树脂掩膜剥离用清洗剂组合物制造技术

本发明专利技术在一个方式中，提供一种抑制基板树脂的损伤，且树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明专利技术在一个方式中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有氢氧化季铵(成分A)、氨基醇(成分B)、芳香族醇(成分C)及水(成分D)，成分D与成分C的质量比D/C为10以上。上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂掩膜剥离用清洗剂组合物


[0001]本专利技术涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、及使用其的电子部件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，个人电脑、各种电子设备的低能耗化、处理速度的高速化、小型化不断发展，它们所搭载的封装基板等的布线的微细化程度逐年提升。迄今为止，主要使用金属掩膜法形成这种微细布线以及柱、凸块等连接端子，但由于该方法通用性低、难以应对布线等的微细化，因此逐渐变为其他新的方法。
[0003]作为新的方法之一，已知有一种使用干膜抗蚀剂代替金属掩膜作为厚膜树脂掩膜的方法。该树脂掩膜最终被剥离、去除，此时使用碱性剥离用清洗剂。
[0004]作为碱性剥离用清洗剂，例如日本特开2007
‑
224165号公报(专利文献1)中记载有一种两用清洗剂，其可同时清洗助焊剂及干膜抗蚀剂，其特征在于：相对于总量，将苄醇的添加量设为5～94重量％的范围内的值，将胺化合物设为1～50重量％的范围内的值，且将水设为3～90重量％的范围内的值。
[0005]另外，日本特开2015
‑
79244号公报(专利文献2)中，关于可兼顾焊料凸块的加热处理后的树脂掩膜的去除的促进和焊料腐蚀的抑制、可提升焊料连接可靠性的清洗剂，记载有一种树脂掩膜用清洗剂组合物，其在清洗剂组合物100质量份中，含有特定的氢氧化季铵0.5质量份以上且3.0质量份以下、水溶性胺3.0质量份以上且10.0质量份以下、酸或其铵盐0.3质量份以上且2.5质量份以下、及水50.0质量份以上且95.0质量份以下。

技术实现思路

[0006]本专利技术在一个方式中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有氢氧化季铵(成分A)、氨基醇(成分B)、芳香族醇(成分C)及水(成分D)，成分D与成分C的质量比D/C为10以上。
[0007]本专利技术在一个方式中涉及一种清洗方法，其包括使用本专利技术的清洗剂组合物从附着有树脂掩膜的被清洗物将树脂掩膜剥离的工序，树脂掩膜是实施了曝光及显影中的至少一种处理的负型干膜抗蚀剂。
[0008]本专利技术在一个方式中涉及一种电子部件的制造方法，其包括使用本专利技术的清洗剂组合物清洗具有树脂掩膜的电子电路基板的工序。
[0009]本专利技术在一个方式中涉及一种本专利技术的清洗剂组合物的用途，其用于从附着有树脂掩膜的被清洗物将树脂掩膜剥离。
附图说明
[0010]图1A是示出被清洗基板的外观的一例的照片，图1B是示出使用了实施例1～2的清洗剂组合物的清洗后的基板表面的外观的一例的照片，图1C是示出使用了比较例1的清洗
剂组合物的清洗后的基板表面的外观的一例的照片。
具体实施方式
[0011]在印刷基板等形成微细布线后，为了减少树脂掩膜的残存，进而为了减少用于形成微细布线、凸块的焊料、镀覆液等所含的助剂等的残存，要求清洗剂组合物具有高的清洗性。
[0012]此处，树脂掩膜是指使用因光、电子束等而在显影液中的溶解性等物性发生变化的抗蚀剂所形成的物质。关于抗蚀剂，根据与光、电子束的反应方法，可大致分为负型及正型。
[0013]负型抗蚀剂具有曝光时在显影液中的溶解性降低的特性，关于包含负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀剂层”)，在曝光及显影处理后，曝光部用作树脂掩膜。
[0014]正型抗蚀剂具有曝光时在显影液中的溶解性增大的特性，关于包含正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀剂层”)，在曝光及显影处理后，曝光部被去除，未曝光部用作树脂掩膜。通过使用具有这种特性的树脂掩膜，可形成金属布线、金属柱、焊料凸块等电路基板的微细的连接部。
[0015]然而，随着布线的微细化，去除存在于微细间隙中的树脂掩膜变得困难，因此要求清洗剂组合物具有高的树脂掩膜去除性。
[0016]另一方面，为了实现电子设备的小型化、处理速度的高速化、以及降低能耗，布线的微细化正在推进。若布线宽度变窄，则电阻变大，有发热而导致电子设备的功能降低的风险。为了减小电阻而不使布线基板的面积变大，采用增加布线高度的对策。因此，用于形成布线的树脂掩膜变厚，与布线的接触面积增加，进而，布线间距也随着微细化而变窄，由此，树脂掩膜变得难以去除。尤其是，为了绘制微细布线而使用高能量的低波长光，但由于树脂掩膜厚，因此树脂掩膜表面至基板的距离变长，基于曝光的光聚合的反应率在表面与基板接触面之间产生差异，表面的反应过度推进，若不强化渗透性，则清洗剂组合物无法从树脂掩膜表面渗透，树脂掩膜变得难以去除。
[0017]另外，在专利文献1的技术中，存在电子电路基板所使用的阻焊剂等树脂产生损伤的情况。
[0018]因此，本专利技术提供一种抑制基板树脂的损伤，并且树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物及使用其的电子部件的制造方法。
[0019]根据本专利技术，能够提供一种抑制基板树脂的损伤，并且树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物及使用其的电子部件的制造方法。
[0020]本专利技术基于如下见解：通过使用包含特定的碱性化合物，进而以特定的质量比包含水与芳香族醇的清洗剂组合物，可抑制基板树脂的损伤，并且可高效率地将树脂掩膜从基板表面去除。
[0021]本专利技术在一个方式中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物(以下也称为“本专利技术的清洗剂组合物”)，其含有氢氧化季铵(成分A)、氨基醇(成分B)、芳香族醇(成分C)及水(成分D)，成分D与成分C的质量比(D/C)为10以上。
[0022]根据本专利技术，能够提供一种树脂掩膜去除性优异，且可抑制基板树脂的损伤的清洗剂组合物。而且，通过将本专利技术的清洗剂组合物用于具有树脂掩膜的电子电路基板等电
子部件的清洗，可以高的产率获得高品质的电子部件。
[0023]表现本专利技术的效果的作用机制的详情虽有不明确的部分，但推定如下。
[0024]认为氢氧化季铵(成分A)及氨基醇(成分B)渗透至树脂掩膜内而促进配合在树脂掩膜中的碱可溶性树脂的解离，进而，通过发生因解离而产生的电荷的排斥，从而促进树脂掩膜的剥离。而且，认为由于氢氧化季铵(成分A)及氨基醇(成分B)对于树脂掩膜的渗透速度不同，因此可抑制树脂掩膜表面的碱可溶性树脂急剧解离，抑制成为渗透阻碍的仅在树脂掩膜表面的电荷排斥。
[0025]另一方面，认为芳香族醇(成分C)与氢氧化季铵(成分A)及氨基醇(成分B)一同渗透至树脂掩膜中，促进渗透而进一步促进碱可溶性树脂的剥离性。另外，芳香族醇(成分C)若渗透至用于基板的树脂中，则树脂产生损伤，但通过增加水(成分D)的比例，芳香族醇(成分C)在清洗剂中的溶解成为优先，向基板树脂的渗透受到抑制。
[0026]但是，本专利技术的解释无需限定于该机制。
[0027]在本专利技术中，树脂掩膜是指保护物质表面免受蚀刻、镀覆、加热等处理的掩膜，即作为保护膜发挥功能的掩膜。作为树脂掩膜，在一个或多个实施方式中，可举出：曝光及显影工序后的抗蚀剂层、实施了曝光及显影中的至少一种处理(以下也称为“经曝光和/或显影处理”)的抗蚀剂层、或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有氢氧化季铵即成分A、氨基醇即成分B、芳香族醇即成分C、及水即成分D，成分D与成分C的质量比D/C为10以上。2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其中，成分C的含量为0.1质量％以上且10质量％以下。3.根据权利要求1或2所述的清洗剂组合物，其中，成分D的含量为60质量％以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分B的含量为0.3质量％以上且30质量％以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A的含量为0.1质量％以上且5质量％以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分B为下述式(II)所表示的化合物，在所述式(II)中，R5表示氢原子、甲基、乙基或氨基乙基，R6表示氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基或乙基，R7表示羟乙基或羟丙基。7.根据权利要求1至6中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分D与成分C的质量比D/C为10以上且40以下。8.根据权利要求1至7中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田晃平，西勋，久保元气，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：