一种钼铜合金散热片及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种钼铜合金散热片及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)利用钼粉和铜粉制备合金坯料；(2)将所述合金坯料依次经过分切、轧制、冲压和研磨，得到合金片材；(3)利用物理气相沉积法在所述合金片材的表面依次进行镀镍和镀铜，得到钼铜合金散热片；其中，步骤(1)所述合金坯料中铜元素的质量占比为15％

【技术实现步骤摘要】
一种钼铜合金散热片及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于散热部件
，涉及一种钼铜合金散热片，尤其涉及一种钼铜合金散热片及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]近年来，随着超大规模集成电路的飞速发展，半导体用芯片的集成度越来越高，运行速度也要求越来越快，随之而来芯片的高效散热问题迫切需要得到有效解决。
[0003]钼铜合金是由钼和铜两种互不固溶的金属相互组合而成的“假合金”，通常由钼、铜粉体通过粉末冶金的方式制备而成，兼具纯钼强度与硬度高、热膨胀系数低的特点以及金属铜良好的导电导热性能。因此，钼铜合金拥有良好的耐高温性、导电导热性和易加工性等卓越的综合性能，将其应用于电子封装领域可以有效地传导电子器件的热量，有助于冷却绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块、发光二极管(LED)芯片等各种产品，从而提高芯片运行效率并延长其使用寿命。
[0004]目前可用于电子封装热沉材料的钼铜合金通常采用熔渗法或高温液相烧结法制备坯料，然后轧制至目标厚度。为了便于材料后续封装焊接，通常会在材料表面电镀Ni和Cu膜。然而，电镀前一般需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钼铜合金散热片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)利用钼粉和铜粉制备合金坯料；(2)将所述合金坯料依次经过分切、轧制、冲压和研磨，得到合金片材；(3)利用物理气相沉积法在所述合金片材的表面依次进行镀镍和镀铜，得到钼铜合金散热片；其中，步骤(1)所述合金坯料中铜元素的质量占比为15％
‑
60％。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钼粉的纯度≥99.95wt％；优选地，步骤(1)所述铜粉的纯度≥99.95wt％；优选地，步骤(1)所述合金坯料的制备采用高温液相烧结法进行，且烧结温度为1200
‑
1300℃。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述分切的间隔厚度为15
‑
20mm；优选地，步骤(2)所述轧制的目标厚度为1.6
‑
2.1mm，且厚度公差为
±
0.05mm以内。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述冲压的目标形状包括方片或圆片；优选地，所述方片的尺寸为(15
‑
20)mm
×
(15
‑
20)mm
×
(1
‑
3)mm；优选地，所述圆片的尺寸为φ(5
‑
6)mm
×
(2
‑
3)mm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述研磨包括磁力研磨；优选地，所述磁力研磨的频率为50
‑
60Hz；优选地，所述磁力研磨采用的研磨液包括表面活性剂；优选地，所述磁力研磨过程中，合金片材与研磨液的质量比为(2
‑
3):1；优选地，所述磁力研磨的时间为5
‑
10min；优选地，所述磁力研磨后合金片材的表面粗糙度≤1.6μm。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述研磨后还依次进行清洗和干燥；优选地，所述清洗包括超声清洗；优选地，所述超声清洗采用的清洗液包括异丙胺；优选地，所述超声清洗的频率为50
‑
100kHz；优选地，所述超声清洗的时间为5
‑
10min；优选地，所述干燥包括真空干燥；优选地，所述真空干燥的绝对真空度≤0.01Pa；优选地，所述真空干燥的温度为60
‑
80℃；优选地，所述真空干燥的时间为60
‑
80min。7.根据权利要求1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，慕二龙，汪焱斌，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：