晶圆的背面处理方法技术

本发明专利技术公开一种晶圆的背面处理方法，该方法首先提供一待处理的晶圆，该晶圆具有一正面以及一相对于该正面的背面，接着将一暂时性黏着层贴附于该晶圆的该正面，然后在该晶圆固定于该暂时性黏着层的状态下，对该晶圆的该背面依序进行研磨、蚀刻与金属化工艺。因此，能简化工艺步骤、缩短工艺时间、降低成本，以及提高良率和总产出量。率和总产出量。率和总产出量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的背面处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺，特别是涉及一种半导体晶圆制造工艺中的晶圆的背面处理方法。

技术介绍

[0002]许多半导体晶圆制造工艺后期都会进行背面研磨(Back Grinding)及背面金属化(Back Metallization)，背面研磨可以使晶圆薄形化，以利后续的晶圆切割及封装，而背面金属化可以在晶圆背面形成导热或导电用的金属层。
[0003]一般在进行晶圆的背面研磨时，会在晶圆的正面贴附一层胶带，胶带的主要功能是在研磨期间完全保护芯片表面，并防止研磨液的渗入而造成污染。然而，晶圆被研磨减薄后容易因应力作用而产生翘曲，严重的翘曲会影响产品良率及半导体器件的可靠度。另外，晶圆的背面金属化大多是在高温条件下进行的，因此需要先将胶带移除，并将晶圆转移至静电吸盘(E
‑
chuck)等耐高温载具。
[0004]综上所述，从晶圆的背面研磨到背面金属化，不仅流程相当繁复，也相当耗费时间(工艺时间、转移等待时间等)及成本(E
‑
chuck为高单价且高损耗的载具)，而且晶圆的翘曲度需要被控制和矫正。除此之外，现有的胶带存在许多使用问题，例如渗酸、残胶，这些都会造成良率的损失。

技术实现思路

[0005]本专利技术着重于改善现有的晶圆背面研磨和金属镀膜工艺(Backside Grinding and Backside Metallization,BGBM)的不足，所采用的技术手段是：利用特殊的暂时性黏着层对半导体晶圆提供固定支撑作用，同时抑制半导体晶圆的翘曲(warpage)，并在半导体晶圆固定于该暂时性黏着层的状态下，先后进行背面研磨、背面蚀刻与背面金属化，且视需要可另外进行热处理，以使半导体晶圆中的应力释放。
[0006]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种晶圆的背面处理方法，其包括：提供一待处理的晶圆，该晶圆具有一正面以及一相对于该正面的背面；将一暂时性黏着层贴附于该晶圆的该正面；以及在该晶圆固定于该暂时性黏着层的状态下，对该晶圆的该背面依序进行研磨、蚀刻与金属化工艺。
[0007]在本专利技术的一具体实施例中，在研磨的步骤中，该晶圆被减薄至一预定厚度。
[0008]在本专利技术的一具体实施例中，在蚀刻的步骤中，是将经研磨的该晶圆浸泡于一酸蚀刻液中，使该酸蚀刻液对经研磨的该晶圆的该背面进行蚀刻；蚀刻条件包括：浸泡温度为20℃至60℃，浸泡时间为100秒至500秒。
[0009]在本专利技术的一具体实施例中，所述晶圆的背面处理方法还包括：在蚀刻的步骤之后，使用一化学药液对经蚀刻的该晶圆进行清洗的步骤。
[0010]在本专利技术的一具体实施例中，所述晶圆的背面处理方法还包括：在蚀刻的步骤与金属化的步骤之间，对该晶圆进行烘烤以使其中的应力释放的步骤；烘烤温度为100℃至
250℃，且烘烤时间为5分钟至30分钟。
[0011]在本专利技术的一具体实施例中，所述晶圆的背面处理方法还包括：在金属化的步骤之后，在120℃至250℃的温度下将该暂时性黏着层从经金属化的该晶圆的该正面分离的步骤。
[0012]在本专利技术的一具体实施例中，该暂时性黏着层包括一聚亚酰胺基底层以及一形成于该基底层上的黏胶层，且该黏胶层具有一初始剥离力，该初始剥离力为200gf/in至800gf/in。
[0013]在本专利技术的一具体实施例中，该黏胶层在120℃至250℃的温度下具有一介于20gf/in至100gf/in之间的剥离力。
[0014]在本专利技术的一具体实施例中，该聚亚酰胺基底层的厚度为25μm至75μm，且该黏胶层的厚度为30μm至50μm。
[0015]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的晶圆的背面处理方法，其能通过“将一暂时性黏着层贴附于该晶圆的该正面，并在该晶圆固定于该暂时性黏着层的状态下，对该晶圆的该背面依序进行研磨、蚀刻与金属化工艺”的技术特征，以将现有的BGBM工艺改为一段式工艺，并能简化工艺步骤、缩短工艺时间、降低成本(包括设备、人力、原料等的成本)，以及提高良率和总产出量。
[0016]为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的其中一流程图。
[0018]图2为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的步骤S101的示意图。
[0019]图3为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法所使用的暂时性黏着层的内应力分布示意图。
[0020]图4为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法所使用的暂时性黏着层的结构示意图。
[0021]图5为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的步骤S102的示意图。
[0022]图6为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的步骤S103的示意图。
[0023]图7为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的步骤S105的示意图。
[0024]图8为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的步骤S106的示意图。
[0025]图9为本专利技术实施例的晶圆的背面处理方法的另外一流程图。
具体实施方式
[0026]以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“晶圆的背面处理方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语
“
或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0027]第一实施例
[0028]参阅图1所示，本专利技术第一实施例提供一种晶圆的背面处理方法，其至少包括下列几个步骤：步骤S100，提供一待处理的晶圆；步骤S101，将一暂时性黏着层贴附于晶圆的正面；步骤S102，在晶圆固定于暂时性黏着层的状态下，对晶圆的背面进行研磨；步骤S103，在晶圆固定于暂时性黏着层的状态下，对晶圆的背面进行蚀刻；以及步骤S106，在晶圆固定于暂时性黏着层的状态下，对晶圆的背面进行金属化。
[0029]配合参阅图2所示，步骤S100所提供的待处理的晶圆1可为任何合适的半导体晶圆，例如半导体工艺中使用的硅晶圆。晶圆1的尺寸可为4英寸(in)、6英寸、8英寸或12英寸，晶圆1具有一正面101及一相对于正面101的背面102，其中在晶圆1的正面101上已完成集成电路的制作，例如微处理器、微控制器、存储器或特殊应用的集成电路。
[0030]配合参阅图2至图4所示，在步骤S102中，可通过贴膜机将暂时性黏着层2贴附于晶圆1的正面101。暂时性黏着层2具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的背面处理方法，其特征在于，所述晶圆的背面处理方法包括：提供一待处理的晶圆，该晶圆具有一正面以及一相对于该正面的背面；将一暂时性黏着层贴附于该晶圆的该正面；以及在该晶圆固定于该暂时性黏着层的状态下，对该晶圆的该背面依序进行研磨、蚀刻与金属化工艺。2.根据权利要求1所述的晶圆的背面处理方法，其特征在于，在研磨的步骤中，该晶圆被减薄至一预定厚度。3.根据权利要求1所述的晶圆的背面处理方法，其特征在于，在蚀刻的步骤中，是将经研磨的该晶圆浸泡于一酸蚀刻液中，使该酸蚀刻液对经研磨的该晶圆的该背面进行蚀刻；蚀刻条件包括：浸泡温度为20℃至60℃，浸泡时间为100秒至500秒。4.根据权利要求3所述的晶圆的背面处理方法，其特征在于，所述的晶圆的背面处理方法还包括：在蚀刻的步骤之后，使用一化学药液对经蚀刻的该晶圆进行清洗的步骤。5.根据权利要求1所述的晶圆的背面处理方法，其特征在于，所述晶圆的背面处理方法还包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林懋庭，林俊翰，
申请(专利权)人：崇越科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：