检测系统及检测方法技术方案

本发明专利技术公开了检测系统及检测方法。检测系统包括检测机台、存储单元、处理系统、曝光机台及控制器。检测方法包括以下步骤。提供检测机台、光掩模、存储单元、处理系统及曝光机台。提供晶圆，晶圆包括多个晶粒区。在晶圆上形成光刻胶层。通过检测机台产生第一检测数据、第二检测数据。通过处理系统依据第一检测数据与第二检测数据生成检测地图。通过曝光机台依据检测地图以不同的条件曝光晶圆上不同的晶粒区内的光刻胶层。如此，本发明专利技术的检测系统及检测方法得以改善光刻胶层曝光的缺陷，提升光刻工艺的操作表现。艺的操作表现。艺的操作表现。

【技术实现步骤摘要】
检测系统及检测方法


[0001]本专利技术总体上涉及一种检测系统及检测方法，更具体地，涉及一种芯片曝光的检测系统及检测方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺(photolithography)是制造半导体器件的重要步骤，其利用曝光和显影将光掩模上的电路图形信息转移至光刻胶层，然后通过光刻胶层作为蚀刻屏蔽对其下方的材料层进行蚀刻，从而将电路图形信息再往下转移至材料层中，以在晶圆上制作出电路结构。半导体制作工艺即藉由重复进行沉积、光刻和蚀刻工艺，逐层架构出半导体器件的集成电路结构。然而，随着电路图案设计越来越细致紧密，相关制作工艺与设计也越来越严苛，因此，相关制作工艺与设计还待进一步改良以有效提升半导体器件的效能及可靠度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供了一种检测系统及检测方法，通过检测机台分别检测光掩模的缺陷与检测晶圆的形貌而产生检测地图，再依据检测地图控制曝光机台曝光光刻胶层的曝光条件，藉此改善光刻工艺操作表现，提升芯片制作的整体质量。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种检测系统，包括检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测系统，其特征在于包括：检测机台，被配置成分别检测光掩模与检测晶圆而产生第一检测数据与第二检测数据；存储单元，被配置成储存所述第一检测数据与所述第二检测数据；处理系统，被配置成依据所述第一检测数据与所述第二检测数据生成检测地图；曝光机台，被配置成依据所述检测地图曝光所述晶圆上的光刻胶层；以及控制器，被配置成依据所述检测地图控制所述曝光机台曝光所述光刻胶层的曝光条件。2.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述检测机台还包括：第一检测单元，被配置成检测所述光掩模的缺陷程度以产生所述第一检测数据；以及第二检测单元，被配置成检测所述晶圆的表面形貌以产生所述第二检测数据。3.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述存储单元还被配置成储存光掩模缺陷容许范围，所述控制器还被配置成依据所述光掩模缺陷容许范围检验所述第一检测数据。4.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述检测机台还包括：第三检测单元，被配置成检测所述光掩模的图案密度或图案复杂度以产生第三检测数据，所述处理系统被配置成依据所述第一检测数据、所述第二检测数据与所述第三检测数据生成所述检测地图。5.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述晶圆包括多个晶粒区，所述第二检测单元还包括被配置成检测不同的所述晶粒区的表面高度差、表面颗粒数量或组件密集度的多个次检测单元。6.一种检测方法，其特征在于包括：提供检测机台、存储单元、处理系统以及曝光机台；提供晶圆，所述晶圆包括多个晶粒区；在所述晶圆上形成光刻胶层；提供光掩模；通过所述检测机台进行第一检测工艺，扫描所述光掩模以产生第一检测数据；通过所述检测机台进行第二检测工艺，扫描所述晶圆以产生第二检测数据；通过所述处理系统依据所述第一检测数据与所述第二检测数据生成检测地图；以及通过所述曝光机台依据所述检测地图以不同的条件曝光所述晶圆上不同的所述晶粒区内的所述光刻胶层。7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘越，夏忠平，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：