基于驻极体的半导体SERS基底设计制备方法技术

本发明专利技术涉及表面拉曼增强光谱检测领域，尤其涉及一种通过驻极体来调控半导体表面拉曼增强光谱的设计与实现方法。本方法以特殊设计的类类囊体结构的纳米金属半导体为基底，通过有机或无机驻极体材料的修饰，进一步增强纳米金属半导体在拉曼检测中待测分子的极化效应，进而提升半导体表面拉曼光谱增强效果。进而提升半导体表面拉曼光谱增强效果。进而提升半导体表面拉曼光谱增强效果。

【技术实现步骤摘要】
基于驻极体的半导体SERS基底设计制备方法


[0001]本专利技术属于表面拉曼增强光谱检测
，具体涉及基于驻极体的半导体SERS基底设计制备方法。

技术介绍

[0002]原位增强拉曼光谱技术以其快速、高灵敏度、高空间分辨率且适用于水溶液体系等突出优势，成为电化学催化领域原位表征的强有力手段。
[0003]目前常用的SERS基底分为三类：i) 粗糙化的Au/Ag/Cu平面电极或过渡金属薄层或纯过渡金属SERS基底；ii) TERS基底中的纳米金属针尖；iii) SHINERS技术中的Au@SiO2或Au@SiO2基底以及负载在Au/Ag/Cu平面电极上的Au@SiO2或Au@SiO2。
[0004]不过，由于SERS技术的限制，目前对电催化过程的表征还主要局限于结构非常明确且简单的单晶贵金属半导体体系，对现在常见的半导体及其组成的异质结构等体系无法实现很好的检测；对于大多数催化剂中所涉及的半导体材料，由于其表面等离子体共振吸收峰位于红外区，因此，目前仍然无法实现对其相关电催化体系做有效研究。
专利
技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于驻极体的半导体SERS基底设计制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过电化学沉积法制备得到类类囊体的纳米贱金属，经或不经粗糙化处理；S2、将步骤S1制备得到的类类囊体结构的纳米贱金属，通过湿化学法生长纳米金等纳米贵金属；S3、将步骤S2制备得到的类类囊体结构的纳米贱金属与纳米贵金属复合物，通过原子层沉积等方法镀一层TiO2等特殊电介质；S4、在驻极体基底上，镀一层金，经或不经粗糙化处理后，在薄膜表面进一步沉积TiO2等特殊电介质纳米薄层；S5、将步骤S2制备得到的类类囊体纳米贱金属与TiO2复合物，经粗糙化处理，转移到步骤S4制备得到的驻极体膜上，并负载目标半导体基电催化剂。2.根据权利要求1所述的基于驻极体的半导体SERS基底设计制备方法，其特征在于：所述贱金属可选用Fe、Co、N...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，徐浩东，季雨洁，朱军，宋允文，
申请(专利权)人：徐州工程学院，
类型：发明
国别省市：