用于SiCMOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统及其方法技术方案

本发明专利技术涉及一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统及其方法，包括依次连接的电源模块、高温偏置试验电路板、信号监测模块和信号采集模块，其中，电源模块通过外接电源信号向高温偏置试验电路板接入试验应用条件的栅极电压；信号监测模块用于监测实时的栅极、漏极电流信号，并传输给信号采集模块完成最终试验数据的计算整理和存储；高温偏置试验电路板连接有温度控制模块，用于提供试验条件所需温度。与现有技术相比，本发明专利技术能够在不中断试验的情况下进行实时的阈值电压在线监测，降低可靠性试验过程中的数据延迟问题，能够同时采集栅极、漏极实时电流信号，保证了采集数据与实际试验过程的同步。采集数据与实际试验过程的同步。采集数据与实际试验过程的同步。

【技术实现步骤摘要】
用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统及其方法


[0001]本专利技术涉及SiC MOSFET可靠性测试
，尤其是涉及一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统及其方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件栅氧化层的可靠性对器件的正常运行至关重要，栅氧化层的退化会引起功率器件的电参数的不稳定性，甚至引起栅氧化层的击穿而导致器件失效，因此，监测栅氧化层状态，对于确保器件的高可靠性而言具有重要意义。
[0003]随着半导体工艺的发展，栅氧化层的厚度也在逐渐的降低。然而，工作电压不会按照相同的步伐降低，器件内部的电场会不断地增加，即使在正常工作期间，内部电场也会导致功率器件栅氧化层性能随时间下降。其次，偏置温度应力和电离辐射都会使栅氧化层发生退化，栅氧化层可靠性势必成为一个突出的问题。当功率半导体器件的栅氧化层退化后，将引起功率器件电参数的不稳定性，甚至引起栅氧化层的击穿而导致器件失效。因此，功率半导体器件的栅氧化层可靠性研究是有必要的，偏置温度不稳定性和高电场应力是当前MOSFET技术可靠性中最重本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统，其特征在于，包括依次连接的电源模块(1)、高温偏置试验电路板(2)、信号监测模块(3)和信号采集模块(4)，所述电源模块(1)通过外接电源信号向高温偏置试验电路板(2)接入试验应用条件的栅极电压；所述信号监测模块(3)用于监测实时的栅极、漏极电流信号，并传输给信号采集模块(4)完成最终试验数据的计算整理和存储。2.根据权利要求1所述的一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统，其特征在于，所述高温偏置试验电路板(2)连接有温度控制模块(5)，用于提供试验条件所需温度。3.根据权利要求2所述的一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统，其特征在于，所述信号监测模块(3)包括多个独立的监测单元，所述多个独立的监测单元分别连接至总接口单元，所述总接口单元集成有电源输入接口、数据监测接口、地线。4.根据权利要求3所述的一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统，其特征在于，所述监测单元的数量与待试验MOSFET器件的数量相同。5.根据权利要求3所述的一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电压在线监测系统，其特征在于，所述监测单元包括一个待试验MOSFET器件，所述待试验MOSFET器件的栅极和漏极分别连接有电流采集子单元，所述待试验MOSFET器件的栅极端设置有栅极信号输出端口和栅极电压输入接口，所述待试验MOSFET器件的漏极端设置有漏极信号输出端口和漏极电压输入接口。6.根据权利要求5所述的一种用于SiC MOSFET可靠性测试的阈值电...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊嘉杰，侯欣蓝，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：