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一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用技术

技术编号:38604859 阅读:13 留言:0更新日期:2023-08-26 23:37
本申请涉及光电材料技术领域,更具体地说,它涉及一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用。包括以下过程:所述Bi基钙钛矿薄膜晶相包括BiI3层,将熔点200℃以下的铵盐气化,把所述BiI3层放置在所述铵盐形成的气相环境中,可获得均匀致密的非铅铋基钙钛矿薄膜,所述气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。为解决传统Bi基钙钛矿层状结构,薄膜不致密的问题,该薄膜对无毒绿色钙钛矿材料的研究和光电子器件的发展具有重要的作用。电子器件的发展具有重要的作用。电子器件的发展具有重要的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用


[0001]本申请涉及光电材料
,更具体地说,它涉及一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用。

技术介绍

[0002]有机无机杂化铅卤钙钛矿已成为具有革命意义的太阳能电池吸光层,其光电转化效率从2009年的3.8%已经提高到25.5%。这类材料突出的光电性能归因于它们独特的光电特性,比如合适的带隙,高吸收系数,高且平衡的载流子迁移率,好的耐缺陷特征和低激子结合能。这些特性从根本上来源于Pb6s2轨道孤对电子对的化学性质和钙钛矿晶格的混合离子

共价键。然而,Pb元素的环境毒性限制了钙钛矿太阳能电池的大规模商业化。因此,人们强烈希望寻找新的拥有同样良好的光电性能的非铅钙钛矿材料。
[0003]用其它等价离子取代Pb
2+
卤化物钙钛矿中的铅是一种直截了当的策略。首先考虑的是同一主族具有ns2电子的Sn
2+
/Ge
2+
。目前采用二维/三维混合锡基钙钛矿器件性能已经突破10%。然而,由于Sn
2+r/>极容易被氧化为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法,其特征在于,包括以下过程:所述Bi基钙钛矿薄膜晶相包括BiI3层,将熔点200℃以下的铵盐气化,把所述BiI3层放置在所述铵盐形成的气相环境中,可获得均匀致密的非铅铋基钙钛矿薄膜,所述气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。2.根据权利要求1所述的一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法,其特征在于,所述非铅钙钛矿薄膜的化学式为A3M2X9,其中所述A为有机大分子,所述M为第五主族元素,所述X为卤族元素。3.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法,其特征在于,所述Bi基钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤:S1:将0.1g

0.3g的BiI3粉末溶于有机溶剂中,在惰性气氛中,保持溶液温度50

60℃,所述BiI3粉末完全溶解,得到前驱体溶液;S2:将得到的所述前驱体溶液旋涂在所述电子传输层表面,形成薄膜,然后对该薄膜进行退火处理,得到平整的BiI3薄膜;S3:将得到的所述BiI3薄膜,倒贴在培养皿内,将培养皿倒扣在热台上,热台温度为150

180℃,热台上放置MAX,使所述MAX气化,所述MAX与所述BiI3薄膜反应3

5min,然后取下所述培养皿中的薄膜,可以得到化学式为MA3Bi2X9的Bi基钙钛矿薄膜。4.根据权利要求3所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法,其特征在于,所述S1中的所述BiI3溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员:金志欣高子豪郭得峰
申请(专利权)人:燕山大学
类型:发明
国别省市:

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