石墨烯薄膜的收放卷装置、沉积系统及制备方法制造方法及图纸

本申请提供一种收放卷装置和等离子体增强化学气相沉积系统及石墨烯薄膜的制备方法。收放卷装置包括放卷轴、收卷轴、底座和电机。放卷轴用于设置衬底；收卷轴与放卷轴平行设置并收卷石墨烯薄膜和衬底；底座设置在放卷轴和收卷轴的下方并支撑放卷轴和收卷轴；电机与收卷轴连接，并为收卷轴提供动力。通过以上设计，可制备宽幅较大的石墨烯薄膜，解决目前大尺寸石墨烯薄膜制备受限的问题。墨烯薄膜制备受限的问题。墨烯薄膜制备受限的问题。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯薄膜的收放卷装置、沉积系统及制备方法


[0001]本申请涉及石墨烯薄膜的制备装置、系统及制备方法，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜的收放卷装置、沉积系统及制备方法。

技术介绍

[0002]石墨烯是一种新型炭材料，具有由单层碳原子紧密堆积而成的二维蜂窝状晶体结构，在电学、导热性、力学、光学等方面有诸多优良性能，同时还具有一些独特性质，如高性能传感器功能、催化剂功能、吸氢功能、双极半导体、无散射传输、应力传感器功能等石墨烯在触控屏中具有明显的应用优势。
[0003]化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯是目前最理想，也是最广泛的应用于工业化生产的制备技术。化学气相沉积法制备石墨烯的工作原理是利用碳源(气态、液态、固态)在高温环境下，碳源分解出碳原子沉积在金属表面，逐渐生长出连续的石墨烯薄膜。普通CVD法制备石墨烯的缺点日益凸显，因此，在CVD的基础上发展了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)，常见的等离子体源有三类：微波、射频和直流放电。根据等离子体源不同，分别叫做WPCVD、RF
‑
PECVD和DC
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种收放卷装置，用于制备石墨烯薄膜，其特征在于：包括：底座；放卷轴，所述放卷轴设置在所述底座上，所述底座支撑所述放卷轴，所述放卷轴用于设置衬底；收卷轴，所述收卷轴设置在所述底座上，所述底座支撑所述收卷轴，所述收卷轴与所述放卷轴平行设置并收卷所述石墨烯薄膜和所述衬底；电机，所述电机与所述收卷轴连接，为所述收卷轴提供动力。2.如权利要求1所述的收放卷装置，其特征在于：所述放卷轴、所述收卷轴和所述底座均采用耐高温刚性材料制成。3.如权利要求1所述的收放卷装置，其特征在于：在垂直于所述放卷轴的轴向的平面上，所述底座的投影是矩形，所述放卷轴和所述收卷轴均设置在所述矩形的同一条长边上。4.如权利要求1所述的收放卷装置，其特征在于：在垂直于所述放卷轴的轴向的平面上，所述底座的投影是半圆形，所述放卷轴和所述收卷轴均设置在所述半圆形的直径上。5.如权利要求1所述的收放卷装置，其特征在于：所述底座是一体成型或者两个分体结构组合而成。6.如权利要求5所述的收放卷装置，其特征在于：所述底座包括第一端底座和第二端底座，所述第一端底座支撑所述放卷轴和所述收卷轴的一端，所述第二端底座支撑所述放卷轴和所述收卷轴的另一端。7.如权利要求5所述的收放卷装置，其特征在于：所述底座包括放卷轴底座和收卷轴底座，所述放卷轴设置在所述放卷轴底座上，所述收卷轴设置在所述收卷轴底座上。8.如权利要求1所述的收放卷装置，其特征在于：所述底座上设置有凹槽，所述凹槽内设置有轴承，所述放卷轴和所述收卷轴均设置在所述轴承内，所述轴承的两端设置有卡扣。9.如权利要求1所述的收放卷装置，其特征在于：所述收卷轴的长度大于所述放卷轴的长度。10.一种等离子体增强化学气相沉积系统，包括：进气管、石英管、抽气管、加热炉、射频线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹风，王雄彪，彭海琳，李科，徐涛，沈伟，刘忠范，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：