙烯酸酯。关于(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酸共聚物等其他类似表述也相同。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种膜状黏合剂，其用于黏合半导体元件与搭载所述半导体元件的支承部件，所述膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂及弹性体，所述弹性体包括满足下述条件(i)及下述条件(ii)的弹性体：条件(i)：玻璃化转变温度为12℃以上；条件(ii)：重均分子量为80万以下。2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，在包括如下工序且在以下条件下实施的分断性评价方法中，所述膜状黏合剂的割断系数m大于0且为70以下，并且割断阻力R大于0N/mm2且为40N/mm2以下，所述分断性评价方法包括：从所述膜状黏合剂准备截面积A(mm2)的试样的工序；在
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15℃～0℃的范围的低温条件下通过割断试验求出所述试样的割断功W(N
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mm)、割断强度P(N)及割断伸长量L(mm)的工序；求出由下通式(1)表示的割断系数m的工序；及求出由下通式(2)表示的割断阻力R(N/mm2)的工序，m＝W/[1000
×
(P
×
L)] (1)，R＝P/A
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...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村奏美，桥本慎太郎，越野美春，山中大辅，谷口纮平，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：