防静电阵列基板及液晶显示面板制造技术

本申请提供一种防静电阵列基板及液晶显示面板。防静电阵列基板包括基板、显示区域、非显示区域、和防静电电路；防静电电路位于非显示区域，包括依次层叠的栅极、第一绝缘层、有源层、光敏材料半导体层、源极和漏极；其中，源/漏极与栅极相对，且源/漏极在基板表面的正投影在栅极在基板的正投影区域内；有源层为连续的膜层结构，有源层夹设在栅极和源/漏极之间；栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。本申请的防静电阵列基板疏导自由电子能力强，屏蔽自由电子效果好，能够保护液晶显示面板的内部电路。示面板的内部电路。示面板的内部电路。

【技术实现步骤摘要】
防静电阵列基板及液晶显示面板


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种防静电阵列基板及采用该防静电阵列基板的液晶显示面板。

技术介绍

[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的液晶显示面板是目前市场占有率最多的面板。常见的液晶显示模式有四种类型：扭曲向列相(TN)、垂直取相(VA)、面内转换(IPS)、边缘场转换(FFS)。其中，对于时刻处在运动状态中的航天、汽车、地铁等行业均采用了IPS硬屏。由于IPS响应速度快、可视角度大、色彩真实、画面出色触等优点，也被广泛应用于TV、手机、notebook等领域。
[0003]面内转换液晶显示是由电场驱动转动，因此，保护面内电路，提高静电防护等级对提高IPS产品品质至关重要。然而，现有的面内液晶显示面板的防静电措施只能屏蔽部分静电，且静电疏导能力不足。

技术实现思路

[0004]鉴于上述技术问题，本申请提供一种防静电阵列基板以及液晶显示面板，提高防静电阵列基板疏导自由电子的能力，且基本能够屏蔽全部自由电子。
[0005]第一方面，一种防静电阵列基板，包括一基板、基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，一防静电电路设置在非显示区域靠近基板边缘的一侧，防静电电路包括：
[0006]栅极，设置于基板的表面，栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将栅极关于第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；
[0007]第一绝缘层，设置于栅极背离基板的表面以及第一凹陷对应的基板的表面，且第一绝缘层为连续的膜层结构；
[0008]有源层，设置于第一绝缘层背离栅极的表面，且有源层为连续的膜层结构，有源层在基板表面的正投影在栅极在基板表面的正投影的区域内；
[0009]光敏材料半导体层，设置于有源层背离第一绝缘层的表面，光敏材料半导体层为具有第二凹陷的膜层结构，且第二凹陷与栅极的第一凹陷在基板表面的投影重合；
[0010]源极和漏极，设置于光敏材料半导体层背离有源层的表面且互相分隔，源极与栅极的第一区域相对设置，漏极与栅极的第二区域相对设置，且源极在基板表面的正投影在栅极的第一区域在基板表面的正投影的区域内，漏极在基板表面的正投影在栅极的第二区域在基板表面的正投影的区域内，
[0011]将有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分夹设在栅极的第一区域和源极之间，第二部分夹设在栅极的第二区域和漏极之间，第三部分设置在源极和漏极的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。
[0012]可选地，包括至少两个防静电电路间隔设置在非显示区域靠近基板边缘一侧，每个防静电电路的栅极接收一个交流电压信号。
[0013]可选地，所述光敏材料半导体层包括氢化非晶硅和/或低温多晶硅。
[0014]可选地，源极和漏极背离有源层的表面，以及源极和漏极分隔区域的有源层的表面设置第二绝缘层，第二绝缘层的材料包括聚硫酸铝(PAS)。
[0015]可选地，源极和漏极之间的分隔距离大于0μm小于5μm，源极和/或漏极的线宽大于等于3μm小于等于50μm。
[0016]可选地，交流电压信号为外部时钟脉冲信号线传输的时钟脉冲信号，低电位信号通过低电位信号线传输，时钟脉冲信号线和低电位信号线设置在防静电电路和显示区域之间的非显示区域。
[0017]可选地，还包括栅极驱动电路形成在基板上，栅极驱动电路设置在低电位信号线和时钟脉冲信号线与显示区域之间，栅极驱动电路用于接收外部时钟脉冲信号线传输的时钟脉冲信号，并向显示区域传输栅极驱动信号。
[0018]可选地，栅极与栅极驱动电路的距离大于30μm。
[0019]第二方面，一种防静电阵列基板，包括一基板、基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，一防静电电路设置在非显示区域靠近基板边缘的一侧，防静电电路包括：
[0020]栅极，设置于基板的表面，栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将栅极关于第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；
[0021]第一绝缘层，设置于栅极背离基板的表面以及第一凹陷对应的基板的表面，且第一绝缘层为连续的膜层结构；
[0022]有源层，设置于第一绝缘层背离栅极的表面，且有源层为连续的膜层结构，有源层在基板表面的正投影在栅极在基板表面的正投影的区域内，有源层的材料为光敏半导体材料；
[0023]源极和漏极，设置于有源层背离第一绝缘层的表面且互相分隔，源极与栅极的第一区域相对设置，漏极与栅极的第二区域相对设置，且源极在基板表面的正投影在栅极的第一区域在基板表面的正投影的区域内，漏极在基板表面的正投影在栅极的第二区域在基板表面的正投影的区域内，
[0024]将有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分夹设在栅极的第一区域和源极之间，第二部分夹设在栅极的第二区域和漏极之间，第三部分设置在源极和漏极的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。
[0025]第三方面，本申请提供一种液晶显示面板，包括上述任一防静电阵列基板。
[0026]本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请的防静电阵列基板通过在非显示区域靠近基板边缘一侧设置防静电电路，防静电电路中源/漏极和栅极相对设置，源/漏极在基板表面的正投影均位于栅极在基板表面的正投影的区域内，有源层为连续的膜层结构，且有源层的两端部分夹持在源/漏极和栅极之间，中间部分位于源极和漏极之间的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置，当基板表面或基板外部产生自由电子时，漏极的电位升高，源极和漏极之间产生电位差，自由电子被电场俘获，俘获的自由电子形成的电子电流导通源极和漏极之间的沟道将自由电子传导到源极，并通过源极传导到公共电极或电线接地端导走，进而起到疏导静电的作用。而且栅极接交流电压，电场不停变换，自由电子不停运动，自由电子俘获空穴形成电子电流的能力增强，对自由电子的俘获能力更强，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。另外，防静电电路中包括光敏半
导体材料层，而且源极和漏极分隔设置于光敏材料半导体层的表面，在栅极的第一凹陷处，背光光源能够照射到光敏半导体材料层，光敏半导体材料的电子迁移率较高，单位电场强度下所产生的电子平均漂移速度较大，能够增大源极和漏极之间的电流，故更容易俘获自由电子，即增强自由电子导通能力，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。因此，防静电电路在防静电阵列基板上形成了一道对自由电子疏导能力强的静电防护墙。因此，本申请的防静电阵列基板基本能够屏蔽全部自由电子，进而能够保护液晶显示面板的内部电路。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0028]图1是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防静电阵列基板，包括一基板、所述基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，其特征在于，一防静电电路设置在所述非显示区域靠近所述基板边缘的一侧，所述防静电电路包括：栅极，设置于所述基板的表面，所述栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将所述栅极关于所述第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；第一绝缘层，设置于所述栅极背离所述基板的表面以及所述第一凹陷对应的所述基板的表面，且所述第一绝缘层为连续的膜层结构；有源层，设置于所述第一绝缘层背离所述栅极的表面，且所述有源层为连续的膜层结构，所述有源层在所述基板表面的正投影在所述栅极在所述基板表面的正投影的区域内；光敏材料半导体层，设置于所述有源层背离所述第一绝缘层的表面，所述光敏材料半导体层为具有第二凹陷的膜层结构，且所述第二凹陷与所述栅极的第一凹陷在所述基板表面的投影重合；源极和漏极，设置于所述光敏材料半导体层背离所述有源层的表面且互相分隔，所述源极与所述栅极的第一区域相对设置，所述漏极与所述栅极的第二区域相对设置，且所述源极在所述基板表面的正投影在所述栅极的第一区域在所述基板表面的正投影的区域内，所述漏极在所述基板表面的正投影在所述栅极的第二区域在所述基板表面的正投影的区域内，将所述有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分夹设在所述栅极的第一区域和所述源极之间，所述第二部分夹设在所述栅极的第二区域和所述漏极之间，所述第三部分设置在所述源极和所述漏极的分隔区域，所述栅极接收交流电压信号，所述源极接收低电位信号，所述漏极空置。2.根据权利要求1所述的防静电阵列基板，其特征在于，包括至少两个所述防静电电路间隔设置在所述非显示区域靠近所述基板边缘一侧，每个所述防静电电路的所述栅极接收一个所述交流电压信号。3.根据权利要求1所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述光敏材料半导体层包括氢化非晶硅和/或低温多晶硅。4.根据权利要求1所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极背离所述光敏材料半导体层的表面，以及所述源极和所述漏极分隔区域的所述有源层的表面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料包括聚硫酸铝(PAS)。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述源极和漏极之间的分隔距离大于0μm小于5μm，所述源极和/或漏极的线宽大于等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚兴珍，田强强，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：