半导体装置制造方法及图纸

具有：半导体基板(200)，具备主面(200a)、设于主面的第1区域(281)的电极(210)、设于主面的与第1区域不同的第2区域(283)的耐压构造部(230)、以及设于主面的第1区域与第2区域之间的第3区域(282)的中间部(270)；焊料(310)，设于电极；以及金属制的接线部(400)，设于焊料，具备不被焊料浸润的非浸润部(420)；中间部与电极相比难以被焊料浸润；中间部的沿着主面并且第1区域与第2区域所排列的排列方向上的长度比非浸润部的排列方向上的长度长。长度比非浸润部的排列方向上的长度长。长度比非浸润部的排列方向上的长度长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请以2020年12月22日提出的日本专利申请第2020－212680号为基础，基础申请的内容整体上通过参照而援引。


[0003]本说明书记载的内容涉及具备半导体基板的半导体装置。

技术介绍

[0004]在专利文献1中记载了一种半导体装置，其具备在一面形成有电极和保护膜的半导体基板、设于电极的焊料和设于焊料的接线部(terminal)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2018－74059号公报

技术实现思路

[0008]保护膜将电极和焊料包围而形成于半导体基板的一面。在半导体基板的形成有保护膜的部位，形成有保护环等耐压构造部。
[0009]如果接线部向耐压构造部侧偏移，则接线部与耐压构造部之间的电场分布变化。有可能在耐压构造部发生电场集中。
[0010]因此，本公开的目的在于，提供在耐压构造部发生电场集中的情况得以抑制的半导体装置。
[0011]本公开的一技术方案的半导体装置，具有：半导体基板，具备主面、设于主面的第1区域的电极、设于主面的与第1区域不同的第2区域的耐压构造部、以及设于主面的第1区域与第2区域之间的第3区域的中间部；焊料，设于电极；以及金属制的接线部，设于焊料，具备不被焊料浸润的非浸润部；中间部与电极相比难以被焊料浸润；中间部的沿着主面并且第1区域与第2区域所排列的排列方向上的长度比非浸润部的排列方向上的长度长。r/>[0012]由此，抑制了在耐压构造部发生电场集中。
[0013]另外，随附的权利要求书的括号内的参照标号只不过表示与后述的实施方式中记载的结构的对应关系，完全不用于限制技术范围。
附图说明
[0014]图1是说明半导体装置的剖视图。
[0015]图2是将第2焊料和第2热沉从半导体装置除去后的俯视图。
[0016]图3是说明沿着图2所示的III－III线的第1实施方式的剖视图。
[0017]图4是说明第1实施方式的与焊料的连接形态的剖视图。
[0018]图5是说明第2实施方式的剖视图。
[0019]图6是说明第2实施方式的变形例的剖视图。
[0020]图7是说明第2实施方式的变形例的剖视图。
[0021]图8是说明第3实施方式的剖视图。
[0022]图9是说明中间部的变形例的剖视图。
[0023]图10是说明中间部的变形例的剖视图。
具体实施方式
[0024]以下，参照附图说明用来实施本公开的多个形态。在各形态中有对于与在先前形态中说明过的事项对应的部分赋予相同的参照标号而将重复的说明省略的情况。在各形态中仅说明结构的一部分的情况下，对于结构的其他部分，能够应用先前说明过的其他形态。
[0025]此外，不仅是明示了在各实施方式中能够组合的部分彼此的组合，只要没有特别在组合中发生障碍，即使不明示也能够将实施方式彼此、实施方式与变形例、以及变形例彼此部分性地组合。
[0026](第1实施方式)
[0027]以下，说明半导体装置100的机械结构。其中，将相互处于正交关系的3个方向设为x方向、y方向及z方向。另外，在附图中将“方向”的记载省略而进行表示。z方向相当于正交方向。
[0028]如图1所示，半导体装置100具有半导体基板200、第1焊料310、第2焊料320、第3焊料330、接线部400、第1热沉500、第2热沉600及未图示的多个端子。多个端子例如是信号端子、第1主端子及第2主端子等。
[0029]半导体装置100作为构成了构成三相逆变器的6个臂中的1个的所谓1in1封装而被周知。半导体装置100例如被安装在车辆的逆变器电路中。
[0030]半导体基板200通过在硅、碳化硅等半导体部件中形成绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、MOSFET等功率晶体管而构成。功率晶体管为所谓纵型构造，以在z方向上流过电流。
[0031]半导体基板200呈在z方向上厚度较薄的扁平形状。半导体基板200具有在z方向上离开地排列的第1主面200a和第1主面200a的背侧的第2主面200b。第1主面200a相当于主面。
[0032]半导体基板200除了第1主面200a和第2主面200b以外，还具有发射极电极210、多个焊盘220、多个耐压构造部230、第1保护膜240、第2保护膜250、伪电极260及集电极电极290。
[0033]如图1～图4所示，在半导体基板200的第1主面200a，设置有发射极电极210、多个焊盘220、多个耐压构造部230、第1保护膜240、第2保护膜250及伪电极260。在半导体基板200的第2主面200b，设置有集电极电极290。另外，发射极电极210相当于电极。第1保护膜240相当于第1构造部。伪电极260相当于第2构造部。
[0034]多个焊盘220是信号用的电极。如图2所示，多个焊盘220设置在半导体基板200的y方向的端部侧。多个焊盘220从第2保护膜250露出。
[0035]多个焊盘220分别例如用于栅极电极、开尔文发射极、电流感测、温度传感器的阳极电位、该温度传感器的阴极电位等。多个焊盘220经由未图示的键合线而与未图示的多个信号端子电连接。
[0036]接线部400是呈大致长方体形状的块体。如图1所示，接线部400具有在z方向上离开地排列的第1接线部面400a、其背侧的第2接线部面400b、以及将第1接线部面400a与第2接线部面400b连结的4个连结接线部面400c。
[0037]接线部400经由第1焊料310而与发射极电极210电连接及机械连接。接线部400经由第2焊料320而与第2热沉600电连接及机械连接。
[0038]接线部400位于半导体基板200与第2热沉600的导热、导电路径的中途。因此，接线部400采用导热性及导电性优异的例如铜等的金属部件形成。
[0039]第1热沉500呈平板形状。在第1热沉500与未图示的第1主端子相连。第1主端子与半导体基板200的集电极电极290电连接。
[0040]第1热沉500起到将形成于半导体基板200的功率晶体管的热向半导体基板200的外部散热的散热功能、以及将集电极电极290与第1主端子电中继的功能。
[0041]第1热沉500经由第3焊料330而与半导体基板200电连接及机械连接。第1热沉500与接线部400同样，采用导热性及导电性优异的例如铜等的金属部件形成。
[0042]另外，第1主端子既可以作为引线框的一部分而与第1热沉500一体地形成，也可以作为第1热沉500以外的部件而构成。
[0043]第2热沉600也同样呈平板形状。第2热沉600与未图示的第2主端子相连。第2主端子与半导体基板200的发射极电极210电连接。
[0044]第2热沉600起到将形成于半导体基板200的功率晶体管的热向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板(200)，具备主面(200a)、设于上述主面的第1区域(281)的电极(210)、设于上述主面的与上述第1区域不同的第2区域(283)的耐压构造部(230)、以及设于上述主面的上述第1区域与上述第2区域之间的第3区域(282)的中间部(270)；焊料(310)，设于上述电极；以及金属制的接线部(400)，设于上述焊料，具备不被上述焊料浸润的非浸润部(420)；上述中间部与上述电极相比难以被上述焊料浸润；上述中间部的沿着上述主面并且上述第1区域与上述第2区域所排列的排列方向上的长度比上述非浸润部的上述排列方向上的长度长。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述接线部还具有与自身相比难以被上述焊料浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：西畑雅由，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：