【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及银浆和低温烧结工艺，尤其是用以提高硅基电池的短路电流、开路电 压，降低串联电阻的适用于高方阻(方阻是方块电阻的简称，高方阻是高阻值方块电阻的 简称，在本专利技术中，高方阻是指60欧姆以上的方块电阻)的低温烧结技术。
技术介绍
在硅基太阳能电池中银栅线的印刷烧结是尤为重要的，其对电池片性能的影响主 要表现在串联电阻，因而也表现在填充因子上。从尺度上讲，传统工艺中银被驱赶得太深，因银硅合金区域很高的电阻率而使得 其所在位置的PN结所收集到的电子几乎不能直接穿过该银硅合金区域，这就使得作为 金属电极的银栅线对电子的收集只集中在栅线的边沿区域；而相比于银栅线与硅的总接 触面积来说，边沿区域的接触面积只占大约1%。由于银具有较高的功函数，银与硅的接 触很难实现欧姆接触。这个问题可以通过高浓度的磷扩散以防止银与N-型硅之间形成 Schottky (肖特基)势垒从而实现欧姆接触。然而，遗憾的是，最浓的磷扩散区域靠近硅片 的表面。因此，如果银被驱赶得太深，一方面会使得高导电性的磷扩散区域被封闭；另一方 面还会使得银与磷掺杂浓度较低的硅区域接触而形成Schottky...
【技术保护点】
适用于高方阻的低温烧结技术，其特征是：将欲扩散的方块电阻调节至６６～７５欧姆之间，将银浆按照０．４～０．６克的湿重印刷在方块电阻上，再将印刷了银浆的方块电阻以３０００～５０００ｍｍ／ｍｉｎ的速度穿越２００～４５０℃的低温烧结炉进行烧结。
【技术特征摘要】
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