一种数字型硅基像素驱动电路及OLED显示屏制造技术

一种数字型硅基像素驱动电路及OLED显示屏，电源VDD与PMOS管T4的漏极、PMOS管T6的漏极连接；PMOS管T4的源极连接至PMOS管T6的栅极；PMOS管T4的栅极经开关T1连接至data数据输入端；PMOS管T4的栅极连接至NMOS管T5的栅极；NMOS管T5的漏极连接至PMOS管T6的栅极；NMOS管T5的源极连接电源VSS；PMOS管T6的源极连接至发光二极管OLED的阳极，发光二极管OLED的阴极连接至电源负极。采用数字型MOS管实现LOED像素的驱动，控制精度高、无灰度变化，简化了驱动和提高了像素灰度的精确度控制；设置有电位锁存电路使得控制更加稳定，使得开关T1关闭时能够更好的保持发光状态。够更好的保持发光状态。够更好的保持发光状态。

【技术实现步骤摘要】
一种数字型硅基像素驱动电路及OLED显示屏


[0001]本技术涉及OLED显示领域，特别涉及一种适用于OLED像素驱动的数字型硅基像素驱动电路。

技术介绍

[0002]进入21世纪以来，人类对信息技术的需求不断增大，伴随着互联网、移动互联网、物联网的发展，信息呈现爆炸式增长。人类从外界获取信息的方式依然主要来自视觉，因此，显示器作为信息的重要载体，人类对显示技术的需求也日益增加.现阶段显示技术包括阴极射线管，液晶显示器，有机发光显示器等。然而，人们对画质质量需求的提高，电子产品尺寸向更小发展的趋势，液晶显示器(liquid crystal display,LCD)己经取代阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示成为主流显示技术。然而，随着移动互联网的发展，LCD产品增长趋于饱和，人们对更轻薄，低功耗，宽可视角等一系列优点的有机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode,OLED)显示更加青睐，AMOLED更被誉为下一代显示技术。
[0003]尽管AMOELD有诸多优点，然而由于工艺导致的不均匀性，长时间工作带来的电应力影响等因素，导致驱动晶体管阈值电压和迁移率发生漂移，使得OLED驱动电流变化，进而危害显示图像的质量。如何对像素进行驱动控制是显示的重要组成部分，如201611079525.4中就介绍了一种像素驱动电路，但是其利用了晶体管驱动就具有这种缺陷。在现有的平板显示技术中，像素的驱动电路一般集成了驱动晶体管，大多数情况下，像素的发光亮度与驱动电路中的驱动晶体管所输出的电流或电压正成比。现有技术的晶体管驱动电路具有无法适应数字化控制的要求，无法满足像素的稳定可靠性驱动

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种数字型硅基像素驱动电路，采用开关管作为驱动的基础元件，使得驱动像素可以实现提高开关速度同时可以使得信号保持更好。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种数字型硅基像素驱动电路，包括NMOS管T5、PMOS管T4和PMOS管T6，电源VDD与PMOS管T4的漏极、PMOS管T6的漏极连接；PMOS管T4的源极连接至PMOS管T6的栅极；PMOS管T4的栅极经开关T1连接至data数据输入端；PMOS管T4的栅极连接至NMOS管T5的栅极；NMOS管T5的漏极连接至PMOS管T6的栅极；NMOS管T5的源极连接电源VSS；PMOS管T6的源极连接至发光二极管OLED的阳极，发光二极管OLED的阴极连接至电源负极。
[0006]所述开关T1为MOS管，data数据输入端连接至MOS管T1的漏极；MOS管T1的源极连接至PMOS管T4的栅极；MOS管T1的栅极连接控制信号S1。
[0007]所述驱动电路还包括电位锁存电路，所述电位锁存电路用于实现PMOS管T6栅极电位的锁存。
[0008]所述电位锁存电路包括电容C1，所述电容C1的一端连接至电源VDD；电容C1的另一
端连接至PMOS管T4的栅极。
[0009]所述电位锁存电路包括PMOS管T2和NMOS管T3；PMOS管T2的漏极连接电源VDD、源极连接至NMOS管T3的漏极；NMOS管T3的源极连接电源VSS；PMOS管T2的栅极与NMOS管T3的栅极；PMOS管T2的栅极连接至PMOS管T6的栅极；PMOS管T2的源极连接至PMOS管T4的栅极。
[0010]一种OLED显示屏，所述显示屏采用所述的数字型硅基像素驱动电路进行像素发光驱动。
[0011]本技术的优点在于：采用数字型MOS管实现LOED像素的驱动，控制精度高、无灰度变化，简化了驱动和提高了像素灰度的精确度控制；电路简单可靠；设置有电位锁存电路使得控制更加稳定，使得开关T1关闭时能够更好的保持发光状态，保证发光的可靠性。
附图说明
[0012]下面对本专利技术说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0013]图1为本技术驱动电路实施例1原理图；
[0014]图2为本技术驱动电路实施例2原理图；
[0015]图3为本技术中电路工作时序图。
具体实施方式
[0016]下面对照附图，通过对最优实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0017]本申请主要是设计一种数字化驱动的电路方式，实现高精度数字驱动OLED像素从而实现准确可靠的发光。为此本申请设计电路如下：
[0018]实施例1：
[0019]如图1所示，一种数字型硅基像素驱动电路，包括NMOS管T5、PMOS管T4和PMOS管T6，电源VDD与PMOS管T4的漏极、PMOS管T6的漏极连接；PMOS管T4的源极连接至PMOS管T6的栅极；PMOS管T4的栅极经开关T1连接至data数据输入端；PMOS管T4的栅极连接至NMOS管T5的栅极；NMOS管T5的漏极连接至PMOS管T6的栅极；NMOS管T5的源极连接电源VSS；PMOS管T6的源极连接至发光二极管OLED的阳极，发光二极管OLED的阴极连接至电源负极。开关T1为MOS管，data数据输入端连接至MOS管T1的漏极；MOS管T1的源极连接至PMOS管T4的栅极；MOS管T1的栅极连接控制信号S1。
[0020]其工作原理包括：
[0021]OLED像素的驱动芯片发出开关T1开闭控制信号S1以及对应的用于控制OLED像素的data扫描信号；当控制S1开启、data高电位时，T5开启，t4关闭，T6开启；VDD接通至LOED阳极，LOED像素阳极流入电流Ioled；oled发光，实现亮状态；当S1开启，data为低电位时，T4开启，T5关断，T6关断，由于T6的关闭导致VDD无法与OLD像素阳极连通，这样OLED像素无输入电流，LOED像素不发光，实现暗状态从而实现了驱动芯片通过控制信号S1和data信号就可以控制像素的点亮和熄灭；控制信号S1、data信号及电流Ioled之间的时序图如图3所示，可以看出本申请的OLED像素驱动控制的原理。
[0022]在本申请中，设置有电位锁存电路，电位锁存电路包括PMOS管T2和NMOS管T3；PMOS管T2的漏极连接电源VDD、源极连接至NMOS管T3的漏极；NMOS管T3的源极连接电源VSS；PMOS
管T2的栅极与NMOS管T3的栅极；PMOS管T2的栅极连接至PMOS管T6的栅极；PMOS管T2的源极连接至PMOS管T4的栅极。当data输入为高电平时，T5导通，T6导通；导致T2栅极是低电压，T2导通，T3关断；T2导通导致T5栅极持续高电平，那就T5持续导通，这样就会实现了A点电位的保持高电平，A点被拉低至VSS低电平；同理当data是低电平是，T5关断，T4导通，T6关断；T3导通，T2关断，T3导通使得T5栅极拉低电平，T5关断，T4导通，保持A点电位。从而实现了A点电位的保持，使得在S1切换时保证T6管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数字型硅基像素驱动电路，其特征在于：包括NMOS管T5、PMOS管T4和PMOS管T6，电源VDD与PMOS管T4的漏极、PMOS管T6的漏极连接；PMOS管T4的源极连接至PMOS管T6的栅极；PMOS管T4的栅极经开关T1连接至data数据输入端；PMOS管T4的栅极连接至NMOS管T5的栅极；NMOS管T5的漏极连接至PMOS管T6的栅极；NMOS管T5的源极连接电源VSS；PMOS管T6的源极连接至发光二极管OLED的阳极，发光二极管OLED的阴极连接至电源负极。2.如权利要求1所述的一种数字型硅基像素驱动电路，其特征在于：所述开关T1为MOS管，data数据输入端连接至MOS管T1的漏极；MOS管T1的源极连接至PMOS管T4的栅极；MOS管T1的栅极连接控制信号S1。3.如权利要求1或2所述的一种数字型硅基像素驱动电路，其特征在于：所述驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：