液晶聚合物膜及其制造方法、以及层叠体技术

包含液晶聚合物且具有上述液晶聚合物的密度低的部分和上述液晶聚合物密度高的部分的液晶聚合物膜、包含液晶聚合物及与上述液晶聚合物不相溶的化合物的液晶聚合物膜、包含液晶聚合物及化合物A且上述液晶聚合物的基于Hoy法的SP值与化合物A的基于Hoy法的SP值之差的绝对值为0.1MPa

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶聚合物膜及其制造方法、以及层叠体


[0001]本专利技术涉及一种液晶聚合物膜及其制造方法、以及层叠体。

技术介绍

[0002]近年来，在通信设备中使用的频率具有变得非常高的倾向。为了抑制高频带中的传输损失，要求降低在电路板中使用的绝缘材料的相对介电常数和介电损耗角正切。
[0003]以往，作为用于电路板的绝缘材料，常用聚酰亚胺，但为高耐热性及低吸水性且高频段的损耗小的液晶聚合物受到关注。
[0004]作为现有的聚合物膜，例如，专利文献1中公开了一种至少含有液晶聚酯的液晶聚酯膜，其中，将第1取向度设为相对于与上述液晶聚酯膜的主表面平行的第1方向的取向度且将第2取向度设为相对于与上述主表面平行且与上述第1方向正交的第2方向的取向度时，上述第1取向度与上述第2取向度之比即第1取向度/第2取向度为0.95以上1.04以下，在与上述主表面平行的方向上通过广角X射线散射法测定的上述液晶聚酯的第3取向度为60.0％以上。
[0005]并且，作为现有的微孔性膜，已知有专利文献2中所记载的膜。
[0006]专利文献2中，记载了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种液晶聚合物膜，其包含液晶聚合物，且具有所述液晶聚合物的密度低的部分和所述液晶聚合物密度高的部分。2.根据权利要求1所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物的密度低的部分包括空隙。3.根据权利要求1或2所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物的密度低的部分和所述液晶聚合物密度高的部分具有互穿网状结构、圆柱结构、层状结构或海岛结构。4.一种液晶聚合物膜，其包含液晶聚合物、及与所述液晶聚合物不相溶的化合物。5.一种液晶聚合物膜，其包含液晶聚合物及化合物A，所述液晶聚合物的基于Hoy法的SP值与所述化合物A的基于Hoy法的SP值之差的绝对值为0.1MPa
0.5
以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物膜具有层A和在所述层A的至少一个面上的层B。7.根据权利要求6所述的液晶聚合物膜，其还具有层C，所述液晶聚合物膜依次具有所述层B、所述层A、所述层C。8.根据权利要求1至7中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物膜的线膨胀系数为
‑
20ppm/K～50ppm/K。9.根据权利要求1至8中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物膜的介电损耗角正切为0.01以下。10.根据权利要求1至9中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物膜包含填料。11.根据权利要求10所述的液晶聚合物膜，其中，所述填料的数密度在所述液晶聚合物膜的内部大于表面。12.根据权利要求1至11中任一项所述的液晶聚合物膜，其中，所述液晶聚合物具有由式(1)～式(3)中的任意者表示的结构单元，式(1)
‑
O
‑
Ar1‑
CO
‑
式(2)
‑
CO
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐田泰行，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：