像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本公开提供了一种像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质，其中，该像素单元结构的操作方法包括：确定像素单元结构的初始态；基于初始态，根据设定曝光操作规则对像素单元结构执行N个连续的子曝光操作，其中N为正整数，且N≥2；以及响应于N个连续的子曝光操作，读出像素单元结构的输出电流。因此，可以大幅优化如UTBB图像传感器的像素单元结构的光强响应曲线，显著改善其拍摄图像时的细节、层次、特征。征。征。

【技术实现步骤摘要】
像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质


[0001]本公开涉及图像传感器
和半导体器件
，尤其涉及一种像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]基于超薄体和掩埋氧化物(UTBB)工艺技术的四端晶体管是一种新兴的光电传感器件，能够在单个晶体管内就完成传统CMOS图像传感器像素电路的感光、存储、读出等功能，从而可以实现更高硬件集成度和更低功耗开销的UTBB图像传感器。图像传感器的理想光强响应在常数坐标下为对数曲线，但基于传统操作方法得到的UTBB图像传感器的光强响应曲线在宽光强范围内呈现典型的线性
‑
对数(Linear
‑
Logarithmic)特征，与理想光强响应曲线有着较大差异，因而拍摄图像时的细节、层次、特性较差，难以提升UTBB图像传感器在高动态范围内的成像效果。

技术实现思路

[0003](一)要解决的技术问题
[0004]为解决现有技术存在的上述技术问题至少之一，本公开实施例提供了一种像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质，用于调制UTB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素单元结构的操作方法，其中，包括：确定所述像素单元结构的初始态；基于所述初始态，根据设定曝光操作规则对所述像素单元结构执行N个连续的子曝光操作，其中N为正整数，且N≥2；以及响应于所述N个连续的子曝光操作，读出所述像素单元结构的输出电流。2.根据权利要求1所述的像素单元结构的操作方法，其中，在所述确定所述像素单元结构的初始态中，包括：控制所述像素单元结构的栅极电压、漏极电压、源极电压和阱电压为0，以确定所述初始态；或者向所述像素单元结构施加栅极电压V
G开
和漏极电压V
D开
，同时控制所述像素单元结构的源极电压和阱电压为0，以确定所述初始态。3.根据权利要求1所述的像素单元结构的操作方法，其中，在所述基于所述初始态，根据设定曝光操作规则对所述像素单元结构执行N个连续的子曝光操作中，包括：根据设定曝光操作规则，在所述N个连续的子曝光操作中的第一子曝光周期T1中向所述像素单元结构施加第一阱电压V
B1
，在所述N个连续的子曝光操作中的第二子曝光周期T2中向所述像素单元结构施加第二阱电压V
B2
，
…
，直至在所述N个连续的子曝光操作中的第N子曝光周期TN中向所述像素单元结构施加第N阱电压V
BN
。4.根据权利要求3所述的像素单元结构的操作方法，其中，在所述基于所述初始态，根据设定曝光操作规则对所述像素单元结构执行N个连续的子曝光操作中，还包括：控制所述像素单元结构的栅极电压、漏极电压和源极电压为0，以完成所述N个连续的子曝光操作的执行；或者保持所述像素单元结构的栅极电压V
G开
和漏极电压V
D开，，
，同时控制所述像素单元结构的源极电压为0，以完成所述N个连续的子曝光操作的执行。5.根据权利要求3所述的像素单元结构的操作方法，其中，第一子曝光周期T1、第二子曝光周期T2、
…<...

【专利技术属性】
技术研发人员：周正，李嘉琦，于贵海，刘晓彦，康晋锋，黄鹏，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：